EDITORIAL
VEM AÍ UMA NOVA GERAÇÃO DE TRANSISTORES MOSFET Fernando Andrette
fernando@clubedoaudio.com.br
Antes que você solte a frase: “Lá vem o Andrette novamente com
escala de produção, essa descoberta soa como música aos ouvidos
sua defesa da nanotecnologia”, vou começar por dizer o que um
(desculpe a analogia, amigo leitor). O processo de escaneamento
dos envolvidos neste novo e revolucionário método de scanear os
é tão preciso, que foi possível detectar um único átomo ausente
elétrons, escreveu na apresentação do artigo: “É sempre incrível
para cada 5000 átomos, o que já é suficiente para descartar aquele
quando você vê a intersecção da física teórica com a engenharia
transistor do lote fabricado. Para detectar tais desvios, os pesquisa-
prática. Ideias e teorias de décadas atrás estão encontrando um lar
dores ampliaram a ressonância magnética utilizada para o nível da
perfeito em uma nova técnica, que no passado recente os teóricos
nano, para medir os efeitos do ‘spin’ (é o fenômeno que descreve
sequer cogitavam ser possível”. Essa nova descoberta que abrirá
característica fundamental de partículas, como elétrons, prótons e
perspectivas antes apenas cogitáveis no campo teórico, se concen-
nêutrons), possibilitando capturar as imperfeições nos MOSFETs,
trou em transistores de efeito de campo semicondutores de óxido
com spin alterado, tanto no núcleo dos átomos que o cercam,
metálico (MOSFETs), que são encontrados em quase que todos os
como ao seu redor em seu campo magnético. Essa possibilidade
dispositivos eletrônicos que utilizamos em nosso dia a dia. Até re-
de observar essas interações, e suas consequências, pode revelar
centemente estes eram fabricados com silício e dióxido de silício, e
detalhes estruturais e químicos e nos levar a um outro patamar de
agora também podem ser fabricados com outros materiais, incluin-
entendimento sobre como aprimorar o desenvolvimento de com-
do o carboneto de silício como um bom material semicondutor. Des-
ponentes eletrônicos - e não só dos transistores MOSFET. O artigo
cobriu-se que o novo material tem vantagens substanciais para altas
conclui que, quando um elétron gira dentro dos centros de defeito,
temperaturas e aplicações de alta potência, no entanto eles também
este ‘vira’ ou muda seu estado de rotação, e quando se aplica um
têm um defeito de escala atômica que impede seu uso em grande
campo eletromagnético, eles eventualmente relaxam de volta ao seu
escala - até o momento. Pois bem, o estudante de doutorado em
estado de rotação original. Mostrando de forma cabal como os nú-
ciências de engenharia mecânica, James Ashton, desenvolveu uma
cleos magnéticos localizados perto dos elétrons do defeito afetam o
nova técnica para estudar defeitos em materiais semicondutores. A
processo de relaxamento - é o vilão que irá eliminar aquele MOSFET.
nova ferramenta analítica faz uso de campos magnéticos extremamente pequenos e frequências muito menores do que as normalmente usadas para detectar defeitos e imperfeições nos MOSFETs. A abordagem fornece informações estruturais sobre as interações magnéticas entre elétrons e núcleos magnéticos, de maneira muito mais objetiva e contundente. O que irá facilitar, em muito, a fabricação de uma nova geração de transistores MOSFET, com um índice de defeito quase que próximo de zero. E quando falamos em alta
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JUNHO . 2022
O leitor leigo, e apenas interessado em descobrir a melhor maneira de ouvir sua música, pode estar achando essa descoberta algo muito distante de sua realidade e do seu dia a dia. Relaxe, pois quando uma nova geração de semicondutores eletrônicos estiver no mercado, você certamente irá perceber as possíveis melhorias, e lembrar deste editorial escrito em junho de 2022. O futuro é iminente meu caro amigo!
