TRANSISTOR BIPOLAR BJT El transistor bipolar de unión es un dispositivo electrónico de tres terminales, formado por un cristal de silicio en el que se crea una región del tipo n entre dos de tipo p, o bien una de tipo p entre dos de tipo n en el primer caso el transistor se denomina p-n-p y el segundo n-p-n. Las tres regiones que se forman y los terminales extraidos desde ellas se denominan de la siguiente forma: •
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
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Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
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Colector, de extensión mucho mayor.
TIPO NPN: NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
TIPO PNP: El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Para las tenciones y corrientes idicadas en los símbolos de los transistores, tanto del n-pn como del p-n-p, se cumple:
IE=IC+IB VCE=VCB+VBE
TRANSISTOR BIPOLAR 2N3904 El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación. Este tipo de transistor fue patentado por Motorola Semiconductor en los años 60, junto con el Transistor PNP 2N3906, y representó un gran incremento de eficiencia, con un encapsulado TO-92 en vez del antiguo encapsulado metálico. Está diseñado para funcionar a bajas intensidades, bajas potencias, tensiones medias, y puede
operar a velocidades razonablemente altas. Se trata de un transistor de bajo costo, muy común, y suficientemente robusto como para ser usado en experimentos electrónicos. Características del transistor: •
Es un transistor de 200 miliamperios.
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40 voltios.
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625 milivatios.
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Frecuencia de transición de 300 MHz.
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beta de 100.
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Es usado primordialmente para la amplificación analógica.
El Transistor PNP complementario del 2N3904 es el 2N3906. El Transistor NPN 2N2222 es otro transistor muy popular, con características similares al 2N3904, pero que permite intensidades mucho más elevadas. No obstante, en todas las aplicaciones que requieren baja intensidad, es preferible el uso del 2N3904.[cita requerida] El Transistor 2N3904 es un transistor muy popular para aficionados debido a su bajo coste.