artigo tĂŠcnico
o futuro das memórias – consultamos a bola de cristal ou‌? RS Components
Se alguma das ĂĄreas de semicondutores pode ser considerada uma commodity, ĂŠ a das memĂłrias. Esta ĂŠ, sem dĂşvida, a ĂĄrea de maior protagonismo. O preço de venda ascendente ou descendente de qualquer dos chips DRAM mais procurados ĂŠ, normalmente, considerado como referĂŞncia da indĂşstria de semicondutores a nĂvel geral.
Mercados e Fabricantes Na vanguarda do negĂłcio, o mercado de semicondutores vale atualmente cerca de 300 mil milhĂľes de dĂłlares ao ano, dos quais grande parte correspondem aos chips de memĂłria, cuja participação ĂŠ muito volĂĄtil de ano para ano. Os custos para um fabricante permanecer no mercado sĂŁo elevados, as margens sĂŁo cada vez mais reduzidas e os lucros apenas se obtĂŞm nos melhores anos, a nĂŁo ser que seja lĂder do mercado. A indĂşstria tem um nĂşmero cada vez mais reduzido de grandes players – que detĂŞm mais de 5% do mercado perante qualquer situação – tendo-se observado, nos Ăşltimos anos, uma forte consolidação dos fabricantes de memĂłrias. Aconteceu inicialmente com os chips DRAM e, mais recentemente, afetou os principais fabricantes de memĂłrias nĂŁo-volĂĄteis (MNV), na grande maioria memĂłrias Flash.
energĂŠtico. Os fabricantes de memĂłrias tĂŞm sido alvo de inĂşmeras pressĂľes que conduziram Ă melhoria da sua arquitetura e Ă utilização de nĂłs de processos mais pequenos, nĂŁo deixando a memĂłria de estar no ponto central do desenvolvimento do processo de silĂcio. A necessidade econĂłmica de compactar a tecnologia fez com que os fabricantes DRAM começassem a produzir mĂłdulos de memĂłria usando o processo de 30 nm e alguns fornecedores com amostras de dispositivos de 25 nm. Em relação Ă s memĂłrias NAND, o tipo de memĂłrias Flash mais comum utilizado para o armazenamento em unidades de estado sĂłlido, unidades Flash USB e cartĂľes de memĂłria multimĂŠdia, os fabricantes lĂderes estĂŁo agora a iniciar a produção de memĂłrias de 64 Gbit com processos de tecnologias variando entre 20 e 30 nm. A crescente importância das tecnologias de memĂłrias 3D requer memĂłrias com estruturas e arquiteturas inovadoras ao nĂvel do processo de tecnologia – com as cĂŠlulas de memĂłria DRAM desenvolvidas em estruturas 3D – e ao nĂvel da estrutura do silĂcio com o empilhamento de memĂłrias DRAM com a tecnologia de ligação atravĂŠs da camada de silĂcio (TSV) para satisfazer as exigĂŞncias de alta densidade. O desenvolvimento avançado de memĂłrias flash NAND 3D com estrutu-
ras de portas verticais que oferecem grande visto como uma perspetiva realista para os prĂłximos anos. Outra questĂŁo da indĂşstria passa pelo potencial do padrĂŁo de interligação de alto rendimento. No inĂcio de 2011, a JEDEC anunciou o padrĂŁo Universal Flash Storage (UFS), conce para o armazenamento de memĂłria baseado em Flash tanto integrado como removĂvel. Este standard tado para aplicaçþes mĂłveis e sistemas de computação que requerem um elevado desempenho e um baixo consumo de energia.
Flash – Crescimento ou Substituição? Atualmente, o mercado de memĂłrias flash estĂĄ em grande crescimento, em grande parte impulsionado pela crescente procura de memĂłrias rĂĄpidas e de elevada potĂŞncia para pequenos dispositivos mĂłveis como tablets e smartphones. Segundo um estudo de 2010 da IHS iSuppli, a tecnologia lĂder de memĂłrias para aplicaçþes mĂłveis nos prĂłximos anos seria a NAND Flash. Foi previsto um alcance de cerca da metade das receitas totais de memĂłrias de 2011 em produtos mĂłveis por parte
Processo, Arquitetura e Interligação senvolvimento de chips de memória passa por acompanhar o desempenho cada vez maior dos microprocessadores e conceber memórias mais råpidas com um menor consumo www.oelectricista.pt o electricista 40
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