產品新聞 2810 和 2815 明視野圖樣晶圓檢測系統 記憶體製造商需要在密集的重複性圖樣以及高垂直結構中有高效率的小型缺陷偵測能
281x 的優點
力。邏輯製造商必須找出並隔離所有複雜幾何以及密集重複性圖樣上的關鍵缺陷，因 為這些地方會使用新材質並且快速地變更製程。除了這些明顯的檢測需求以外，記憶
特定的光學模式及可選取的全
體和邏輯晶片製造商還需要改良的靈敏度與速度，以便能夠將新製程快速提昇至量
光譜 DUV/UV／可見光照明對所
產。2810 和 2815 是業界第一套記憶體和邏輯特定的全光譜明視野檢測工具，可幫助
有製程層級上的重要缺陷有最
解決有關元件類型特有的良率問題。281x 檢測工具是 KLA-Tencor 完整的晶圓檢測套
高的靈敏度
裝組合系列之一，在 ≤ 55 nm 記憶體和 ≤ 45 nm 邏輯元件的製造中 提供高效率的在 線監控與工程分析能力。
最高的生產權重平均產量 (WATIP) 使得取樣數增加，降低擁有成本
281x 工具是以廣為業界採用的 2800 系列全光譜 DUV/UV/可見光明視野檢測工具為
或提高靈敏度
架構，利用記憶體和邏輯專用的光學模式及演算法，以便在所有製程層級中捕獲廣泛 的影響良率的關鍵缺陷。281x 檢測工具包括可選取光譜的照明光源和與像素無關的高
與其他 KLA-Tencor 檢測工具與
數值孔徑 (NA)，可將材質的對比放至最大，抑制雜訊，並且使用自動缺陷分類處理中
檢閱工具的共通性與連接性，可
的進步，以產生有意義的缺陷柏拉圖。281x 檢測工具的生產能力幾乎達到 2800 的兩
發揮檢測工具功能的最大功效並
倍，因此工程師能夠很快速地在對關鍵的蝕刻﹐CMP 與光刻過程的監控中達成系統良率
減少生產整合時間
改善的目標並減少基線缺陷。281x 工具提供製程開發的靈活性，生產的可靠性以及未 已確立、獲得生產認可的高擴充
來節點及新興元件技術的擴充性。
性工具架構為多重技術節點提供
有關於 2810 或 2815 如何能夠解決特定用途或良率挑戰的問題？請連絡 Mark Shirey，電
可靠的在線監控能力
子郵件位址是 mark.shirey@kla-tencor.com。
90nm Pixel (BBDUV BF) 50nm Pixel (BBDUV BF)
Pattern
Line Thinning
Bridge
Particle
SEM NonVisual/Bump
Defects of Interest
顯影者在量產前評估設計
100 2800 2810 75
50
25
0
Layer 1
Equivalent Throughput
2815 缺陷柏拉圖顯示新的 50nm 像素使關鍵橋接缺 陷的捕獲能力增加 2 倍。業界最小的像素提高了早期 製程偏離偵測所需要的重要缺陷捕獲率。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
Normalized Defect Count
Defect Count
製程視窗認證 (PWQ) 的應用允許
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Layer 2
Layer 3
2810: 75– 80% throughput improvement over 2800
2810 擁有提升的生產能力與為記憶體元件專用的新圖 樣抑制模式，展現出超越 2800 的三個前端記憶體層 的生產能力，並且擁有更高的靈敏度。
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產品新聞 Puma™ 9150 暗視野圖樣晶圓檢測系統
Puma 9150 的優點
半導體元件製造者必須解決與尺寸緊縮、新材質以及創新元件結構有關的良率問題， 以便快速量產與獲利。圖樣晶圓檢測工具有助於改善良率，讓工程師解決產品週期
新的光學模式與 Streak 暗視野 成像技術在延伸的應用空間提 供了增強的缺陷類型捕獲能力 提供所需靈敏度最高的生產能 力，可提高良率取樣或減少擁 有成本 與其他 KLA -Tencor 檢測工具與 檢閱工具的共通性與連接性， 可發揮檢測工具功能的最大功 效並減少生產整合時間 使用簡易的改良與創新的演算法 可產生快速而簡易的程式設定
中所有階段的缺陷問題 — 從製程開發到生產。Puma 9150 暗視野檢測工具是 KLATencor 綜合晶圓檢測套裝組合系列之一，為 ≤ 45nm 的製程提供高效率的偏監差控能力。 Puma 9150 是 Puma 系列中最新的成員，屬於雷射成像的暗視野檢測工具，它利用革命 性的 Streak™ 技術並且在擴大的應用空間以捕獲最廣泛的缺陷類型，同時維持極高的 生產能力。新的光學模式在非關鍵蝕刻應用可增加對橋接以及其他圖樣缺陷捕獲的靈 敏度，提高殘餘及其他 CMP 缺陷的捕獲能力，並且以高生產能力偵測光刻缺陷。除 了提供基準的薄膜層的缺陷檢測效能以外，Puma 9150 還通過提供改良的光刻監控取 樣選項,顯影後檢測以及其他生產機具監控應用來補充更高靈敏度的寬頻明視野檢測。 有關於Puma9150如何能夠針對解決具體使用案例或良率挑戰的問題？請連絡AmirAzordegan， 電子郵件位址是 amir.azordegan@kla-tencor.com。
確立的工具架構與生產認可的 工具與工具相稱性能夠得到一 致與可靠的檢測結果
Signal-to-Noise Ratio
Traditional Optical Modes New Optical Modes
Bridge
Cu Residue
Missing Contact
三種缺陷的訊雜比展現 Puma 9150 的傳統與新式光學模式 互補的偵測功能。多重光學模式可在延伸的應用空間中提 供最廣泛暗視野缺陷類型捕獲。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
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Puma 9150 的新光學模式提供更高的淺輪廓缺 陷類型的捕獲能力，例如不完全的銅拋光（已 顯示）、變形接觸、橋接與殘餘物質。
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產品新聞 eDR-5200 電子束缺陷再檢測和分類系統 由於線寬已縮小到 45nm 以下，缺陷和良率工程師越來越關注於小缺陷以及其電子束缺陷
eDR-5200 的優點
再檢測工具所建立的缺陷 parato 品質。eDR-5200 電子束缺陷再檢測和分類系統能對小於 50nm 的缺陷成像，並且產生極少電子束無法看見 (SNV) 缺陷的、高品質的缺陷 Parato，進 而解決上述的問題。eDR-5200 是 KLA-Tencor 綜合缺陷解決方案中重要的一環，具有高影
高準確度的定位平台與高影像 解析度可對小於 50nm 的缺陷進 行再偵測與成像
像解析度和更高的缺陷再檢測靈敏度，加上與 KLA-Tencor 檢測工具的獨特連接技術，可 為生產 45nm 及以下的客戶提供更佳的再檢測效能、更快速的良率學習以及更高的生產力。 eDR-5200 採用電磁浸潤式設計，提供對小於 50nm 缺陷成像所需的解析度。此外，其高 準確度定位平台、創新的防偏差計算法和先進的再檢測方法提供了偵測到低對比度或 較微小缺陷所需的能力，有效地減少 SNV 的數量。全新的智慧協助分類 (ePAC™) 和全 自動缺陷分類 (eADC™) 方法更進一步地提高缺陷 parato 的品質。為了簡化光學缺陷檢 測與電子束再檢測的週期成為單一使用個案，eDR-5200 提供了與 KLA-Tencor 光學檢測 工具的無縫式連接。此技術每小時可產生更多高品質的缺陷 parato，允許工程師快速解 決 45nm 元件上之最小關鍵缺陷，以提高良率。 有關 eDR-5200 之具體使用案例或良率相關問題，請連絡 Christophe Fouquet，電子郵件 位址是 christophe.fouquet@kla-tencor.com。
0.5µm FOV
與KLA-Tencor檢測工具的獨特連 接功能，能在SEM上快速的設定 高品質的光學檢測程式，並降低 的 SNV及其他雜訊缺陷比例 創新的 EDX 設計，可允許小於 100nm 的缺陷的分析與分類。 KLA-Tencor 光學檢測系統與電 子束缺陷再檢測工具的連接功 能，可大幅減少製程空間檢驗 (PWQ) 的時間
100
SNV Rate %
50
25
40
71
73
78
36
27
22
11 0
85
POR Method eDR Method
75
12
13
3BEOL
4FEOL
22 13
2 1FEOL
2FEOL
50nm Defect
5BEOL
6BEOL
7BEOL
Layer
eDR5200 的浸潤式設計和高準確度的定位平台， 可對小於 50nm 的缺陷進行再檢測與成像。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
適合量產環境的手動智慧協助以 及全自動的缺陷分類，可在最短 的時間內產生最佳的缺陷parato
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eDR5200 具有較準確的缺陷定位和與 KLA-Tencor 光學檢測 工具的連接性，可大幅減少SNV的數量。
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產品新聞 SURFmonitor 製程特徵與度量模組 SURFmonitor 的優點 缺陷與薄膜形態資訊同時檢 測，不會產生額外的產量影響
SURFmonitor 系統將領先業界的 Surfscan SP2 無圖樣表面檢測系統，超越了傳統的缺陷 檢測，並加入度量的領域範圍。SURFmonitor 能夠測量芯片晶圓或平面薄膜表面形態 的變化，而它們與多方位的製程參數（例如表面粗糙度、粒狀大小與製程溫度）可說 息息相關。具有次埃可重複性，SURFmonitor 系統可建立詳細的參數圖，同時能夠收
功能強大的演算法可擷取缺陷 特徵並且將表面散射的結果轉 換成可用的度量資料 次埃垂直（特徵高度）解析度 與領先業界的橫向解析度
集缺陷資訊，使得晶圓廠能夠同時監控製程趨勢與缺陷，而且不會影響檢測生產力。 SURFmonitor 也將 SP2 的缺陷檢測能力擴展至「次臨界值」區域，識別製程異常與缺 陷特徵，這些都是典型的缺陷管道無法捕捉的。 SURFmonitor 組件利用低空間頻率、低振幅散射信號進行缺陷掃描，藉以產生高解析 度、完整的晶圓圖，並包含次埃高度的解析度。SURFmonitor 接著會分析這些圖表
可用作 Surfscan SP2 產品的附 加組件 獲得數項應用認可在晶圓廠中 所有的製程模組上
以了解是否有晶圓內部或晶圓對晶圓參數的空間變化，同時套用結果以進行統計製 程控制。SURFmonitor 資料也顯示出與數個參數的絕佳關聯性，例如銅、鎢和多晶矽 薄膜的表面粗糙度；透明薄膜厚度；表面損壞以及表面溫度變化。SURFmonitor 也提 供偵測低訊雜比缺陷的能力，例如透過傳統缺陷管道不容易偵測的水漬印和污點。在 Surfscan SP2 平台上建立的 SURFmonitor 結果顯示無法倫比的重複性與匹配能力。 有關於 SURFmonitor 如何解決特定用途問題或良率挑戰的情況？請連絡 Andy Steinbach，
SURFmonitor signal (ppm)
電子郵件位址是 andy.steinbach@kla-tencor.com。
300 250 200 150 100 50 0 0.0 1.0 2.0
3.0 4.0
5.0 6.0
AFM RMS roughness (nm)
此 SURFimage 展現濕式清洗的乾燥污點，經 過 SURFmonitor 演算法擷取並報告為缺陷。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
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經由 AFM 的測量，SURFmonitor 產生的 Cu ECD 薄膜 顯示與表面粗糙度的絕佳關聯。SURFmonitor 訊號與 粗糙度之間的二次關係符合理論預測。
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產品新聞 HRP-350 具有生產能力的先進的 45 nm 半導體輪廓技術 隨著關鍵蝕刻和 CMP 製程的輪廓控制需求在每個元件世代中逐漸緊縮，顧客需要的單 一系統解決方案必須要能夠支援產量關鍵奈米規模的應用程式，以及晶圓上控制大規 模的拓樸。
HRP-350 的優點 擴展測量功能以支援 65 nm 及以 上的進階功能
HRP-350 是業界最先進的高解析度表面拓樸輪廓系統，提供晶片製造者監控大幅縮小 的橫向與縱向尺寸的能力。擁有菱形針尖細至 20nm 半徑以及提昇測量靈敏度的低雜 訊平台，HRP-350 系統可提供與 AFM 解析度匹配的奈米規模針尖技術 — 不需要建模
較小的針尖及改良雜訊效能提供 先進奈米規模功能（例如凹進） 的拓樸測量
的過程。系統的高解析度模式可允許準確控制直接影響元件效能的奈米規模特色的應 用，例如淺溝槽隔離、互連中的 CMP、金屬薄膜粗糙度和鎢插塞凹進。在較大規模的 功能方面，系統的長掃描模式可以高產能的方式測量 Cu CMP 淺碟化 (dishing) 及氧化
提供 33% 更嚴謹的測量儀器效 能，提供最嚴格的製程控制
層過蝕 (erosion)、銅電鍍、晶圓平整度和套件中的 C4 凸塊高度。提高的掃描速度可提
新穎的處理能力使得小型針尖
升 HRP-350 在關鍵電晶體及互連應用的廣泛範圍上的生產價值。
能夠以 5 倍的速度掃描，以支援 巨拓樸及微拓樸，而不需要更換
系統廣泛的採針組合（包括私有的 20nm UltraSharp™ 採針），是以菱形材料為基礎，
針尖
提供最長的運作壽命一般是 AFM 針尖的 100 倍。新的針尖開發加強技術的方法除了縮 小針尖之外，也提昇耐用性，比先前 HRP-340 系統的掃描速度快上五倍。其他系統生 產力提昇可提供最多 40% 的系統產能，同時可以數據表示先進的 65nm 與 45 nm 元件
提高多達 40% 的生產能力及更可 靠的隔離系統，提供最具生產價 值的表面度量解決方案
中的關鍵結構。除了 300mm HRP-350 系統以外，200mm 或更低的 HRP-250 也可以用 於 IC 半導體與磁碟機的製造應用。 有關於 HRP-350 掃描如何解決您的表面輪廓挑戰的問題嗎？請連絡 Petrie Yam，電子郵 件位址是 petrie.yam@kla-tencor.com。 Stylus Lifetime Step Height Measurement
Cursor Height (A)
-1030.0 -1040.0 -1050.0 -1060.0 -1070.0 -1080.0
特有的 20nm UltraSharpTM 菱形針尖及低雜訊平 台，可提供增強的橫向解析度。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
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>100k
菱形基礎的針尖可提供最長的運作壽命，一般而言是 AFM 針 尖的 100 倍。
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