Gerardo Fonthal Rivera

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CURRICULUM VITAE

A) DATOS PERSONALES NOMBRE: Gerardo Fonthal Rivera NACIONALIDAD: Colombiana LUGAR Y FECHA DE NACIMIENTO: Cartago ( Colombia ) 29 de Enero de 1950 CEDULA DE CIUDADANIA: 14.961.315 ESTADO CIVIL: Casado B) ESTUDIOS REALIZADOS 1- SECUNDARIA INSTITUTO POLITECNICO MUNICIPAL ( Cali-Colombia ) 1968 2- UNIVERSIDAD UNIVERSIDAD DEL VALLE ( Colombia ), 1974, Físico. 3- CURSOS DE POSTGRADO UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1989, Master en Ciencias Aplicadas ( Area Física ). UNIVERSIDAD DEL VALLE, 2001, Doctor en Ciencias Físicas 4-OTROS CURSOS UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1996, " Sistemas Físicos de Baja Dimensionalidad " Dr. N. Porras ( Universidad del Valle - Colombia ). UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1996, " Tecnología Epitaxial MOVPE de Crecimiento de Compuestos Semiconductores de la familia del grupo III-V" Dr. P. Cova ( UDO - Venezuela ). UNIVERSIDAD DE LOS ANDES, 1996, " Taller de Caracterización de Películas Delgadas" Varios Autores. UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1989, " Modelo de Hubbard en Superconductividad" Dr. R. Medina ( IVIC-Venezuela). UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1989," Modelo de Hubbard en Sistemas Metálicos" Dr. F. P. Marín ( UCU-Venezuela). UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1981, " Partículas Elementales" Dr. M. Barnhill ( Delaware University-USA) UNIVERSIDAD DEL ZULIA, 1979, " Física del Estado Sólido " Dr. J. Mycielsky ( Warzawa University-Polonia )


C) CARGOS DESEMPEÑADOS EXPERIENCIA DOCENTE: UNIVERSIDAD DEL QUINDÍO Investigador Instituto Interdisciplinario de las Ciencias 1999 UNIVERSIDAD DEL ZULIA Profesor Titular: 1993 – 2003 Profesor Asociado: 1991 - 1993 Profesor Agregado: 1982 - 1991 Profesor Asistente: 1978 - 1982 UNIVERSIDAD DEL VALLE Instructor: 1975 - 1978 UNIVERSIDAD SAN BUENAVENTURA Instructor a medio tiempo: 1974 - 1976 COLEGIO HEBREO " JORGE ISAACS " Profesor Contratado a tiempo completo: 1970 - 1975 CARGOS ADMINISTRATIVOS Director del Departamento de Física FEC - LUZ: 1994 - 1996 Coordinador de Tesis de la Licenciatura de Física: 1978 - 1988 y 1991 - 1994 Coordinador de Laboratorios de Física: 1978 - 1988 y 1991 - 1994 Coordinador de la Unidad Académica Electrónica: 1989 - 1994 y 1996 - 1998 Miembro de la División de Investigación de Ciencias: 1983 - 1988 Representante al CONDES por la Facultad de Ciencias: 1988 - 1989 Miembro del Consejo de la Facultad de Ciencias: 1983-1985, 1996 - 1998 Miembro del Grupo de Física Educacional ( Universidad del Valle ): 1976 - 1978

D) SOCIEDADES CIENTIFICAS Y PROFESIONALES ASOCIACION PARA EL AVANCE DE LA CIENCIA ( AsoVAC ) COLEGIO DE EGRESADOS EN CIENCIAS ASOCIACION DE PROFESORES DE LA UNIVERSIDAD DEL ZULIA ( APUZ ) E) PREMIOS RECIBIDOS Orden “Dr. Jesús Enrique Lossada” en segunda clase, UNIVERSIDAD DEL ZULIA (1997). Profesor Meritorio Nivel III en la Convocatoria Nacional de 1997, Venezuela. Investigador Nivel I en la Convocatoria del 2001-2003, PPI, Venezuela.


Premio “Joseph Edwald” Edición Especial 30 años de la FEC, como profesor más destacado de la Facultad de Ciencias en los 30 años desde su fundación, UNIVERSIDAD DEL ZULIA (2003). Investigador Nivel I en la Convocatoria del 2003-2005, PPI, Venezuela. Orden “Relámpago del Catatumbo” Unica clase, otorgado por la Gobernación del Estado Zulia (2004). Tercer lugar 2011 por el artículo: “Diseño e implementación de un prototipo no invasivo de medidor de agua para la Guadua angustifolia Kunth” , otorgado por la Revista Ciencias Técnicas Agropecuarias de Cuba, por su trascendencia y originalidad científica. (2011) F) CURSOS DICTADOS EN POSGRADOS EN LOS ULTIMOS 10 AÑOS Optica Física de Dispositivos Electrónicos Física de Dispositivos Optoelectrónicos Termodinámica Ciencia de los Materiales Física Estadística Estado Sólido II Física de Superficies Estructuras biológicas Materiales Compuestos y Cerámicos G) ASISTENCIA A CONGRESOS 1- G. FONTHAL Y R. MORILLO: " Influencia de la Temperatura en la fotoluminiscencia del GaP conteniendo pares Cd-S y Zn-S" XXXII Convensión de AsoVAC, 1982, Caracas - Venezuela. 2 - G. FONTHAL Y R. MORILLO: " Análisis de la fotoluminiscencia de GaP dopado con impurezas y su variación con la temperatura " I Jornadas de Investigación de la Facultad de Ciencias, 1983, Maracaibo Venezuela 3 - G. FONTHAL: " Programa para analizar curvas espectrales " III Jornadas de Investigación de la Facultad de Ciencias, 1987, Venezuela

Maracaibo -

4 - J. PRIMERA y G. FONTHAL: " Programa para el análisis de los datos del experimento de la gota de aceite de Millikan " XL Convención de AsoVAC, 1990, Caracas - Venezuela 5 - G. FONTHAL " Amortiguamiento por temperatura de la fotoluminiscencia del GaP dopado. Caso a) Coeficiente de captura del donador dependiente de la temperatura"


VI Jornadas de Investigación de la Facultad de Ciencias, 1993, Venezuela

Maracaibo -

6 - G. FONTHAL " Amortiguamiento por temperatura de la fotoluminiscencia del GaP dopado. Caso b) con despoblamiento térmico y trampas no radiativas " VI Jornadas de Investigación de la Facultad de Ciencias, 1993, Maracaibo Venezuela 7 - J. ESTEVEZ y G. FONTHAL " Estudio del corrimiento en energía de la fotoluminiscencia del GaP(S,Zn) y GaP(S,Cd) con la temperatura y la intensidad de excitación" XLIV Convención de AsoVAC, 1994, Coro - Venezuela 8 - J. ESTEVEZ y G. FONTHAL " Estudio del ancho a la mitad de la banda de la fotoluminiscencia del GaP(S,Zn) y GaP(S,Cd) con la temperatura y la intensidad de excitación" XILV Convensión de AsoVAC, 1994, Coro - Venezuela 9 - G. FONTHAL, M. PIRELA, J. MARTINEZ " Estudio de la variación térmica del coeficiente de captura de electrones libres usando varios modelos" VII Jornadas Científicas FEC,1996, Maracaibo - Venezuela 10 - J. MOROS, G. FONTHAL" Estudio de la intensidad de fotoluminiscencia de semiconductores dopados con los parámetros T 0 y T1/2 de la ecuación de Urbach" VII Jornadas Científicas FEC, 1996, Maracaibo - Venezuela 11 - J. MOROS, G. FONTHAL " Variación del ancho y el corrimiento en energía de la fotoluminicencia de semiconductores dopados con la energía de ionización" VII Jornadas Científicas FEC, 1996, Maracaibo - Venezuela 12 - G. FONTHAL, M. PIRELA, J. MARTINEZ " Estudio de la variación térmica del coeficiente de captura de electrones libres en niveles donadores de semiconductores usando varios modelos" XVII Congreso Colombiano de Física,1997, Medellín – Colombia. 13 - J. MOROS, G. FONTHAL " Corrimiento y ancho a la mitad de la banda de la fotoluminiscencia de pares donadores aceptores de semiconductores cristalinos con la ecuación de Urbach" XVII Congreso Colombiano de Física,1997, Medellín – Colombia. 14 - G. FONTHAL, M. J. STOCK, F. V. PEREZ, L. DURAN, T. SOLDOVIERI. J. MOROS, J. HERNANDEZ " Un nuevo curso de introducción a la Física en Venezuela" XVII Congreso Colombiano de Física,1997, Medellín – Colombia.


15 - G. FONTHAL, M. PIRELA “Un nuevo modelo para explicar el decaimiento térmico de la fotoluminiscencia en GaP(S,C) visto a través de la variación de la intensidad de las líneas de pares donadores-aceptores y excitones” I Congreso Venezolano de Física 1997, Mérida - Venezuela. 16 - G. FONTHAL, J. MOROS “Correlación entre la energía de percolación del “hopping”y el valor kTo de la ecuación de Urbach para varios semiconductores” I Congreso Venezolano de Física 1997, Mérida - Venezuela. 17 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Estudio de la fotoluminiscencia de una película epitaxial de GaAs:Sn con una concentracción de impureza cercana a la transición de Mott” III Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada 1998, Armenia – Colombia. 18 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Determinación de la brecha de energía del CdTe en finción de la temperatura” III Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada 1998, Armenia – Colombia. 19 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Determinación de líneas excitónicas en la fotoluminiscencia del CdTe monocristalino” III Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada 1998, Armenia – Colombia. 20 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Photoluminescence studies on Sn-doped GaAs epitaxial layers for impurity concentration near Mott transition” II Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba. 21 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Band gap determination of crystalline CdTe as a function of temperature” II Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba. 22 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Analysis of the exciton band in the photoluminescence spectra of CdTe single crystals” II Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba. 23 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Optical analysis of the Mott transition in Sn-doped GaAs epitaxial layers” 1999 Centennial Meeting of the American Physical Society 1999, Atlanta – USA.


24 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Variation of the CdTe band gap as a function of temperature” 1999 Centennial Meeting of the American Physical Society 1999, Atlanta – USA. 25 - G. FONTHAL, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Estudio de portadores calientes en capas epitaxiales de GaAs tipos p y n por medio de la espectroscopía de fotoluminiscencia” XVIII Congreso Nacional de Física 1999, Bogotá – Colombia. 26 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Deconvolución del espectro de fotoluminiscencia de películas de GaAs:Sn altamente dopadas” XVIII Congreso Nacional de Física 1999, Bogotá – Colombia. 27 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Análisis de la banda de 1.38 eV asociada a defectos en la fotoluminiscencia de películas de GaAs:Ge” XVIII Congreso Nacional de Física 1999, Bogotá – Colombia. 28 - - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Estudios de homogeneidad en la distribución de impurezas en muestras GaAs:Sn y GaAs:Ge” XVIII Congreso Nacional de Física 1999, Bogotá – Colombia. 29 - G. FONTHAL, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Study on hot carriers in p and n-type GaAs thin films by photoluminescence spectroscopy” XV Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 1999, Cartagena – Colombia. 30 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Deconvolution of the photoluminescence spectra in heavy doped GaAs:Sn thin films”. XV Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 1999, Cartagena – Colombia. 31 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Analysis of the 1.38 ev photoluminiscence band associated with defects in GaAs:Ge thin films”. XV Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 1999, Cartagena – Colombia. 32 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Inhomogenous distributibution of the impurity in samples of GaAs: Sn and GaAs: Ge observed by photoluminescence” ”. XV Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 1999, Cartagena – Colombia. 33 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA: “The hot carrier temperature and the Impurity Band in Kane´s Theory for Heavily Doped Semiconductor Photoluminescence Analyses” III Workshop on


Optoelectronic Materials and their Applications (Including Solar Cells), 2000, Oaxaca, México. 34 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA-CALDERON: “The hot carrier temperature in the analyses of the free to acceptor photoluminescence transition” III Workshop on Optoelectronic Materials and their Applications (Including Solar Cells), 2000, Oaxaca, México. 35 – J. J. PRIAS-BARRAGAN, J.I. MARIN-HURTADO, D. G. ESPINOSAARBELAEZ, G. FONTHAL y H. ARIZA-CALDERON: “Estudio del parámetro de ensanchamiento por fotorreflectancia en películas delgadas de GaAs:Ge” VII Encuentro Nacional de Optica, 2000, Armenia, Colombia. 36 - M. DE LOS RIOS, G. FONTHAL, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE y H. ARIZACALDERON: “Análisis de la transición fotoluminiscente (e,A) en muestras epitaxiales de GaAs:Ge” VII Encuentro Nacional de Optica, 2000, Armenia, Colombia. 37 – J. REYES, G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON: “Banda de defectos en 1.35 eV en la fotoluminiscencia de películas epitaxiales de GaAs:Sn” VII Encuentro Nacional de Optica, 2000, Armenia, Colombia. 38 - L. E. TOBON, G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE y H. ARIZA-CALDERON: “ Análisis de las colas de bandas en los espectros de fotoluminiscencia de GaAs:Sn altamente dopados” VII Encuentro Nacional de Optica, 2000, Armenia, Colombia. 39 - J. J. PRIAS-BARRAGAN, J. I. MARIN-HURTADO, D. G. ESPINOSAARBELAEZ, G. FONTHAL y H. ARIZA-CALDERON: “Análisis de la incorporación de impurezas de Ge en películas delgadas de GaAs por medio de fotorreflectancia a baja temperatura” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 40 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE y H. ARIZACALDERON: “Nuevo modelo para el análisis de la transición fotoluminiscente (e,A)” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 41 - J. I. MARIN-HURTADO, J. J. PRIAS-BARRAGAN, G. FONTHAL y H. ARIZACALDERON: “ Fotorreflectancia a baja temperatura de películas delgadas de GaAs altamente dopadas con Sn” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 42 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, N. PIRAQUIVE y H. ARIZA-CALDERON: “ Análisis de los espectros de fotoluminiscencia para muestras epitaxiales de GaAs:Sn altamente dopadas” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia.


43 - J. QUINTERO, C. NUÑEZ, G. FONTHAL y H. ARIZA-CALDERON: “ Caracterización por espectroscopía de fotoluminiscencia de películas epitaxiales de GaAs y GaAs:Te atacadas químicamente” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 44 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, M. DE LOS RIOS, y H. ARIZA-CALDERON: “Estudio de los excitones ligados en películas epitaxiales de Al0.5Ga0.5As:Sn en función de la concentración de la impureza y la temperatura” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 45 - G. FONTHAL, J. REYES, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON: “Análisis de defectos en películas epitaxiales de GaAs:Sn en función de la concentración de la impureza” IV Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2000, Bucaramanga, Colombia. 46 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON y J. MENDOZA-ALVAREZ: “Dependence of the donor ionization energy and band tail on the impurity concentration and Al content in Al xGa1-xAs:Sn epitaxial layers” X Latin American Congress on Surface Science and Applications, 2001, San José de Costa Rica, Costa Rica. 47- G. FONTHAL, L. E. TOBON, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON y J. MENDOZA-ALVAREZ: “Band tail analysis and its doping dependence in the photoluminescence spectra of p-type GaAs:Ge epitaxial layers”, X Latin American Congress on Surface Science and Applications 2001, San José de Costa Rica, Costa Rica. 48 - G. FONTHAL, J. QUINTERO, M. DE LOS RIOS, N. PIRAQUIVE, H. ARIZACALDERON y J. MENDOZA-ALVAREZ: “LO-phonon participation in the thermalization of hot carriers in n- and p-type GaAs epitaxial layers”, X Latin American Congress on Surface Science and Applications 2001, San José de Costa Rica, Costa Rica. 49 - D. G. ESPINOSA-ARBELÁEZ, J. I. MARÍN-HURTADO, J. J. PRIASBARRAGÁN, G. FONTHAL1, J.G. MENDOZA-ALVAREZ2 Y H. ARIZACALDERÓN: ”Low temperature photoreflectance analysis of an aging process in GaAs:Ge semiconductor epitaxial layers” X Latin American Congress on Surface Science and Applications 2001, San José de Costa Rica, Costa Rica. 50 - J. J. PRIAS-BARRAGÁN, J. I. MARÍN-HURTADO, D. G. ESPINOSAARBELÁEZ, G. FONTHAL1, J.G. MENDOZA-ALVAREZ2 Y H. ARIZA-CALDERÓN: ”Modeling of the dependence of the scattering processes with temperature through GaAs:Ge photoreflectance spectra” X Latin American Congress on Surface Science and Applications 2001, San José de Costa Rica, Costa Rica.


51 - J. REYES , G. FONTHAL , N. PIRAQUIVE H. ARIZA-CALDERÓN Y J. G. MENDOZA-ALVAREZ: “Análisis de los defectos ocasionados por la introducción de Al e impurezas Ge y Sn en películas epitaxiales de AlGaAs XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 52 - J. QUINTERO, G. FONTHAL, M. DE LOS RÍOS, N. PIRAQUIVE , H. ARIZACALDERÓN y J. G. MENDOZA-ALVAREZ: “ Participación del fonón LO en la relajación térmica de portadores calientes de capas epitaxiales de GaAs tipo p y n” XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 53 L. E TOBÓN, G. FONTHAL, M. DE LOS RÍOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERÓN y J. G. MENDOZA-ALVAREZ : “Análisis de la cola de banda y su dependencia con la concentración en espectros de fotoluminiscencia en películas de GaAs:Ge” XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 54 - M. DE LOS RÍOS, G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE , H. ARIZA-CALDERÓN y J. G. MENDOZA-ALVAREZ: “Dependencia de la energía del donador y la cola de banda con la concentración de la impureza y la fracción molar del Al en películas de AlxGa1-xAs:Sn” XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 55 - N. PIRAQUIVE , G. FONTHAL, J. REYES H. ARIZA-CALDERÓN Y J. G. MENDOZA-ALVAREZ: “Estudio de los espectros de fotoluminiscencia de Al0.5Ga0.5As:Sn y su dependencia con la concentración de la impureza”, XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 56 - J. I. MARÍN-HURTADO, D. G. ESPINOSA-ARBELÁEZ, J. J. PRIASBARRAGÁN, G. FONTHAL Y H. ARIZA-CALDERÓN:” Caracterización óptica de películas delgadas de AlxGa1-xAs dopadas con Sn para x en el régimen indirecto”, XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 57 - D. G. ESPINOSA-ARBELÁEZ, J. I. MARÍN-HURTADO, J. J. PRIASBARRAGÁN, G. FONTHAL y H. ARIZA-CALDERÓN: “Estudio del campo eléctrico intrínseco de una película semiconductora GaAs:Ge almacenada por largo tiempo y tratada posteriormente con ataques químicos” XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 58 - J. J. PRIAS-BARRAGÁN, J. I. MARÍN-HURTADO, D. G. ESPINOSAARBELÁEZ, G. FONTHAL Y H. ARIZA-CALDERÓN “Relación entre la dispersión excitón portador libre y el ensanchamiento de los espectros de fotorreflectancia”, XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 59 - J. I. MARÍN-HURTADO, J. J. PRIAS-BARRAGÁN, D. G. ESPINOSAARBELÁEZ, G. FONTHAL y H. ARIZA-CALDERÓN: “Comportamiento anómalo de la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental


del GaAs:Sn determinada por medio de fotorreflectancia” XIX Congreso Nacional de Física , 2001, Manizales, Colombia 60 - J. REYES, G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON: “Formacion de complejos, vacancia-impureza en muestras envejecidas de AlxGa1-xAs y su estudio por fotoluminiscencia”. VIII Encuentro Nacional de Optica, 2002, Popayán, Colombia. 61 - G. FONTHAL, M. DE LOS RÍOS, L. E TOBÓN, PIRAQUIVE y H. ARIZACALDERÓN: “Colas de banda en espectros de fotoluminiscencia en películas de AlxGa1-xAs:Sn y su dependencia con la concentración del Sn y el Al”. VIII Encuentro Nacional de Optica, 2002, Popayán, Colombia. 62 - M. DE LOS RÍOS, G. FONTHAL, PIRAQUIVE y H. ARIZA-CALDERÓN: “Estudio de la energia de ionizacion del donador Sn en funcion de la fraccion molar del Al en AlxGa1-xAs”. VIII Encuentro Nacional de Optica, 2002, Popayán, Colombia 63 - J. J. PRIAS-BARRAGÁN, G. FONTHAL J. I. MARÍN-HURTADO, J. REYES, N. PIRAQUIVE, Y H. ARIZA-CALDERÓN “Influencia de la oxidacion en la formacion de trampas profundas en muestras epitaxiales de GaAs:Sn” VIII Encuentro Nacional de Optica, 2002, Popayán, Colombia 64 - J. REYES, G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON: “Estudio por fotoluminiscencia de trampas profundas en muestras envejecidas de Al xGa1xAs para x  0.5 y dopadas con Ge y Sn” XVI Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 2002, Mérida – Venezuela. 6 - M. DE LOS RÍOS, G. FONTHAL, PIRAQUIVE y H. ARIZA-CALDERÓN: “Determinacion de la energia de ionizacion del donador Sn en Al xGa1-xAs y su dependencia con la fraccion molar del Al”. XVI Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 2002, Mérida – Venezuela. 66 - G. FONTHAL, J. J. PRIAS-BARRAGÁN, J. I. MARÍN-HURTADO, J. REYES, N. PIRAQUIVE, Y H. ARIZA-CALDERÓN “Análisis de la trampa profunda creada por envejecimiento de muestras epitaxiales de GaAs:Sn” XVI Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 2002, Mérida – Venezuela. 67 - L. E TOBÓN, G. FONTHAL, M. DE LOS RÍOS, PIRAQUIVE y H. ARIZACALDERÓN: “Colas de banda anómalas y su dependencia con la concentración del Sn y el Al en espectros de fotoluminiscencia en películas de AlxGa1-xAs:Sn”. XVI Latin American Simposium on Solid Stste Physics, 2002, Mérida – Venezuela. 68 - M. DE LOS RÍOS, G. FONTHAL, L. TIRADO-MEJÍA, C.A. CÁRDENAS, J. SEGURA, H. ARIZA-CALDERÓN: “Fotoluminiscencia de Películas


Semiconductoras de Ga1-XInXAsYSb1-Y crecidas por Epitaxia en Fase Líquida”. VI Escuela Nacional de Física de Materia Condensada, 27-29 de octubre de 2004, Medellín, Colombia. 69 - A. AGUDELO, G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS y H. ARIZA-CALDERÓN: “Estudio de defectos profundos en el AlXGa1-XAs por la técnica de fotoluminiscencia. XXI Congreso Nacional de Física, 24-28 de octubre de 2005, Barranquilla, Colombia. 70 - R. BERTEL, G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, A. AGUDELO y H. ARIZACALDERÓN: “Determinación del ensanchamiento inhomogéneo de los espectros de fotoluminiscencia de pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs”. XXI Congreso Nacional de Física, 24-28 de octubre de 2005, Barranquilla, Colombia. 71 - L. TIRADO-MEJIA, J. OSORIO, J. SEGURA, C. ORTIZ, N.J. GUTIERREZ, M. DE LOS RIOS, G. FONTHAL, H. ARIZA CALDERON: “Dependencia de la respuesta óptica con el decapado químico de películas de Ga 1-XInXAsYSb1-Y. XXI Congreso Nacional de Física, 24-28 de octubre de 2005, Barranquilla, Colombia. 72 - D. G. ESPINOSA-ARBELÁEZ, J. J. PRÍAS, G. A. ÁLVAREZ, L. TORRES, G. FONTHAL, H. ARIZA-CALDERON: “Dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental en muestras GaInAsSb determinada por fotorreflectancia” XXI Congreso Nacional de Física , 2005, Barranquilla, Colombia. 73 - J. OSORIO, L. TIRADO-MEJÍA, J. SEGURA, C.ORTIZ, M.- DE LOS RÍOS,G. FONTHAL, H. ARIZA-CALDERÓN: “Dependencia de la respuesta óptica con el decapado químico de películas de Ga1-xInxAsySb1-y” XXI Congreso Nacional de Física , 2005, Barranquilla, Colombia. 74 - J. J. PRÍAS, D. G. ESPINOSA-ARBELÁEZ, G. A. ÁLVAREZ, G. FONTHAL, L. TIRADO-MEJÍA, H. ARÍZA-CALDERÓN: “Estudio de la variación espacial de los espectros de fotorreflectancia en GaInAsSb/GaSb” XXI Congreso Nacional de Física , 2005, Barranquilla, Colombia. 75 – M. Saavedra, G. D. Gómez y G. Fonthal: Conformación y creación del Semillero de la Guadua, III Simposio Latinoamericano del Bambú, 26 al 29 de Abril del 2006, Guayaquil, Ecuador 76 - L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, M. de los Ríos, C. Ortíz, M. Saavedra y H. ArizaCalderón: “Respuesta óptica de substratos de GaSb dopados con Te y no dopados” VII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2006, Tunja Colombia 77 – R. Bertel, G. Fonthal, M. De los Ríos, F. Racedo , S. Zambrano y H. ArizaCalderón: “Determinación del Ensanchamiento Inhomogéneo en Pozos Cuánticos


de InGaAs/InAlAs por Fotoluminiscencia”. VII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 2006, Tunja Colombia 78 - J. Prías-Barragán, W. A. Cadavid, D. G. Espinosa-Arbeláez, L. Torres, H. Ariza Calderón y G. Fonthal. “Comparación Entre los Espectros de Fotorreflectancia Convencional y Excitación por Fotorreflectancia en Dos Muestras Opacas.” XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES06). 20 al 24 de Noviembre de 2006. Puebla, México. 79 - L. Tirado-Mejía, J. J. Prías-Barragán, G. Fonthal, W. A. Cadavid, D. G. Espinosa-Arbeláez, L. Torres y H. Ariza Calderón. Estudio de las Propiedades Ópticas en GaAs y GaSb usando las técnicas de Fotorreflectancia y de Excitación por Fotorreflectancia. VII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. 23 al 27 de Octubre de 2006. Tunja, Colombia. 80 - C. A. Botero, J. J. Prías-Barragán, D. G. Espinosa-Arbeláez, M. de los Ríos, C. A. Ortiz, G. Fonthal, L. Tirado-Mejía y H. Ariza Calderón. Análisis por Fotoluminiscencia y Fotorreflectancia en Perfil de Profundidad de Películas Epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y. VII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. 23 al 27 de Octubre de 2006. Tunja, Colombia. 81 – C. Herrera, M. Saavedra y G. Fonthal: Cuantificación de Sílice en el follaje de la Guadua angustifolia Kunth, III Simposio de Química Aplicada, 11 al 14 de Septiembre del 2007, Armenia, Colombia. 82 - M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal y H. Ariza-Calderón: Influencia del tiempo de crecimiento en la respuesta óptica de películas epitaxiales de GaInAsSb, XXII Congreso Nacional de Física, 22 al 26 de Octubre del 2007, Ibagué, Colombia. 83 - R. Bertel, G. Fonthal, M. de los Ríos, F. Racedo, S. Zambrano, H. ArizaCalderón: Asimetría espectral en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por fotoluminiscencia a diferentes temperaturas, XXII Congreso Nacional de Física, 22 al 26 de octubre del 2007, Ibagué, Colombia 84 - S. E. Zambrano, G. Fonthal, J. J. Prías-Barragán, D. G. Espinosa-Arbeláez, F. Racedo y H. Ariza-Calderón: Análisis por fotorreflectancia en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs usando formas de líneas asimétricas, XXII Congreso Nacional de Física, 22 al 26 de Octubre del 2007, Ibagué, Colombia 85 - M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón: Influence of the growth time on the optical response of GaInAsSb films, XIII CLACSA, 3 al 7 de Diciembre del 2007, Santa Marta; Colombia. 86 - R. Sánchez-Cano, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, N. Porras –Montenegro, H. Ariza-Calderón: Study of Optical Transitions in Spherical GaSb-Ga1-x Inx Asy Sb1-y


Quantum Dots, XIII CLACSA, 3 al 7 de Diciembre del 2007, Santa Marta; Colombia. 87 – D. M. Cortéz, G. Fonthal, M. De los Ríos y H. Ariza-Calderón: ESTUDIO POR FOTOLUMINISCENCIA DEL EFECTO DE LA IMPURIFICACIÓN EN LA FORMACIÓN DE DEFECTOS PARA EL GaAs DOPADO” VIII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 22 al 26 de Septiembre del 2008, Pereira, Colombia 88 - D. M. Cortéz, G. Fonthal, M. De los Ríos y H. Ariza-Calderón: “INFLUENCIA DE LA IMPURIFICACIÓN EN LA ENERGÍA DE ACTIVACIÓN TÉRMICA DE DEFECTOS PROFUNDOS PARA EL GaAs:Ge TIPO P” VIII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 22 al 26 de Septiembre del 2008, Pereira, Colombia 89 – A. Agudelo, G. Fonthal, M. De los Ríos y H. Ariza-Calderón: “INFLUENCIA DE LA INTRODUCCIÓN DEL Al SOBRE LA RESPUESTA ÓPTICA EN EL INFRARROJO CERCANO DE DEFECTOS EN EL AlXGa1-XAs” VIII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 22 al 26 de Septiembre del 2008, Pereira, Colombia 90 - M. De los Ríos, J. F. Gómez, L. Tirado, G. Fonthal, y H. Ariza-Calderón: “ANÁLISIS DE LA ESTEQUIOMETRÍA EN EL CRECIMIENTO DE PELÍCULAS EPI-TAXIALES DE GaInAsSb CRECIDAS POR EFL” VIII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 22 al 26 de Septiembre del 2008, Pereira, Colombia 91 – R. Sánchez, N. Porras, L. Tirado, G. Fonthal, y H. Ariza-Calderón: “EXCITONES EN PUNTOS CUÁNTICOS ESFÉRICOS TIPO-I EN Ga1-xIn xAsySb1y /GaSb FABRICADOS POR EFL” VIII Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada, 22 al 26 de Septiembre del 2008, Pereira, Colombia 92 - M de los Ríos, J F Gómez, L Tirado-Mejía, G Fonthal, H Ariza-Calderón: “Dependence of the molar fraction with the growth time of GaInAsSb films” XIX Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES08), 5 al 10 de Octubre del 2008, Puerto Iguazú, Argentina. 93 - R. Sánchez, N. Porras, L. Tirado, G. Fonthal, y H. Ariza-Calderón: “Optical response on confined excitons in quamtum dots on GaInAsSb/GaSb heterostructures” XIX Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES08), 5 al 10 de Octubre del 2008, Puerto Iguazú, Argentina. 94. M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, J. F. Gómez, N. Piraquive, H. Ariza-Calderón. “Respuesta óptica de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas sobre sustratos de GaSb sin dopar, GaSb:Si y GaSb:Te”. XXIII Congreso Nacional de Física. Santa Marta, 5 al 9 de octubre de 2009. Página 107


95. M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, J. F. Gómez, N. Piraquive, H. Ariza-Calderón. “Efecto del dopamiento del sustrato en la respuesta óptica por fotoluminiscencia de películas de GaInAsSb”. XXIII Congreso Nacional de Física. Santa Marta, 5 al 9 de octubre de 2009. Página 107 96 L. Tirado-Mejía, J. J. Prías-Barragán, J. F. Gómez, A. P. Cardona, M. de los Ríos, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. “Fabricación y caracterización estructural y óptica de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb”. V Congreso Internacional de Materiales. Cali - Colombia, 12 al 16 de octubre de 2009. Página 91 97. L. Tirado-Mejía, J. J. Prías-Barragán, J. F. Gómez, A. P. Cardona, M. de los Ríos, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. Crecimiento y caracterización estructural y óptica de películas epitaxiales de GaSb/GaSb. V Congreso Internacional de Materiales. Cali - Colombia, 12 al 16 de octubre de 2009. Página 90 98. J. J. Prías-Barragán,Angela Patricia Muñoz G., Diana Macías, G. Fonthal y H. Ariza-Calderón. “Implementación del método de Fitch para la medición de la conductividad térmica de la guadua angustifolia Kunth” I Congreso internacional de la guadua, otros bambúes y fibras naturales. 24 al 28 de Noviembre del 2009. Armenia, Colombia. 99. J. J. Prías-Barragán,Angela Patricia Muñoz G., Diana Macías, G. Fonthal y H. Ariza-Calderón. “Implementación del método de Fitch para la medición de la conductividad térmica de la guadua angustifolia Kunth” I Congreso internacional de la guadua, otros bambúes y fibras naturales. 24 al 28 de Noviembre del 2009. Armenia, Colombia. 100. M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, J. Vidal-González, G. Fonthal, H. ArizaCalderón. “Análisis de la respuesta óptica por fotoluminiscencia en películas de GaInAsSb sobre sustratos de GaSb, GaSb:Si y GaSb:Te”. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 101. L. Tirado-Mejía, J. J. Prías- Barragán, J. F. Gómez, M. de los Ríos, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. “Identificación de una fase ternaria en películas de GaInAsSb” IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 102. M. de los Ríos, J. F. Gómez, L. Tirado – Mejía, J. J. Prías-Barragán, G. Fonthal, H. Ariza – Calderón. “Discusión de la influencia del dopante en la respuesta óptica del GaSb”. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia.


102. Narly Andrea Echeverry, A. Rojas González, J. J. Prías Barragán, J. F. Gómez, Angela Muñoz, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. “Obtención de carbón activado a partir del precursor guadua Angustifolia Kunth”. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 104. A. Rojas González, Narly Andrea Echeverry, J. J. Prías Barragán, C. Arturo Agudelo, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. “Influencia de los biotipos precursores de guadua Angustifolia Kunth en la adsorción del carbón activado”. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 105. S. E. Zambrano, J. J. Prías Barragán, R. Bertel, G. Fonthal, H. ArizaCalderón. “Determinación indirecta de los tiempos de vida media en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por medio de la técnica de fotorreflectancia. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 106. Angela Muñoz, Narly Andrea Echeverry, J. J. Prías Barragán, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón. “Propiedades térmicas en carbón vegetal y carbón activado”. IX Escuela Nacional de Física de la Materia Condensada. Ibagué, Universidad del Tolima. 6-8 de octubre de 2010. Colombia. 107. SANTIAGO ECHEVERRI ARTEAGA, LILIANA TIRADO, MARIANELA DE LOS RIOS LONDONO, GERARDO FONTHAL RIVERA, HERNANDO ARIZA CALDERON, "Evolución Temporal de la Respuesta Fotoluminiscente de Películas de GaInAsSb" XXIV Congreso Nacional de Física.Bogotá, Universidad Nacional, 3 al 7 de Octubre del 2011. Colombia. 108. JORGE LUIS PERILLA, LILIANA DEL SOCORRO TIRADO MEJIA, MARIANELA DE LOS RIOS LONDONO, GERARDO FONTHAL RIVERA, HERNANDO ARIZA CALDERON, "ANÁLISIS POR FOTOLUMINISCENCIA DE HETEROESTRUCTURAS DE GaSb/GaInAsSb/GaSb CRECIDAS POR EPITAXIA EN FASE LÍQUIDA AL VARIAR LA RAMPA DE ENFRIAMIENTO" XXIV Congreso Nacional de Física.Bogotá, Universidad Nacional, 3 al 7 de Octubre del 2011. Colombia. 109. LILIANA TIRADO, MANUEL RIOS OLAYA, MARIANELA DE LOS RIOS LONDONO, GERARDO FONTHAL RIVERA, HERNANDO ARIZA CALDERON, "ANÁLISIS DE LA RESPUESTA FOTOLUMINISCENTE DE PELÍCULAS EPITAXIALES DE GaInAsSb SOMETIDAS A TRATAMIENTO TÉRMICO" XXIV Congreso Nacional de Física.Bogotá, Universidad Nacional, 3 al 7 de Octubre del 2011. Colombia. 110. RAMON BERTEL, S ZAMBRANO, JHON JAIRO PRIAS BARRAGAN, GERARDO FONTHAL RIVERA, HERNANDO ARIZA CALDERON, "ESTUDIO


POR FOTOLUMINISCENCIA DE LOS TIEMPOS DE RECOMBINACIÓN DE PORTADORES COFINADOS EN POZOS CUÁNTICOS DE InGaAs/InAlAs” XXIV Congreso Nacional de Física.Bogotá, Universidad Nacional, 3 al 7 de Octubre del 2011. Colombia.

H) PUBLICACIONES 1- MONOGRAFIAS 1 - G. FONTHAL Y J. GARAVITO: " Física experimental I-Programa de Profesionalización Docente " Editorial Univalle Cali 1975. 2 - G. FONTHAL: " Ondas y física Moderna - Programa de Profesionalización Docente" Editorial Univalle, Cali 1976. 3 - G. FONTHAL: " Análisis de fotoemisión en GaP dopado" Monografía para ascender a la categoría de Profesor Agregado, 1984. 4 - G. FONTHAL: " Efectos de temperatura en semiconductores cristalinos" Tesis de Maestría en Ciencias Aplicadas, 1986. 5 - G. FONTHAL: " Estudio del apagamiento térmico en GaP dopado usando curvas de Bidemann-Unger" Monografía para ascender a la categoría de Profesor Asociado, 1991. 6 - G. FONTHAL: " Influencia del coeficiente de captura de electrones en niveles donadores sobre el apagamiento térmico de la fotoluminiscencia del GaP(S,Cd) y GaP(S,Zn)" Monografía para ascender a la categoría de Profesor Titular, 1993. 2-REVISTAS 1 - G. FONTHAL y R. MORILLO: " Fotoluminiscencia en GaP(S,Cd) y GaP(S,Zn). efectos de Temperatura" Revista Ciencias LUZ 2,17-21,1984. 2 - G. FONTHAL: " Dependencia con la temperatura del ancho a la mitad de la banda de fotoluminiscencia y sus réplicas fonónicas para el GaP dopado con (S,Cd) y (S,Zn)" CIENCIA 1(2), 83-92, (1993). 3 - G. FONTHAL: " Análisis del espectro fotoluminiscente del GaP(S,Cd) y GaP(S,Zn) usando gaussianas asimétricas" CIENCIA 1(1), 35-46, (1993).


4 - G. FONTHAL: " Influencia del coeficiente de captura de electrones libres en el apagamiento por temperatura de la fotoluminiscencia en GaP(S,Cd) y GaP(S,Zn)" CIENCIA 1(2),83-92, (1993) 5 - J. ESTEVEZ y G. FONTHAL: " Estudio del corrimiento en energía de la fotoluminiscencia del GaP tipo n con la temperatura y la intensidad de excitación" CIENCIA 3(1), 17-23, (1995). 6 - J. ESTEVEZ y G. FONTHAL: " Estudio del ancho a la mitad de la banda de la fotoluminiscencia del GaP tipo n con la temperatura y la intensidad de excitación " CIENCIA 3(2),101-108, (1995) 7 - G. FONTHAL, M. PIRELA, J. MARTINEZ " Un nuevo modelo sobre la captura de electrones en donadores poco profundos en Ge y Si a bajas temperaturas" CIENCIA 5(2),151-158, (1997) 8 - G. FONTHAL, M. PIRELA " Estudio de la variación térmica del coeficiente de captura de electrones libres en niveles donadores de semiconductores usando varios modelos" Revista Colombiana de Física 30 (1), 137–140 (1998). 9 - J. MOROS, G. FONTHAL " Corrimiento y ancho a la mitad de la banda de la fotoluminiscencia de pares donadores aceptores de semiconductores cristalinos con la ecuación de Urbach" Revista Colombiana de Física 30 (1), 133–136 (1998). 10 - G. FONTHAL, M. J. STOCK, F. V. PEREZ, L. DURAN, T. SOLDOVIERI. J. MOROS, J. HERNANDEZ "A new universitary introductory physics course in Venezuela“ Revista Mexicana de Física 44 (3) , 1219 – 1222 (1998). 11 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA, J. MENDOZA “Photoluminescence studies on Sn-doped GaAs epitaxial layers for impurity concentration near Mott transition” Procceding of II International Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba, p 219, Ed. EDIZIONE ETS, 1999. 12 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Band gap determination of crystalline CdTe as a function of temperature” Procceding of II International Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba, p 157, Ed. EDIZIONE ETS, 1999. 13 - G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Analysis of the exciton band in the photoluminescence spectra of CdTe single crystals” Procceding of II


International Workshop on optoelectronic materials and their applications (including solar cells) 1998, Habana – Cuba, p 160, Ed. EDIZIONE ETS, 1999. 14 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA. "Deconvolution of the photoluminescence spectra in heavy doped GaAs:Sn thin films” Revista Colombiana de Física, 31, 209 –213 (1999) 15 -- G. FONTHAL, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA-CALDERON, J. MENDOZA-ALVAREZ: “Estudio de portadores calientes en capas epitaxiales de GaAs tipo p y n por medio de la espectroscopía de fotoluminiscencia” Revista Colombiana de Física, 31, 204 –208 (1999) 16 -- G. FONTHAL, L. TIRADO, H. ARIZA, J. MENDOZA “Band gap determination of crystalline CdTe as a function of temperature” Journal of Physics and Chemistry of Solids 61, 579- 583 (2000). 17 – R. CADENAS, F. V. PEREZ, G. FONTHAL, L. DURAN, R. PALMAR “ Crecimiento, caracterización y estudio comparativo del sistema de aleaciones CuGaxIn1-xSe2” Revista Mejicana de Física,46, 1972-1975 (2000). 18 - G. FONTHAL, J. MOROS: “Correlación entre la profundidad de las colas de bandas y la energía de percolación de la conductividad por impurezas en semiconductores tipo n y ligeramente compensados” Revista Mejicana de Física 46, 2085 – 2088 (2000). 19 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE y H. ARIZACALDERON y J. MENDOZA-ALVAREZ. “Análisis de la banda de 1.38 eV asociado a los defectos en la fotoluminiscencia de películas de GaAs:Ge”. Revista Colombiana de Física” 32, 104 – 108 (2000). 20 - G. FONTHAL, L. E. TOBON, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA: “The hot carrier temperature and the Impurity Band in Kane´s Theory for Heavily Doped Semiconductor Photoluminescence Analyses” : Mod. Phys- Lett. B 15 ,573578 (2001) 21 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA-CALDERON: “The hot carrier temperature in the analyses of the free to acceptor photoluminescence transition” Mod. Phys- Lett. B 15 ,714-718 (2001) 22 - G. FONTHAL, N. PIRAQUIVE, H. ARIZA. " Metal - insulator studies by photoluminescence on Sn- doped GaAs epitaxial layers" Revista Colombiana de Física, 34, 393,397 (2002). 23 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, J. QUINTERO, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA-CALDERON: “Participaciòn del fonón LO en la relajación térmica de


portadores calientes de capas epitaxiales de GaAs tipo p y n a bajas temperaturas” Revista Colombiana de Física, 34, 469-473 (2002). 24 - G. FONTHAL, M. DE LOS RIOS, N. PIRAQUIVE and H. ARIZA-CALDERON: “Determinación de la energía de ionización del donador Sn en Al xGa1-xAs y su dependencia con la fracción molar del Al” Revista Colombiana de Física, 34, 398405 (2002). 25 – D. G. ESPINOZA, J. I. MARIN, J. J. PRIAS, G. FONTHAL, and H. ARIZACALDERON: “Estudio Del campo eléctrico intrínseco de una película semiconductora de GaAs:Ge almacenada por largo tiempo y tratada posteriormente con ataques químicos” Revista Colombiana de Física, 34, 406-409 (2002). 26 – J. I. MARIN-HURTADO, J. J. PRIAS-BARRAGAN, D. G. ESPINOZAARBELAEZ, G. FONTHAL, and H. ARIZA-CALDERON: “Comportamiento anómalo de la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental del GaAs:Sn determinado por medio de la fotorreflectancia” Revista Colombiana de Física, 34, 357-361(2002). 27 - J. J. PRIAS-BARRAGAN, J. I. MARIN-HURTADO, D. G. ESPINOZAARBELAEZ, G. FONTHAL, and H. ARIZA-CALDERON: “Análisis de los procesos dispersivos con la temperatura de espectros de fotorreflectancia de GaAs:Ge” Revista Colombiana de Física, 34, 351-356(2002). 28 - L. DURAN-FLOREZ and G. FONTHAL: “ Estudio de la cola de Urbach en semiconductores cristalinos de brecha indirecta” Revista Técnica de Ingeniería, 26, 3-9 (2003). 29 - DE LOS RÍOS, G. FONTHAL, L. TIRADO-MEJÍA, C.A.. CÁRDENAS, J. SEGURA Y H. ARIZA-CALDERÓN: “Fotoluminiscencia de películas semiconductoras de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas por epitaxia en fase líquida” Revista Colombiana de Física, 37, 67-70 (2005). 30 D. G. Espinosa, J. J. Prías, G. A. Álvarez, L. Torres, G. Fonthal y H. Ariza “Comportamiento anómalo de la dependencia con la temperatura de la energía de la transición fundamental del GaAs:Sn determinada por medio de Fotorreflectancia. Revista Colombiana de Física. 38 p 125 128 (2006).

31 L. Tirado-Mejía, J. Segura, J. Osorio, C. Ortiz, N. Gutiérrez, M. De Los Ríos, G. Fonthal y H. Ariza “Dependencia de la respuesta óptica con el decapado químico de peliculas de Ga1-xInxAsySb1-y” Revista Colombiana de Física. 38 p 69-72 (2006).


32 Tirado-Mejía, G. Fonthal M. de los Ríos, M. Saavedra y H. Ariza-Calderón: “Respuesta óptica de sustratos de GaSb dopados con Te y no dopados” Revista Colombiana de Física, 39, 297-300 (2007)

33 Bertel, ,G. Fonthal, M. De los Ríos, F. Racedo, S. Zambrano y H. ArizaCalderón: “Determinación del ensanchamiento inhomogéneo en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por fotoluminiscencia” Revista Colombiana de Física, 39, 151154 (2007) 34 S. E. Zambrano, , J. J. Prías Barragán, D. G. Espinosa Arbeláez, F. Racedo Niebles, G. Fonthal, R. Bertel Palencia y H. Ariza Calderón: “Análisis por Fotorreflectancia en Pozos Cuánticos de InGaAs/InAlAs Usando Formas de Líneas Asimétricas” Revista Colombiana de Física, 40, 271-274 (2008) 35 L. Tirado-Mejía, M. De los Ríos, J. A. Peñafiel, G. Fonthal, J. A. Villada, M. E. Rodríguez-García: “Optical and Structural Characterization of GaSb and Te-doped GaSb Single Crystals” Physica B 403, 4027-4032 (2008). 36 R. Sánchez-Cano, L. Tirado-Mejía, G. Fonthal, H. Ariza-Calderón, and N. Porras-Montenegro: “Exciton recombination energy in spherical quantum dots on Ga1−xInxAsySb1−y/GaSb grown by liquid-phase epitaxy” J. Appl. Physics 104, 113706-113709 (2008). 37. M. DE LOS RÍOS, L. TIRADO-MEJÍA, G. FONTHAL, H. ARIZA-

CALDERÓN. “Influencia del Tiempo de Crecimiento en la Respuesta óptica de películas epitaxiales de GaInAsSb”. Rev. Col. Fis. Vol 41 No. 2 (2009), 372-374. 38. R. BERTEL, G. FONTHAL, M. DE LOS RÍOS, F. RACEDO, S.

ZAMBRANO, H. ARIZA CALDERÓN. “Asimetría espectral en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por Fotoluminiscencia a diferentes temperaturas. Rev. Col. Fís. Vol. 41 No 2 (2009), 368-371. 39. C. Herrera-Giraldo, M. Gómez Barrera, M. Saavedra Hernández, G. Fonthal, V. E. Gionzález Ceballos y H. Ariza-Calderón: “Cuantificación de Sílice presente en el follaje de guadua angustifolia del departamento del Quindío” Revista de Investigaciones Universidad del Quindío 19, 14-17 (2009) 40. S. E. Zambrano, R. Bertel , J. J. Prías-Barragán, G. Fonthal, y H. Ariza Calderón: “Estudio de los procesos dispersivos en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs por medio de la técnica de fotorreflectancia y fotoluminiscencia”” Revista Colombiana de Física, 42, 823-817 (2010)


41. L. Tirado-Mejía, J. J. Prías-Barragán, J. F. Gómez, A. P. Cardona, M. De Los Ríos, G. Fonthal y H. Ariza “Caracterización óptica de heteroestructuras de GaSb/GaInAsSb/GaSb por medio de las técnicas de fotoluminiscencia y absorción atómica” Revista Colombiana de Física. 42 428-432 (2010). 42. D. M. Cortéz, G. Fonthal, M. De los Ríos y H. Ariza-Calderón: ESTUDIO POR FOTOLUMINISCENCIA DEL EFECTO DE LA IMPURIFICACIÓN EN LA FORMACIÓN DE DEFECTOS PARA EL GaAs DOPADO” Revista Colombiana de Física. 43 532-535 (2011). 43- D. M. Cortéz, G. Fonthal, M. De los Ríos y H. Ariza-Calderón: Influencia de la impurificación en la energía de activación térmica de defectos profundos para el GaAs:Ge tipo p” Revista Colombiana de Física. 43 528-531 (2011). 44. M. de los Ríos, L. Tirado-Mejía, J. F. Gómez, G. Fonthal, N. Piraquive, H. Ariza-Calderón. “Respuesta óptica de películas epitaxiales de Ga1-xInxAsySb1-y crecidas sobre sustratos de GaSb sin dopar, GaSb:Si y GaSb:Te” Revista Colombiana de Física. 43 411-414 (2011). 45. J. J. Prías Barragán, C. A. Rojas González, N. A. Echeverry Montoya, G. Fonthal y H. Ariza-Calderón: “Identificación de las variables óptimas para la obtención de carbón activado a partir del precursor Guadua angustifolia Kunth” Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físcas y Naturales, 35, 157-166 (2011). 46. A. SALAZAR y G. FONTHAL: “Diseño e implementación de un prototipo no invasivo de medidor de agua para la Guadua angustifolia Kunth”, Revista Ciencias Técnicas Agropecuarias, 20, 5-11 (2011).

I.- TESIS DE PRE-GRADO 1- “ Estudio del corrimiento y el ancho a la mitad de la banda de la fotoluminiscencia del GaP con la temperatura”. J. Estévez, Tutor: G. Fonthal (1994) 2- “ CdGeP2- Variación de las propiedades ópticas bajo altas presiones hidrostáticas”. Ch. Power. Tutor: J. González, Co-Tutor: G. Fonthal (1994) 3- “ Síntesis y caracterización del compuesto ternario CuFeSe 2 utilizando distintos Tratamientos Térmicos”. G. Montero, Tutor: J. González, Co-Tutor: G. Fonthal(1996)


4- “ Síntesis y crecimiento de CuInTe2 por el método de Bridgman Horizontal(Vertical) con tres zonas y su caracterización”. G. Marín, Tutor: S. M. Wasim, Co-Tutor: G. Fonthal (1996) 5- “ Determinación del significado físico de los parámetros T 0 y T1/2 que aparecen en la ecuación de la intensidad de fotoluminiscencia de semiconductores dependientes con la temperatura”. J. Moros, Tutor: G. Fonthal (1997) 6- “ Deconvolución de los espectros fotoluminiscentes del GaP(S,C) utilizando un nuevo modelo de dependencia de la intensidad con la temperatura”, M. Pirela, Tutor: G. Fonthal ( 1998) 7- “Estudio de la zona de defectos de capas epitaxiales de AlGaAs por medio de la fotoluminiscencia”, J. Reyes, Tutor: G Fonthal (2002) 8- “Estudio de películas semiconductoras de GaAs altamente dopadas con Sn”, Luis E. Tobón, Tutor: G Fonthal (2002) 9 – “La conducción eléctrica por saltos en impurezas de semiconductores simples y binarios y su correlación con la densidad de estados de portadores” , G. Hernández, Tutor: G. Fonthal (2003) 10 – “Estudio de la influencia de la impurificacion en los defectos profundos de peliculas epitaxiales de GaAs por fotoluminiscencia en el infrarrojo”, D. M. Cortés, Tutor: G Fonthal (2008) 11- “Entendimiento de los mecanismos eléctricos que se generan en las nanoestructuras obtenidas por diferentes métodos de fabricación con una base común el silicio (Si)” Danny Quishpi Tutor: G. Fonthal (en proceso) (2010)

J. TESIS DE POSGRADO 1 - “Análisis de los niveles de Fe en CuInx Ga1-x Se2 a través del SQUID”. C. Durante, Tutor: S. M. Wassim, co-tutor: G. Fonthal Universidad de los Andes - Venezuela (1995) 2 -“Estudio de la recombinación donor-aceptor de los semiconductores modelando los niveles de impurezas con pozos de potencial” J. Moros, Tutor: G. Fonthal Universidad del Zulia – Venezuela (2005) 3 “Determinación del Ensanchamiento Inhomogéneo de los Espectros de Fotoluminiscencia de Pozos Cuánticos de InGaAs / InAlAs” R. Bertel, Tutor: G. Fonthal Universidad del Zulia – Venezuela (2007).


4 “Determinación del ensanchamiento Inhomogéneo de los espectros de Fotoreflectancia de Pozos Cuánticos de InGaAs/InAlAs”. S. Zambrano, Tutor: G. Fonthal Universidad del Zulia – Venezuela (2007). 5

“Estudio de defectos por fotoluminiscencia en el infrarrojo de películas epitaxiales de Alx Ga1-x As” , A. Agudelo, Tutor: G. Fonthal Universidad del Quindío – Colombia (2008).

6 “Estudio de transiciones opticas en puntos cuánticos de Ga1-x Inx Asy Sb1y/GaSb fabricadas por epitaxia en fase líquida”, R. Sánchez, co-tutor: G. Fonthal Universidad del Quindío – Colombia.(2008) 7

“Caracterizacion y determinacion del papel que cumplen los compuestos biológicos que poseen silicio en la Guadua angustifolia Kunth” M. Saavedra, Tutor: G. Fonthal Universidad del Quindío – Colombia (En proceso).

8 “Diseño y fabricación de un prototipo basado en ultrasonido para medir calidad de maderas” Alvaro Salazar, Tutor: G. Fonthal Universidad del Quindío – Colombia (En proceso).

K. TUTORIAS JOVENES INVESTIGADORES 1. Ing. Marianela de los Ríos 2004-2005 2. Qui. Maricela Saavedra 2005-2006 3. Ing. Alvaro Salazar 2007-2009 3. Ing. Jorge Hernán Zapata 2010 – 2011 4. Bio. Carolina Marín 2011 - 2012 L. PROYECTOS 1 “Liquid phase epitaxy growth system for semiconductor materials fabrication” Colciencias 113-05-360. Año 1996-2000. 2

“ Caracterización óptica y fototérmica de películas delgadas semiconductoras fabricadas por epitaxia en fase líquida” Conciencias 1113-05-10305 CT. 258-2000. Año 2000 – 2002.

3 “Estudio de propiedades ópticas de capas epitaxiales de GaAs y AlGaAs en el rango del infrarrojo, por medio de fotoluminiscencia y fotorreflectancia” Universidad del Quindío 171. Año 2000-2001.


4

“Estudio de películas epitaxiales de GaInAsSb por medio de la espectroscopia de excitación por fotorreflectancia” CENM 297. Año 2006-2007.

5 “Estudio por fotoluminiscencia en el infrarrojo de defectos puntuales en películas epitaxiales de AlxGa1-xAs” Universidad del Quindio 350. Año 2007-2008. 6

“Estudio de transiciones ópticas en puntos cuánticos de Ga1-x Inx Asy Sb1-y/GaSb fabricadas por epitaxia en fase líquida” CENM 2007 – 2008.

7 “Diseño e implementación de un prototipo de sensor de cantidad de agua no invasivo para la Guadua angustifolia Kunth” Colciencias proyecto1113452-21176 . Año 2008 - 2010. 8. “Caracterización mecánica, térmica y de absorción de agua de aglomerados fabricados con tres fibras vegetales propias de la región del eje cafetero” Universidad del Quindio 590 2012 - 2013


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