XT V 160 NF
Nanofokus-Röntgensystem
Branchenweit beste Detailerkennung für die Prüfung von Elektronikbauteilen der nächsten Generation nikon metrology I vision beyond precision
Das ultimative NanoFokus-Röntgensystem für die Prüfung von Die anhaltende Nachfrage nach hochleistungsfähiger Elektronik treibt die PackagingTechnologie immer weiter voran in Richtung höherer Packungsdichte, mehr I/O-Funktionen und vor allem Miniaturisierung. Bei den Röntgeninspektionssystemen von heute kommt es vor allem auf höchste Auflösung, gestochen scharfe Bilder und eine hohe Messgenauigkeit an.
Nikon Metrologys neuestes hochpräzises Röntgeninspektionssystem, das XT V 160 NF, arbeitet mit einem Flachdetektor und macht die Echtzeit-Bildgebung und Analyse von Defekten an Bauteilen und Leiterplatten deutlich einfacher. Dieses technologisch führende Prüfsystem ist mit einer von Nikon entwickelten Nanofokusröntgenröhre und einem Präzisionsmanipulator ausgestattet. Es bietet eine bisher unerreichte Leistung im Bereich der Merkmalserkennung. Als solches ist das XT V 160 NF unverzichtbar in der Forschung, Entwicklung und in der Fertigungsumgebung. Darüber hinaus profitieren Anwender von den geringen Betriebskosten und der hohen Zuverlässigkeit dieses Systems.
3D-Analyse
Einsatzbereich
DIe optionale 3D-Analyse am XT V 160 NF Röntgenprüfsystem basiert auf dem Schichtbild-Rekonstruktionsverfahren und ermöglicht die Erkennung von Defekten im Submikrometerbereich. Damit können Bereiche untersucht werden, die mit herkömmlicher Röntgentechnik nur schwer zugänglich sind, wie beispielsweise Risse in 3D-Stacked Dies oder BGA Pads. Am 3D-Modell kann jede Ebene des Messobjektes betrachtet werden, ohne den interessanten Bereich (ROI) isolieren oder abtrennen zu müssen.
• Silizium-Durchkontaktierung (TSV) Füllen und Lunker • Erkennung von kalten Lötstellen und Lunkeranalyse bei CuSäulen und Micro-Bumps • BGA-Lunker, Größenmessungen, Erkennung von kalten Lötstellen und Verbindungsfehlern (Head-in-pillow) • Hochpräzise Pitch-Bonddraht-Analyse: Ballbond, Drahtbruch, Wire Sweep, Stitchbond • QFN/QFP-Prüfung, einschließlich Pad Array-Lunkeranalyse • 3D Stacked-Die-Package und Pack-on-Package (POP) • MEMS Anwendungen mit Dichteschwankungen in engen Toleranzen • Vollautomatisierte Waferprüfung zur Messung von Micro Bumps
Wafer Level Micro BGA
Micro BGA und VIA Plating
Automatisierte BGA Void Analyse
Wafern, Halbleitern und Leiterplatten der nächsten Generation
<0,1 um Merkmals-erkennung bis zu einer Leistung von 6 W.
3 MegaPixel Flachbildschirm für eine extrem hohe Auflösung. 2.400-fache geometrische Vergrößerung.
Präzisionsmanipulator mit Schwingungsdämpfung.
60 ° Neigungswinkel zur Mittellinie des Detektors (Schrägansicht).
580 x 580 mm großer Objektträger zum Laden mehrerer Bauteile und Leiterplatten. Für die Prüfung von 450mm Silizium Wafern geeignet.
Bedienerfreundliche Software Inspect-X 4 mit leistungsfähigen Analysefunktionen.
Produktivitätssteigerung durch Automatisierung und schnelle Berichterstellung. ROI-Lock: Der interessante Bereich bleibt in der Mitte des Sichtfelds fixiert, ganz gleich, ob Vergrößerung oder Neigungswinkel verändert werden.
Macht kleinste Details sichtbar
Geringe Betriebskosten und zuverlässige Open-Tube-Technologie
Hochpräzise Drahtbonden
Ball Bond Analyse
kV Bereich
30-160 kV
Max. Strom
600 µA
Max. Leistung
20 W
Min. Detailerkennung
< 0,1 µm bis zu 6 W Leistung
Geometrische Vergrößerung
bis zu 2.400x
Detektor
3Mpixel (1.944 x 1.536 Pixel) 75µm Pixelgröße 26 Bilder pro Sekunde (Bildwiederholfrequenz)
Max. Messbereich
510 × 510 mm
Max. Leiterplattengröße
580 × 580 mm
Max. Neigungswinkel
60°
Kabinengröße
Länge: 1.819 mm (exkl. Bedienpult) Tiefe: 1.728 mm Höhe: 1.998 mm
Dämpfung
Schwingungsdämpfung (Standard)
Monitor
Einzelmonitor 30” oder Doppelmonitor 22”
Strahlenschutz
1µSv/h (gemäß IRR 99)
Micro BGA Voiding
QFP Solder Voiding
Hybrid Einheiten
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Technische Daten