2. Qüestions prèvies

• Contacte superior. És el contacte elèctric superior i consisteix en una capa d’òxid conductor transparent (perquè permeta passar la radiació solar).

ONormalment sol ser un ZnO dopat amb Al (AZO), o bé un òxid d’indi (In2 3) dopat amb estany (ITO). Aquestes capes solen anar precedides d’una capa intrínseca de ZnO que permet reduir les pèrdues per recombinació.

Figura 145. Imatge transversal del dispositiu basat en CZTSSe

2. QÜESTIONS PRÈVIES

1. Què és un semiconductor de tipus p? I de tipus n? 2. Què és la zce (zona de càrrega d’espai o zona de deplexió)? Quina relació té amb els dispositius fotovoltaics estudiats? 3. Per comprovar l’eficàcia d’una cèl·lula fotovoltaica es mesuren una sèrie de paràmetres. Quins són aquests paràmetres? Indica’n almenys quatre i defineix-ne dos. 4. Indica quatre tipus de tecnologies fotovoltaiques diferents a les basades en calcopirita i kesterita. 5. Quins dos tipus de tecnologies d’obtenció de l’estructura calcopirita hi ha?

Esmenta una o dues tècniques dins de cadascuna d’aquestes tecnologies. 6. Anomena tres tècniques de dipòsit de capes primes (thin films) i defineixles. 7. L’estructura calcopirita és del tipus AI-BIII-XVI 2, per quins elements està formada? Quins són els estats d’oxidació dels cations i anions presents en l’estructura? 8. El band gap de l’estructura Cu ZnSn(Se1-x2 S x)4 varia entre 1-1,5 eV. De quin depèn el valor del band gap? Quan presentarà un valor d’1 eV? I d’1,5 eV?