Ficha prática n.º 34 práticas de eletricidade: introdução à eletrónica

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formação

ficha prĂĄtica n.Âş 34 prĂĄticas de eletricidade INTRODUĂ‡ĂƒO Ă€ ELETRĂ“NICA Manuel Teixeira e Paulo Peixoto ATEC – Academia de Formação

Os transístores de junção bipolar são um dos componentes mais importantes da eletrónica analógica. Poderemos encontrå-los em vårias aplicaçþes como os amplificadores de sinais, amplificadores diferenciais ou drives de potência. Nesta edição iremos analisar a constituição e as caraterísticas fundamentais dos transístores de junção bipolar.

11.2. Princípio de funcionamento Considerando a Figura 88 os eletrþes livres na região N difundem-se atravÊs da junção e recombinam-se com as lacunas da região P. O resultado destas recombinaçþes corresponde a duas barreiras de potencial, como se pode observar na Figura 88. O potencial da barreira de potencial Ê aproximadamente igual a 0,7 V a 25º C num transístor de silício (0,3 V a 25º C num transístor de germânio).

N

CAMADA DE DEPLEĂ‡ĂƒO P

11. Caraterísticas dos Transístores junção bipolar (BJT)

CAMADA DE DEPLEĂ‡ĂƒO

11.1. Constituição

N

Como vimos, um transĂ­stor possui trĂŞs regiĂľes como ilustra a Figura 87. A regiĂŁo Ă esquerda chama-se emissor, a do meio designa-se por base e a da direita diz-se coletor. O transĂ­stor ilustrado ĂŠ um dispositivo NPN, porque existe uma regiĂŁo P entre duas regiĂľes N. Recorde-se que os portadores maioritĂĄrios sĂŁo os eletrĂľes livres no material tipo N e as lacunas no material tipo P. N

P

N

EMISSOR

BASE

COLETOR

Figura 88 Camadas de depleção ou barreiras de potencial.

Passamos de seguida a polarizar o transístor. A Figura 89 ilustra um transístor polarizado. A junção BE estå polarizada diretamente e a junção BC estå polarizada inversamente. emissor fortemente dopado exerce a seguinte função: emitir os seus eletrþes livres na base passar eletrþes emitidos do emissor para o coletor. Denomina-se coletor porque recolhe ou junta a maioria dos eletrþes a partir da base.

+

Figura 87 TransĂ­stor NPN.

RC

N

Os transĂ­stores tambĂŠm sĂŁo fabricados como dispositivos PNP. Um transĂ­stor PNP possui uma regiĂŁo N entre duas regiĂľes P. Como foi referido anteriormente, o emissor ĂŠ muito dopado, pelo contrĂĄrio, a base encontra-se pouco dopada. O nĂ­vel de dopagem do coletor ĂŠ intermĂŠdio, entre a forte dopagem do emissor e a fraca dopagem da

Ăľes. O transĂ­stor exibe duas junçþes: uma entre o emissor e a base – Junção BE, e outra entre o coletor e a base – Junção BC. O transĂ­stor ĂŠ constituĂ­do como dois dĂ­odos refletidos entre si. www.oelectricista.pt o electricista 44

+

RB P

+

UCC –

+ UBB

UCE

UBE

N

– –

–

Figura 89 Polarização do transístor.

No instante em que se aplica a polarização direta à junção BE, os eletrþes no emissor ainda não entraram na região da base. Se a ten-


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