Componente electronico by famp huelva

Contenidos Artículos Componente electrónico

Resistor

Condensador eléctrico

Inductor

Transformador

Semiconductor

Diodo

Rectificador

Rectificador de media onda

Rectificador de onda completa

Filtro de condensador

Rizado

Regulador de tensión

Transistor

Transistor de unión bipolar

Transistor de efecto campo

Transistor Darlington

JFET

MOSFET

Transistor IGBT

Referencias Fuentes y contribuyentes del artículo

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes

Licencias de artículos Licencia

Componente electrónico

Componente electrónico Se denomina componente electrónico a aquel dispositivo que forma parte de un circuito electrónico. Se suele encapsular, generalmente en un material cerámico, metálico o plástico, y terminar en dos o más terminales o patillas metálicas. Se diseñan para ser conectados entre ellos, normalmente mediante soldadura, a un circuito impreso, para formar el mencionado circuito. Hay que diferenciar entre componentes y elementos. Los componentes son dispositivos físicos, mientras que los Componentes electrónicos. elementos son modelos o abstracciones idealizadas que constituyen la base para el estudio teórico de los mencionados componentes. Así, los componentes aparecen en un listado de dispositivos que forman un circuito, mientras que los elementos aparecen en los desarrollos matemáticos de la teoría de circuitos. De acuerdo con el criterio que se elija podemos obtener distintas clasificaciones. Seguidamente se detallan las comúnmente más aceptadas. 1. Según su estructura física • Discretos: son aquellos que están encapsulados uno a uno, como es el caso de los resistores, condensadores, diodos, transistores, etc. • Integrados: forman conjuntos más complejos, como por ejemplo un amplificador operacional o una puerta lógica, que pueden contener desde unos pocos componentes discretos hasta millones de ellos. Son los denominados circuitos integrados. 2. Según el material base de fabricación. • Semiconductores (ver listado). • No semiconductores. 3. Según su funcionamiento. • Activos: proporcionan excitación eléctrica, ganancia o control (ver listado). • Pasivos: son los encargados de la conexión entre los diferentes componentes activos, asegurando la transmisión de las señales eléctricas o modificando su nivel (ver listado). 4. Según el tipo energía. • Electromagnéticos: aquellos que aprovechan las propiedades electromagnéticas de los materiales (fundamentalmente transformadores e inductores). • Electroacústicos: transforman la energía acústica en eléctrica y viceversa (micrófonos, altavoces, bocinas, auriculares, etc.). • Optoelectrónicos:transforman la energía luminosa en eléctrica y viceversa (diodos LED, células fotoeléctricas, etc.).

Componente electrónico

Componentes semiconductores También denominados como componentes de estado sólido, son los componentes "estrella" en casi todos los circuitos electrónicos. Se obtienen a partir de materiales semiconductores, especialmente del silicio aunque para determinadas aplicaciones aún se usa germanio.

Componentes activos Los componentes activos son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o de realizar ganancias o control del mismo. Fundamentalmente son los generadores eléctricos y ciertos componentes semiconductores. Estos últimos, en general, tienen un comportamiento no lineal, esto es, la relación entre la tensión aplicada y la corriente demandada no es lineal. Los componentes activos semiconductores derivan del diodo de Fleming y del triodo de Lee de Forest. En una primera generación aparecieron las válvulas que permitieron el desarrollo de aparatos electrónicos como la radio o la televisión. Posteriormente, en una segunda generación, aparecerían los semiconductores que más tarde darían paso a los circuitos integrados (tercera generación) cuya máxima expresión se encuentra en los circuitos programables (microprocesador y microcontrolador) que pueden ser considerados como componentes, aunque en realidad sean circuitos que llevan integrados millones de componentes. En la actualidad existe un número elevado de componentes activos, siendo usual, que un sistema electrónico se diseñe a partir de uno o varios componentes activos cuyas características lo condicionará. Esto no sucede con los componentes pasivos. En la siguiente tabla se muestran los principales componentes activos junto a su función más común dentro de un circuito. Componente

Función más común

Amplificador operacional Amplificación, regulación, conversión de señal, conmutación. Biestable

Control de sistemas secuenciales.

PLD

Control de sistemas digitales.

Diac

Control de potencia.

Diodo

Rectificación de señales, regulación, multiplicador de tensión.

Diodo Zener

Regulación de tensiones.

FPGA

Control de sistemas digitales.

Memoria

Almacenamiento digital de datos.

Microprocesador

Control de sistemas digitales.

Microcontrolador

Control de sistemas digitales.

Pila

Generación de energía eléctrica.

Tiristor

Control de potencia.

Puerta lógica

Control de sistemas combinacionales.

Transistor

Amplificación, conmutación.

Triac

Control de potencia.

Componente electrónico

Componentes pasivos Son aquellos que no necesitan una fuente de energía para su funcionamiento. No tienen la capacidad de controlar la corriente en un circuito. Los componentes pasivos se dividen en : Componentes Pasivos Lineales: Componente

Función más común

Condensador

Almacenamiento de energía, filtrado, adaptación impedancia.

Inductor o Bobina

Almacenar o atenuar el cambio de energía debido a su poder de autoinducción.

Resistor o Resistencia División de intensidad o tensión, limitación de intensidad.

Componentes Electromecánicos: Interruptores, Fusibles y Conectores.

Componentes optoelectrónicos Componentes optoeletrónicos, son aquellos que transforman la energía luminosa en energía eléctrica, denominados fotosensibles, o la energía eléctrica en luminosa, denominados electroluminiscentes.

Principales fabricantes La industria de los componentes es fundamental para la industria electrónica que a su vez lo es para el resto de industrias. El importante volumen de negocio de este tipo de industria en los países más desarrollados les hace jugar un importante papel en sus respectivas economías. En la siguiente tabla se muestra un listado con las principales empresas fabricantes de componentes electrónicos. La mayoría son multinacionales en las que la fabricación de componentes electrónicos representa tan sólo una parte de campo de actuación. Empresa

Símbolo

País

Tipos de componentes que fabrica

Web [1]

Advanced Micro Devices

AMD

Estados Unidos Semiconductores

AMD

Analog Devices

Estados Unidos Semiconductores

Analog Devices

Cypress Semiconductor

Estados Unidos Semiconductores

Cypress S.

Fairchild Semiconductor

Estados Unidos Semiconductores

Fairchild

Estados Unidos Semiconductores

Freescale Fujitsu

Freescale Semiconductor

[3]

[4] [5]

[6]

Fujitsu Microelectronics

FUJ

Japón

IBM Microelectronics

IBM

Estados Unidos Memorias, microprocesadores, microcontroladores...

IBM

Intel

Estados Unidos Memorias, microprocesadores y microcontroladores

Intel

Japón

Semiconductores

Mitsubishi

Mitsubishi Semiconductor

Semiconductores, condensadores, relés...

[2]

[7] [8] [9]

[10]

NEC Components

NEC

Japón

Semiconductores, condensadores, relés...

NEC

OKI

Japón

Semiconductores

OKI

Panasonic

Japón

Semiconductores, baterías, resistores...

Panasonic

NXP

Holanda

Semiconductores

NXP Semiconductors

[11] [12] [13]

Componente electrónico

Rambus

4 RMBS

Rambus

Sur Korea

Memorias, microcontroladores...

Samsung

Suiza

Semiconductores

Sharp

Japón

Memorias, microcontroladores, control de potencia... Sharp [17]

Siemens AG

Alemania

Semiconductores, reguladores...

Samsung SGS-Thomson

Texas Instruments

[15]

[16]

Siemens

[18]

[19]

Estados Unidos Semiconductores

Xilinx

Estados Unidos FPGA, CPLD

Xilinx

Zilog

Estados Unidos Microcontroladores, microprocesadores, periféricos... Zilog [21]

Véase también • Ingeniería de componentes • Símbolos de componentes electrónicos [22]

Enlaces externos • Listado de fabricantes [23] (en inglés). • componentes electronicos [24] (sp espanol). • componentes electronicos [25] (sp espanol).

Referencias [1] [2] [3] [4] [5] [6]

[14]

Estados Unidos Memorias

http:/ / www. amd. com/ us-en/ http:/ / www. analog. com/ http:/ / www. cypress. com/ http:/ / www. fairchildsemi. com/ products/ http:/ / www. freescale. com/ http:/ / www. fujitsu. com/ us/ services/ edevices/ microelectronics/

[7] http:/ / www-03. ibm. com/ chips/ [8] http:/ / developer. intel. com/ products/ index. htm [9] http:/ / www. mitsubishichips. com/ Global/ index. html [10] http:/ / www. nec. com/ global/ prod/ pro-ed. html [11] http:/ / www. okisemi. com/ [12] http:/ / www. panasonic. com/ industrial/ flash. html [13] http:/ / www. nxp. com/ [14] http:/ / www. rambus. com/ [15] http:/ / www. samsung. com/ [16] http:/ / www. st. com/ stonline/ [17] http:/ / www. sharpmeg. com/ [18] http:/ / www. siemens. com/ [19] http:/ / www. ti. com/ sc/ docs/ espanol/ index. htm [20] http:/ / www. xilinx. com/ [21] http:/ / www. zilog. com/ [22] http:/ / www. simbologia-electronica. com [23] http:/ / www. motorcontrol. com/ Manufacturers/ componentcos. htm [24] http:/ / www. newarkperuonline. com/ blog [25] http:/ / www. diselec. net

[20]

Resistor

Resistor Se denomina resistor al componente electrónico diseñado para introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un circuito. En el propio argot eléctrico y electrónico, son conocidos Figura 1: Símbolos. simplemente como resistencias. En otros casos, como en las planchas, calentadores, etc., los resistores se emplean para producir calor aprovechando el efecto Joule. Es un material formado por carbón y otros elementos resistivos para disminuir la corriente que pasa. Se opone al paso de la corriente. La corriente máxima en un resistor viene condicionado por la máxima potencia que puede disipar su cuerpo. Esta potencia se puede identificar visualmente a partir del diámetro sin que sea necesaria otra indicación. Los valores más comunes son 0,25 W, 0,5 W y 1 W. Existen resistencias de valor variable, que reciben el nombre de potenciómetros.

Comportamiento en un circuito Los resistores se utilizan en los circuitos para limitar el valor de la corriente o para fijar el valor de la tensión. Véase la Ley de Ohm.

Sistemas de Codificación Código de colores Para caracterizar un resistor hacen falta tres valores: resistencia eléctrica, disipación máxima y precisión o tolerancia. Estos valores se indican normalmente en el encapsulado dependiendo del tipo de éste; para el tipo de encapsulado axial, el que se observa en las fotografías, dichos valores van rotulados con un código de franjas de colores. Estos valores se indican con un conjunto de rayas de colores sobre el cuerpo del elemento. Son tres, cuatro o cinco rayas; dejando la raya de tolerancia (normalmente plateada o dorada) a la derecha, se leen de izquierda a derecha. La última raya indica la tolerancia (precisión). De las restantes, la última es el multiplicador y las otras indican las cifras significativas del valor de la resistencia. El valor de la resistencia eléctrica se obtiene leyendo las cifras como un número de una, dos o tres cifras; se multiplica por el multiplicador y se obtiene el resultado en Ohmios (Ω). El coeficiente de temperatura únicamente se aplica en resistencias de alta precisión o tolerancia menor del 1%).

Resistor

Figura 2: Diferentes resistencias todas ellas de empaquetado tipo axial.

Color de la banda

Valor de la 1°cifra significativa

Valor de la 2°cifra significativa

Multiplicador Tolerancia

Coeficiente de temperatura

Negro

Marrón

±1%

100ppm/°C

Rojo

100

±2%

50ppm/°C

Naranja

1 000

15ppm/°C

Amarillo

10 000

±4%

25ppm/°C

Verde

100 000

±0,5%

Azul

1 000 000

±0,25%

10ppm/°C

Violeta

±0,1%

5ppm/°C

Gris

Blanco

1ppm/°C

Dorado

0,1

±5%

Plateado

0,01

±10%

Ninguno

±20%

Resistor

Como leer el valor de una resistencia En una resistencia tenemos generalmente 4 (Cuatro)líneas de colores, aunque podemos encontrar algunas que contenga 5 líneas (4 de colores y 1 que indica tolerancia) vamos a tomar la más general las de 4 líneas, las primeras 3 y dejamos aparte la tolerancia que es plateada o dorada • La primera línea representa el dígito de las decenas. • La segunda línea representa el dígito de las unidades. • El número así formado se multiplica por la potencia de 10 expresada por la tercera línea (multiplicador). Por ejemplo: Tenemos una resistencia con los colores verde, amarillo, rojo y dorado. • • • •

Registramos el valor de la primera línea (verde): 5 Registramos el valor de la segunda línea (amarillo): 4 Registramos el valor de la tercera línea (rojo): X 100 Unimos los valores de las primeras dos líneas y multiplicamos por el valor de la tercera

54 X 100 = 5400Ω o 5,4 kΩ y este es el valor de la resistencia expresada en Ohmios Ejemplos • La caracterización de una resistencia de 2.700.000 Ω (2,7 MΩ), con una tolerancia de ±10%, sería la representada en la figura 3: 1ª cifra: rojo (2) 2ª cifra: violeta (7) Multiplicador: verde (100000) Tolerancia: plateado (±10%)

Figura 3: Resistencia de valor 2.700.000 Ω y tolerancia de ±10%.

• El valor de la resistencia de la figura 4 es de 65 Ω y tolerancia de ±2% dado que: 1ª cifra: azul (6)

2ª cifra: verde (5) 3ª cifra: negro (0) Multiplicador: dorado (10-1) Tolerancia: rojo (±2%)

Figura 4: Resistencia de valor 65 Ω y tolerancia de ±2%.

Resistor

Codificación de los resistores de montaje superficial A los resistores cuando se encuentran en circuitos con tecnología de montaje de superficie se les imprimen valores numéricos en un código similar al usado en los resistores axiales. Los resistores de tolerancia estándar en estos tipos de montajes (Standard-tolerance Surface Mount Technology) son marcados con un código de tres dígitos, en el cual los primeros dos dígitos representan los primeros dos dígitos significativos y el tercer dígito representa una potencia de diez (el número de ceros).

Codificación en Resistencias SMD En las resistencias SMD ó de montaje en superficie su codificación más usual es: 1ª Cifra = 1º número 2ª Cifra = 2º número 3ª Cifra = Multiplicador En este ejemplo la resistencia tiene un valor de: 1200 ohmios = 1.2K

Esta imagen muestra cuatro resistores de montaje de superficie (el componente en la parte superior izquierda es un condensador) incluyendo dos resistores de cero ohmios. Los enlaces de cero ohmios son usados a menudo en vez de enlaces de alambre

1ª Cifra = 1º número La " R " indica coma decimal 3ª Cifra = 2º número En este ejemplo la resistencia tiene un valor de: 1,6 ohmios La " R " indica " 0. " 2ª Cifra = 2º número 3ª Cifra = 3º número En este ejemplo la resistencia tiene un valor de: 0.22 ohmios • Por ejemplo:

Resistencia de montaje superficial o SMD.

"334" 33 × 10,000 Ω = 330 kΩ "222" 22 × 100 Ω = 2.2 kΩ "473" 47 × 1,000 Ω = 47 kΩ "105" 10 × 100,000 Ω = 1 MΩ

Los resistores de menos de 100 Ω se escriben: 100, 220, 470, etc. El número cero final representa diez a la potencia de cero, lo cual es 1. • Por ejemplo: "100" = 10 × 1 Ω = 10 Ω "220" = 22 × 1 Ω = 22 Ω

Algunas veces estos valores se marcan como "10" o "22" para prevenir errores. Los resistores menores de 10 Ω tienen una 'R' para indicar la posición del punto decimal. • Por ejemplo:

Resistor

"4R7"

= 4.7 Ω

"0R22" = 0.22 Ω "0R01" = 0.01 Ω

Los resistores de precisión son marcados con códigos de cuatro dígitos, en los cuales los primeros tres dígitos son los números significativos y el cuarto es la potencia de diez. • Por ejemplo: "1001" = 100 × 10 Ω = 1 kΩ "4992" = 499 × 100 Ω = 49.9 kΩ "1000" = 100 × 1 Ω = 100 Ω

Los valores "000" y "0000" aparecen en algunas ocasiones en los enlaces de montajes de superficie, debido a que tienen una resistencia aproximada a cero.

Codificación para uso Industrial Formato: XX 99999 ó XX 9999X [dos letras]<espacio>[valor del dígitos)]<sinespacio>[código de tolerancia(númerico/alfanúmerico - un dígito/una letra)]

Power Rating at 70 °C Type No.

Power MIL-R-11 MIL-R-39008 rating Norma Norma (watts)

1/8

RC05

RCR05

RC07

RCR07

RC20

RCR20

RC32

RCR32

RC42

RCR42

Código de Tolerancia Designación Industrial

Tolerancia

Designación MIL

±5%

±20%

±10%

±2%

±1%

±0.5%

±0.25%

±0.1%

resistor

(tres/cuatro

Resistor El rango de la temperatura operacional distingue los tipos comercial, industrial y militar de los componentes. • • • •

Tipo Comercial : 0 °C a 70 °C Tipo Industrial : −40 °C a 85 °C (en ocasiones −25 °C a 85 °C) Tipo Militar : −55 °C a 125 °C (en ocasiones -65 °C a 275 °C) Tipo Estándar: -5 °C a 60 °C

Resistencias de precisión Las resistencias de precisión o de hojas metálicas, conocidas también por su nombre en inglés foil resistors, son aquellas cuyo valor se ajusta con errores de 100 partes por millón o menos y tienen además una variación muy pequeña con la temperatura, del orden de 10 partes por millón entre 25 y 125 grados Celsius. Este componente tiene una utilización muy especial en circuitos analógicos, con ajustes muy estrechos de las especificaciones. La resistencia logra una precisión tan alta en su valor, como en su especificación de temperatura debido que la misma debe ser considerado un sistema, donde los materiales que la comportan interactúan para lograr su estabilidad. Una hoja de metal muy fino se pega a un aislador como el vidrio o cerámica, al aumentar la temperatura, la expansión térmica del metal es mayor que la del vidrio o cerámica y al estar pegado al aislador, produce en el metal una fuerza que lo comprime reduciendo su resistencia eléctrica, como el coeficiente de variación de resistencia del metal con la temperatura es casi siempre positivo, la suma casi lineal de estos factores hace que la resistencia no varíe o que lo haga mínimamente. El hecho de utilizar una hoja metálica para crear un medio resistivo, le da el nombre de foil resistors en inglés. Este componente tuvo su origen en varios países y en diferentes tiempos. Por los años 50, algunas empresas y centros académicos de tecnología, en especial en los Estados Unidos, comenzaron a investigar nuevas técnicas de componentes que se adaptaran a la industria naciente de los semiconductores. Los nuevos sistemas electrónicos debían ser más estables y más compactos y la industria de ese tiempo puso más énfasis en la precisión y en la estabilidad del comportamiento con los cambios de temperatura. En la tecnología de resistores, había dos tipos emergentes, los resistores hechos con películas metálicas muy finas, depositadas en substratos aislante, como el vidrio o la cerámica y cuyo depósito se realizaba con técnicas de evaporación metálicas. Luego estaban los resistores hechos con hojas metálicas, cuyos espesores eran mayores que los realizados con películas metálicas. Las hojas metálicas se pegaban a substratos aislante, como el vidrio o la cerámica. Investigando el origen de esta última tecnología llegamos a Duncan y John Cox, los cuales patentaron en 1951, un resistor para uso de calefacción.[1] Si bien el objeto de este componente era de ser usado como elemento de calefacción, la novedad del mismo residía en su construcción geométrica, la forma de las líneas resistivas fueron adoptadas por empresas dedicadas a la fabricación de resistencias de hojas metálicasrealizada en 1979 por Benjamín Solow,[2] o en su versión mejorada de 1983 realizada por Josph Szware,[3]

Efecto piezorresistivo Como se indicó inicialmente, hay un efecto de interacción de fuerzas entre la hoja metálica y el substrato, la hoja metálica se comporta como una galga extensométrica, que es un sensor basado en el efecto piezorresistivo, un esfuerzo que deforma a la galga producirá una variación en su resistencia eléctrica. Este sensor, en su forma básica fue usado por primera vez en 1936. El descubrimiento del principio fue realizado en 1856 por Lord Kelvin, el cual cargo alambres de cobre y de hierro, produciendo en los mismos una tensión mecánica y registrando un incremento de la resistencia eléctrica con la deformación unitaria por tracción (strain) del alambre, observo que el alambre de hierro tiene un incremento de la resistencia mayor que el alambre de cobre, cuando son sometidos a la misma deformación unitaria. De los experimentos realizados por Lord Kelvin en 1856 resulta que cuando se somete a un metal a una fuerza mecánica, esto produce un cambio de la resistencia eléctrica, sometiendo al metal a una fuerza que lo estire produce

Resistor un aumento de la resistencia y una compresión una disminución de la misma, este efecto con el tiempo abrió un nuevo campo de las mediciones . Un aumento de la temperatura en un metal produce dos efectos, una dilatación y un aumento de la resistencia. En 1959, William T. Bean, introduce una galga extensométrica,o también llamada en inglés strain gauge,[4] de tipo de hoja metálica,[5] con una geometría Cox utilizada para medir la deformación unitaria, de materiales sometidos a fuerzas mecánicas, varios puntos hay que resaltar de este desarrollo: 1) utiliza una hoja metálica con geometría Cox, 2) utiliza metales como constantan o nicromo y 3) la utilización de un método fotográfico y luego el uso de una erosión química para realizar el modelo resistivo. Estudiando este desarrollo, se puede especular que los técnicos que utilizaban las galga extensométrica, midiento las propiedades mecánicas de los vidrios y cerámicas, encontraron una variación muy chica de la resistencia con la temperatura, debido precisamente al efecto citado inicialmente. La primera descripción de este sistema, utilizando las propiedades geométricas, físicas y químicas, como la geometría Cox, el efecto Kelvin y el uso de la aleación níquel-cromo, fueron integradas todas ellas en un componente, fue realizada por Zandman en 1970.[6]

Notas al pie [1] ver su forma el siguiente enlace (http:/ / www. google. com/ patents?id=LzBtAAAAEBAJ& pg=PA1& dq=2682596& source=gbs_selected_pages& cad=2#v=onepage& q=2682596& f=false) [2] ver forma en el siguiente enlace (http:/ / www. google. com/ patents?id=2rA8AAAAEBAJ& printsec=drawing& zoom=4#v=onepage& q=& f=false) [3] versión mejorada (http:/ / www. google. com/ patents?id=4m4rAAAAEBAJ& printsec=drawing& zoom=4#v=onepage& q=& f=false) [4] (http:/ / en. wikipedia. org/ wiki/ Strain_gauge) [5] ver en el siguiente enlace (http:/ / www. google. com/ patents?id=YTtGAAAAEBAJ& printsec=abstract& zoom=4#v=onepage& q=& f=false) [6] ver en el enlace (http:/ / www. google. com/ patents?id=cNZaAAAAEBAJ& printsec=abstract& zoom=4#v=onepage& q=& f=false)

Véase también • • • •

Efecto Joule Ley de Ohm Corriente máxima de una resistencia Potencia que disipa una resistencia

Links Externos • Codigo de colores de resistencias electricas (http://rotan.petrocad3d.com/ codigo-de-colores-de-las-resistencias-electricas-t6985.html) Programa ONLINE para el calculo del codigo de colores de resistencias electricas.

Condensador eléctrico

Condensador eléctrico En electricidad y electrónica, un condensador (capacitor en inglés) es un dispositivo que almacena energía eléctrica, es un componente pasivo. Está formado por un par de superficies conductoras en situación de influencia total (esto es, que todas las líneas de campo eléctrico que parten de una van a parar a la otra), generalmente en forma de tablas, esferas o láminas, separadas por un material dieléctrico (siendo este utilizado en un condensador para disminuir el campo eléctrico, ya que actúa como aislante) o por el vacío, que, sometidos a una diferencia de potencial (d.d.p.) adquieren una determinada carga eléctrica, positiva en una de las placas y negativa en la otra (siendo nula la carga total almacenada).

Condensadores modernos.

La carga almacenada en una de las placas es proporcional a la diferencia de potencial entre esta placa y la otra, siendo la constante de proporcionalidad la llamada capacidad o capacitancia. En el Sistema internacional de unidades se mide en Faradios (F), siendo 1 Fig. 1: diversos tipos de condensadores. faradio la capacidad de un condensador en el que, sometidas sus armaduras a una d.d.p. de 1 voltio, éstas adquieren una carga eléctrica de 1 culombio. La capacidad de 1 faradio es mucho más grande que la de la mayoría de los condensadores, por lo que en la práctica se suele indicar la capacidad en micro- µF = 10-6, nano- nF = 10-9 o pico- pF = 10-12 -faradios. Los condensadores obtenidos a partir de supercondensadores (EDLC) son la excepción. Están hechos de carbón activado para conseguir una gran área relativa y tienen una separación molecular entre las "placas". Así se consiguen capacidades del orden de cientos o miles de faradios. Uno de estos condensadores se incorpora en el reloj Kinetic de Seiko, con una capacidad de 1/3 de Faradio, haciendo innecesaria la pila. También se está utilizando en los prototipos de automóviles eléctricos. El valor de la capacidad de un condensador viene definido por la siguiente fórmula:

en donde: : Capacitancia : Carga eléctrica almacenada en la placa 1. : Diferencia de potencial entre la placa 1 y la 2. Nótese que en la definición de capacidad es indiferente que se considere la carga de la placa positiva o la de la negativa, ya que

Condensador eléctrico

aunque por convenio se suele considerar la carga de la placa positiva. En cuanto al aspecto constructivo, tanto la forma de las placas o armaduras como la naturaleza del material dieléctrico son sumamente variables. Existen condensadores formados por placas, usualmente de aluminio, separadas por aire, materiales cerámicos, mica, poliéster, papel o por una capa de óxido de aluminio obtenido por medio de la electrólisis.

Energía almacenada El condensador almacena carga eléctrica, debido a la presencia de un campo eléctrico en su interior, cuando aumenta la diferencia de potencial en sus terminales, devolviéndola cuando ésta disminuye. Matemáticamente se puede obtener que la energía , almacenada por un condensador con capacidad , que es conectado a una diferencia de potencial

, viene dada por:

Este hecho es aprovechado para la fabricación de memorias, en las que se aprovecha la capacidad que aparece entre la puerta y el canal de los transistores MOS para ahorrar componentes.

Comportamientos ideal y real El condensador ideal (figura 2) puede definirse a partir de la siguiente ecuación diferencial:

Fig. 2: Condensador ideal.

donde C es la capacidad, u(t) es la función diferencia de potencial aplicada a sus terminales e i(t) la corriente resultante que circula.

Condensador eléctrico

Comportamiento en corriente continua Un condensador real en CC (DC en inglés) se comporta prácticamente como uno ideal, es decir, como un circuito abierto. Esto es así en régimen permanente ya que en régimen transitorio, esto es, al conectar o desconectar un circuito con condensador, suceden fenómenos eléctricos transitorios que inciden sobre la d.d.p. en sus bornes (ver circuitos serie RL y RC).

Comportamiento en corriente alterna En CA, un condensador ideal ofrece una resistencia al paso de la corriente que recibe el nombre de reactancia capacitiva, XC, cuyo valor viene dado por la inversa del producto de la pulsación ( ) por la capacidad, C:

Si la pulsación se expresa en radianes por segundo (rad/s) y la capacidad en faradios (F), la reactancia resultará en ohmios. Al conectar una CA senoidal v(t) a un condensador circulará una corriente i(t), también senoidal, que lo cargará, originando en sus bornes una caída de tensión, -vc(t), cuyo valor absoluto puede demostrase que es igual al de v(t). Al decir que por el condensador "circula" una corriente, se debe puntualizar que, en realidad, dicha corriente nunca atraviesa su dieléctrico. Lo que sucede es que el condensador se carga y descarga al ritmo de la frecuencia de v(t), por lo que la corriente circula externamente entre sus armaduras. Fig. 3: Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente en un condensador.

El fenómeno físico del comportamiento del condensador en CA se puede observar en la figura 3. Entre los 0º y los 90º i(t) va disminuyendo desde su valor máximo positivo a medida que aumenta su tensión de carga vc(t), llegando a ser nula cuando alcanza el valor máximo negativo a los 90º, puesto que la suma de tensiones es cero (vc(t)+ v(t) = 0) en ese momento. Entre los 90º y los 180º v(t) disminuye, y el condensador comienza a descargarse, disminuyendo por lo tanto vc(t). En los 180º el condensador está completamente descargado, alcanzando i(t) su valor máximo negativo. De los 180º a los 360º el razonamiento es similar al anterior. De todo lo anterior se deduce que la corriente queda adelantada 90º respecto de la tensión aplicada. Considerando, por lo tanto, un condensador C, como el de la figura 2, al que se aplica una tensión alterna de valor:

Fig. 4: Diagrama fasorial.

Condensador eléctrico

De acuerdo con la ley de Ohm circulará una corriente alterna, adelantada 90º (

) respecto a la tensión aplicada

(figura 4), de valor:

donde

. Si se representa el valor eficaz de la corriente obtenida en forma polar:

Y operando matemáticamente:

Figura 5. Circuitos equivalentes de un condensador en CA.

Por lo tanto, en los circuitos de CA, un condensador ideal se puede asimilar a una magnitud compleja sin parte real y parte imaginaria negativa:

En el condensador real, habrá que tener en cuenta la resistencia de pérdidas de su dieléctrico, RC, pudiendo ser su circuito equivalente, o modelo, el que aparece en la figura 5a) o 5b) dependiendo del tipo de condensador y de la frecuencia a la que se trabaje, aunque para análisis más precisos pueden utilizarse modelos más complejos que los anteriores.

Asociaciones de condensadores Al igual que las resistencias, los condensadores pueden asociarse en serie (figura 4), paralelo (figura 5) o de forma mixta. En estos casos, la capacidad equivalente resulta ser para la asociación en serie:

Figura 4: Asociación serie general.

Condensador eléctrico

Figura 5: Asociación paralelo general.

y para la asociación en paralelo:

Es decir, el sumatorio de todas las capacidades de los condensadores conectados en paralelo. Es fácil demostrar estas dos expresiones, para la primera solo hay que tener en cuenta que la carga almacenada en las placas es la misma en ambos condensadores (se tiene que inducir la misma cantidad de carga entre las placas y por tanto cambia la diferencia de potencial para mantener la capacitancia de cada uno), y por otro lado en la asociación en "paralelo", se tiene que la diferencia de potencial entre ambas placas tiene que ser la misma (debido al modo en el que están conectados), así que cambiará la cantidad de carga. Como esta se encuentra en el numerador ( ) la suma de capacidades será simplemente la suma algebraica. Para la asociación mixta se procederá de forma análoga con las resistencias.

Usos y Aplicaciones Los condensadores suelen usarse para: • • • • • • • •

Baterías, por su cualidad de almacenar energía. Memorias, por la misma cualidad. Filtros. Adaptación de impedancias, haciéndolas resonar a una frecuencia dada con otros componentes. Demodular AM, junto con un diodo. El flash de las cámaras fotográficas. Tubos fluorescentes. Mantener corriente en el circuito y evitar caídas de tensión.

Condensador eléctrico

Condensadores variables Un condensador variable es aquel en el cual se pueda cambiar el valor de su capacidad. En el caso de un condensador plano, la capacidad puede expresarse por la siguiente ecuación:

donde: : constante dieléctrica del vacío : constante dieléctrica o permitividad relativa del material dieléctrico entre las placas A: el área efectiva de las placas d: distancia entre las placas o espesor del dieléctrico Para tener condensador variable hay que hacer que por lo menos una de las tres últimas expresiones cambien de valor. De este modo, se puede tener un condensador en el que una de las placas sea móvil, por lo tanto varía d y la capacidad dependerá de ese desplazamiento, lo cual podría ser utilizado, por ejemplo, como sensor de desplazamiento. Otro tipo de condensador variable se presenta en los diodos varicap.

Tipos de dieléctrico utilizados en condensadores • Condensadores de aire. Se trata de condensadores, normalmente de placas paralelas, con dieléctrico de aire y encapsulados en vidrio. Como la permitividad eléctrica relativa es la unidad, sólo permite valores de capacidad muy pequeños. Se utilizó en radio y radar, pues carecen de pérdidas y polarización en el dieléctrico, funcionando bien a frecuencias elevadas. • Condensadores de mica. La mica posee varias propiedades que la hacen adecuada para dieléctrico de condensadores: bajas pérdidas, exfoliación en láminas finas, soporta altas temperaturas y no se degrada por oxidación o con la humedad. Sobre una cara de la lámina de mica se deposita aluminio, que forma una armadura. Se apilan varias de estas láminas, soldando los extremos alternativamente a cada uno de los terminales. Estos condensadores funcionan bien en altas frecuencias y soportan tensiones elevadas, pero son caros y se ven gradualmente sustituidos por otros tipos. • Condensadores de papel. El dieléctrico es papel parafinado, bakelizado o sometido a algún otro tratamiento que reduce su higroscopia y aumenta el aislamiento. Se apilan dos cintas de papel, una de aluminio, otras dos de papel y otra de aluminio y se enrollan en espiral. las cintas de aluminio constituyen las dos armaduras, que se conectan a sendos terminales. Se utilizan dos cintas de papel para evitar los poros que pueden presentar. • Condensadores autorregenerables. Los condensadores de papel tienen aplicaciones en ambientes industriales. Los condensadores autorregenerables son condensadores de papel,

Condensadores electrolíticos axiales.

Condensadores electrolíticos de tantalio.

Condensador eléctrico

pero la armadura se realiza depositando aluminio sobre el papel. Ante una situación de sobrecarga que supere la rigidez dieléctrica del dieléctrico, el papel se rompe en algún punto, produciéndose un cortocircuito entre las armaduras, pero este corto provoca una alta densidad de corriente por las armaduras en la zona de la rotura. Esta corriente funde la fina capa de aluminio que rodea al cortocircuito, restableciendo el aislamiento entre las armaduras. • Condensadores electrolíticos. Es un tipo de condensador que utiliza un electrolito, como su primera armadura, la cual actúa como cátodo. Con la tensión adecuada, el electrolito deposita una capa aislante (la cual es en general una capa muy fina de óxido de aluminio) sobre la segunda armadura o cuba (ánodo), consiguiendo así capacidades muy elevadas. Son inadecuados para funcionar con corriente alterna. La polarización inversa destruye el óxido, produciendo un corto entre el electrolito y la cuba, aumentando la temperatura, y por tanto, arde o estalla el condensador consecuentemente. Existen varios tipos, según su segunda armadura y electrolito empleados: • Condensadores de aluminio. Es el tipo normal. La cuba es de aluminio y el electrolito una disolución de ácido bórico. Funciona bien a bajas frecuencias, pero presenta pérdidas grandes a frecuencias medias y altas. Se emplea en fuentes de alimentación y equipos de audio. Muy utilizado en fuentes de alimentación conmutadas.

Condensadores de poliéster.

Condensadores cerámicos, "SMD (montaje superficial)" y de "disco".

• Condensadores de tantalio (tántalos). Es otro condensador electrolítico, pero emplea tantalio en lugar de aluminio. Consigue corrientes de pérdidas bajas, mucho menores que en los condensadores de aluminio. Suelen tener mejor relación capacidad/volumen. Condensador variable de una vieja radio AM.

• Condensadores bipolares (para corriente alterna). Están formados por dos condensadores electrolíticos en serie inversa, utilizados en caso de que la corriente pueda invertirse. Son inservibles para altas frecuencias.

• Condensadores de poliéster o Mylar. Está formado por láminas delgadas de poliéster sobre las que se deposita aluminio, que forma las armaduras. Se apilan estas láminas y se conectan por los extremos. Del mismo modo, también se encuentran condensadores de policarbonato y polipropileno. • Condensadores de poliestireno también conocidos comúnmente como Styroflex(marca registrada de Siemens). Otro tipo de condensadores de plástico, muy utilizado en radio, por disponer de coeficiente de temperatura inverso a las bobinas de sisntonía, logrando de este modo estabilidad en los circuito resonantes. • Condensadores cerámicos. Utiliza cerámicas de varios tipos para formar el dieléctrico. Existen tipos formados por una sola lámina de dieléctrico, pero también los hay formados por láminas apiladas. Dependiendo del tipo, funcionan a distintas frecuencias, llegando hasta las microondas. • Condensadores síncronos. Es un motor síncrono que se comporta como un condensador. • Dieléctrico variable. Este tipo de condensador tiene una armadura móvil que gira en torno a un eje, permitiendo que se introduzca más o menos dentro de la otra. El perfil de la armadura suele ser tal que la variación de capacidad es proporcional al logaritmo del ángulo que gira el eje.

Condensador eléctrico • Condensadores de ajuste. Son tipos especiales de condensadores variables. Las armaduras son semicirculares, pudiendo girar una de ellas en torno al centro, variando así la capacidad. Otro tipo se basa en acercar las armaduras, mediante un tornillo que las aprieta.

Véase también • • • • • • • •

Botella de Leyden Resistencia eléctrica Inductor Diodo Dieléctrico Micrófono de condensador Tranvía de Zaragoza, que utiliza condensadores eléctricos Ultracapacitador

Enlaces externos • • • • •

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre condensadores. Commons Understanding Capacitors [1] Apuntes sobre capacidad y circuitos equivalentes [2] Condensadores en guitarras y bajos eléctricos [3] Símbolos de Condensadores eléctricos / Capacitores [4]

Referencias [1] [2] [3] [4]

http:/ / knol. google. com/ k/ max-iskram/ electronic-circuits-design-for/ 1f4zs8p9zgq0e/ 3 http:/ / laplace. us. es/ campos/ teoria/ grupo2/ capacidad. pdf http:/ / www. enaitz. es/ Condensadores. html http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ condensadores_electricos. htm

Inductor

Inductor Un inductor o bobina es un componente pasivo de un circuito eléctrico que, debido al fenómeno de la autoinducción, almacena energía en forma de campo magnético.

Construcción Un inductor está constituido usualmente por una cabeza hueca de Figura 1: Inductores, también llamados bobinas. una bobina de conductor, típicamente alambre o hilo de cobre esmaltado. Existen inductores con núcleo de aire o con núcleo de un material ferroso, para incrementar su capacidad de magnetismo. Los inductores pueden también estar construidos en circuitos integrados, usando el mismo proceso utilizado para realizar microprocesadores. En estos casos se usa, comúnmente, el aluminio como material conductor. Sin embargo, es raro que se construyan inductores dentro de los circuitos integrados; es mucho más práctico usar un circuito llamado "girador" que, mediante un amplificador operacional, hace que un condensador se comporte como si fuese un inductor. El inductor consta de las siguientes partes: Pieza polar: Es la parte del circuito magnético situada entre la culata y el entrehierro, incluyendo el núcleo y la expansión polar. Núcleo: Es la parte del circuito magnético rodeada por el devanado inductor. Devanado inductor: Es el conjunto de espiras destinado a producir el flujo magnético, al ser recorrido por la corriente eléctrica. Expansión polar: Es la parte de la pieza polar próxima al inducido y que bordea al entrehierro. Polo auxiliar o de conmutación: Es un polo magnético suplementario, provisto o no, de devanados y destinado a mejorar la conmutación. Suelen emplearse en las máquinas de mediana y gran potencia. Culata: Es una pieza de sustancia ferromagnética, no rodeada por devanados, y destinada a unir los polos de la máquina. También pueden fabricarse pequeños inductores, que se usan para frecuencias muy altas, con un conductor pasando a través de un cilindro de ferrita o granulado.

Inductor

Energía almacenada La bobina almacena energía eléctrica en forma de campo magnético cuando aumenta la intensidad de corriente, devolviéndola cuando ésta disminuye. Matemáticamente se puede demostrar que la energía, , almacenada por una bobina con inductancia

, que es recorrida por una corriente de intensidad

, viene dada por:

Modelo matemático de una bobina Sea una bobina o solenoide de longitud l, sección S y de un número de espiras N, por el que circula una corriente eléctrica i(t). Aplicando la Ley de Biot-Savart que relaciona la inducción magnética, B(t), con la causa que la produce, es decir, la corriente i(t) que circula por el solenoide, se obtiene que el flujo magnético Φ(t) que abarca es igual a:

A la expresión

se le denomina Coeficiente de autoinducción, L, el cuál, como se puede ver, únicamente

depende de la geometría de la bobina o solenoide. Se mide en Henrios. Así pues obtenemos la expresion:

Pero además, al ser el flujo magnético variable en el tiempo, genera, según la Ley de Faraday, una fuerza electromotriz (f.e.m.) de autoinducción que, según la Ley de Lenz, tiende a oponerse a la causa que la produce, es decir, a la variación de la corriente eléctrica que genera dicho flujo magnético. Por esta razón suele llamarse fuerza contraelectromotriz. Ésta tiene el valor:

Suponiendo una bobina ideal, figura 2, sin pérdidas de carga, aplicando la segunda Ley de Kirchhoff, se tiene que:

Figura 2: Circuito con inductancia.

Es decir, en toda bobina eléctrica dentro de un circuito se produce en ella una caída de tensión:

Despejando la intensidad:

Inductor

Si en el instante t = 0, la bobina está cargada con una corriente I, ésta se puede sustituir por una bobina descargada y una fuente de intensidad de valor i(0) = I en paralelo. La corriente por la bobina y por tanto el flujo no pueden variar bruscamente ya que si no la tensión

debería

hacerse infinita. Por eso al abrir un circuito en donde se halle conectada una bobina, siempre saltará un arco de corriente entre los bornes del interruptor que da salida a la corriente que descarga la bobina. Cuando el inductor no es ideal porque tiene una resistencia interna en serie, la tensión aplicada es igual a la suma de la caída de tensión sobre la resistencia interna más la fuerza contra-electromotriz autoinducida.

Comportamientos ideal y real Comportamiento en corriente continua Una bobina ideal en corriente continua se comporta como un cortocircuito (conductor ideal), ya que al ser i(t) constante, es decir, no varía con el tiempo, no hay autoinducción de ninguna f.e.m.

Una bobina real en régimen permanente se comporta como una resistencia cuyo valor

(figura 5a) será el de su

devanado. En régimen transitorio, esto es, al conectar o desconectar un circuito con bobina, suceden fenómenos electromagnéticos que inciden sobre la corriente (ver circuitos serie RL y RC).

Comportamiento en corriente alterna

Figura 3. Diagrama cartesiano de las tensiones y corriente en una bobina.

Figura 4. Diagrama fasorial.

Si la pulsación está en radianes por segundo (rad/s) y la inductancia en henrios (H) la reactancia resultará en ohmios. Al conectar una CA senoidal v (t) a una bobina aparecerá una corriente i (t), también senoidal, esto es, variable, por lo que, como se comentó más arriba, aparecerá una fuerza contraelectromotriz, -e (t), cuyo valor absoluto puede demostrase que es igual al de v (t). Por tanto, cuando la corriente i (t) aumenta, e (t) disminuye para dificultar dicho aumento; análogamente, cuando i (t) disminuye, e (t) aumenta para oponerse a dicha disminución. Esto puede apreciarse en el diagrama de la figura 3. Entre 0º y 90º la curva i (t) es negativa, disminuyendo desde su valor máximo negativo hasta cero, observándose que e (t) va aumentando hasta alcanzar su máximo negativo. Entre 90º y

Inductor

180º, la corriente aumenta desde cero hasta su valor máximo positivo, mientras e (t) disminuye hasta ser cero. Desde 180º hasta los 360º el razonamiento es similar al anterior. Dado que la tensión aplicada, v (t) es igual a -e (t), o lo que es lo mismo, está desfasada 180º respecto de e (t), resulta que la corriente i (t) queda retrasada 90º respecto de la tensión aplicada. Consideremos por lo tanto, una bobina L, como la de la figura 2, a la que se aplica una tensión alterna de valor:

De acuerdo con la ley de Ohm circulará una corriente alterna, retrasada 90º ( ) respecto a la tensión aplicada (figura 4), de valor:

Figura 5.: Circuitos equivalentes de una bobina real en CC, a), y en CA, b) y c).

donde

. Si se representa el valor eficaz de la corriente obtenida en forma polar:

Y operando matemáticamente:

Por lo tanto, en los circuitos de CA, una bobina ideal se puede asimilar a una magnitud compleja sin parte real y parte imaginaria positiva:

En la bobina real, habrá que tener en cuenta la resistencia de su bobinado, RL, pudiendo ser su circuito equivalente o modelo, el que aparece en la figura 5b) o 5c) dependiendo del tipo de bobina o frecuencia de funcionamiento, aunque para análisis más precisos pueden utilizarse modelos más complejos que los anteriores.

Inductor

Asociaciones comunes Al igual que las resistencias, las bobinas pueden asociarse en serie (figura 6), paralelo (figura 7) o de forma mixta. En estos casos, y siempre que no exista acoplamiento magnético, la inductancia equivalente para la asociación en serie vendrá dada por:

Figura 6. Asociación serie general.

Figura 7. Asociación paralelo general.

Para la asociación en paralelo tenemos:

Para la asociación mixta se procederá de forma análoga que con las resistencias. Si se requiere una mayor comprensión del comportamiento reactivo de un inductor, es conveniente entonces analizar detalladamente la "Ley de Lenz" y comprobar de esta forma cómo se origina una reactancia de tipo inductiva, la cual nace debido a una oposición que le presenta el inductor o bobina a la variación de flujo magnético.

Comportamiento a la interrupción del circuito. Análisis de transitorios Examinemos el comportamiento práctico de un inductor cuando se interrumpe el circuito que lo alimenta. En el dibujo de derecha aparece un inductor que se carga a través una resistencia y un interruptor. El condensador dibujado en punteado representa las capacidades parásitas del inductor. Está dibujado separado del inductor, pero en realidad forma parte de él, porque representa las capacidades parásitas de las vueltas del devanado entre ellas mismas. Todo inductor tiene capacidades parásitas, incluso los devanados especialmente concebidos para minimizarlas como el devanado en "nido de abejas".

La alimentación carga el inductor a través la resistencia.

Inductor

El interruptor se abre. La corriente solo puede circular cargando las capacidades parásitas.

A un cierto momento

el interruptor se abre. Si miramos la definición de inductancia:

vemos que, para que la corriente que atraviesa el inductor se detenga instantáneamente, seria necesario la aparición de una tensión infinita, y eso no puede suceder. ¿Qué hace la corriente? Pues continúa pasando. ¿Por donde? Ella "se las arregla" para continuar. Al principio, el único camino que tiene es a través las capacidades parásitas. La corriente continúa circulando a través la capacidad parásita, cargando negativamente el punto alto del condensador en el dibujo. Nos encontramos con un circuito LC que oscilará a una pulsación:

En el instante el interruptor de abre dejando la inductancia oscilar con las capacidades parásitas.

donde es el valor equivalente de las capacidades parásitas. Si los aislamientos del devanado son suficientemente resistentes a las altas tensiones, y si el interruptor interrumpe bien el circuito, la oscilación continuará con una amplitud que se amortiguará debido a las pérdidas dieléctricas y resistivas de las capacidades parásitas y del conductor del inductor. Si además, el inductor tiene un núcleo ferromagnético, habrá también pérdidas en el núcleo. Hay que ver que la tensión máxima de la oscilación puede ser muy grande. Eso le vale el nombre de sobretensión. Se comprende que pueda ser grande, ya que el máximo de la tensión corresponde al momento en el cual toda la energía almacenada en la bobina habrá pasado a las capacidades parásitas . Si estas son pequeñas, la tensión puede ser muy grande y pueden producirse arcos eléctricos entre vueltas de la bobina o entre los contactos abiertos del interruptor. Aunque los arcos eléctricos sean frecuentemente perniciosos y peligrosos, otras veces son útiles y deseados. Es el caso de la soldadura al arco, lámparas a arco, alto horno eléctrico y hornos a arco. En el caso de la soldadura al arco, el interruptor de nuestro diagrama es el contacto entre el metal a soldar y el electrodo.

Inductor

Lo que sucede cuando el arco aparece depende de las características eléctricas del arco. Y las características de un arco dependen de la corriente que lo atraviesa. Cuando la corriente es grande (decenas de amperios), el arco está formado por un camino espeso de moléculas y átomos ionizados que presentan poca resistencia eléctrica y una inercia térmica que lo hace durar. El arco disipa centenas de vatios y puede Si la tensión es grande pueden producirse arcos en el interruptor o en la bobina. fundir metales y crear incendios. Si el arco se produce entre los contactos del interruptor, el circuito no estará verdaderamente abierto y la corriente continuará circulando. Los arcos no deseados constituyen un problema serio y difícil de resolver cuando se utilizan altas tensiones y grandes potencias.

En el instante se produce un arco que dura hasta el instante . A partir de ese momento, la inductancia oscila con las capacidades parásitas. En punteado la corriente y la tensión que habría si el arco no se produjese.

Cuando las corrientes son pequeñas, el arco se enfría rápidamente y deja de conducir la electricidad. En el dibujo de la derecha hemos ilustrado un caso particular que puede producirse, pero que solo es uno de los casos posibles. Hemos ampliado la escala del tiempo alrededor de la apertura del interruptor y de la formación del arco. Después de la apertura del interruptor, la tensión a los bornes de la inductancia aumenta (con signo contrario). En el instante , la tensión es suficiente para crear un arco entre dos vueltas de la bobina. El arco presenta poca resistencia eléctrica y descarga rápidamente las capacidades parásitas. La corriente, en lugar de continuar cargando las capacidades parásitas, comienza a pasar por el arco. Hemos dibujado el caso en el cual la tensión del arco es relativamente constante. La corriente del inductor disminuye hasta que al instante sea demasiado pequeña para mantener el arco y este se apaga y deja de conducir. La corriente vuelve a pasar por las capacidades parásitas y esta vez la oscilación continúa amortiguándose y sin crear nuevos arcos, ya que esta vez la tensión no alcanzará valores demasiado grandes. Recordemos que este es solamente un caso posible. Se puede explicar por qué una persona puede recibir una pequeña descarga eléctrica al medir la resistencia de un bobinado con un simple óhmetro que solo puede alimentar unos miliamperios y unos pocos voltios. La razón es que para medir la resistencia del bobinado, le hace circular unos miliamperios. Si, cuando se desconectan los cables del óhmetro, se sigue tocando con los dedos los bornes de la bobina, los miliamperios que circulaban en ella continuarán haciéndolo, pero pasando por los dedos.

Inductor

La regla es que, para evitar los arcos o las sobretensiones, hay que proteger los circuitos previendo un pasaje para la corriente del inductor cuando el circuito se interrumpe. En el diagrama de la derecha hay un ejemplo de un transistor que controla la corriente en una bobina (la de un relé, por ejemplo). Cuando el transistor se bloquea, la corriente que circula en la bobina carga las capacidades parásitas y la tensión del colector aumenta y puede sobrepasar fácilmente la tensión máxima de la unión colector-base y destruir el transistor. Colocando un diodo como en el diagrama, la corriente encuentra un camino en el diodo y la tensión del colector estará limitada a la tensión de alimentación más los 0,6 V del diodo. El precio funcional de esta protección es que la corriente de la bobina tarda más en disminuir y eso, en algunos casos, puede ser un inconveniente. Se puede disminuir el tiempo si, en lugar de un diodo rectificador, se coloca un diodo zener o Transil. No hay que olvidar que el dispositivo de protección deberá ser capaz de absorber casi toda la energía almacenada en el inductor.

El diodo sirve de camino a la corriente del inductor cuando el transistor se bloquea. Esto evita la aparición de altas tensiones entre el colector y la base del transistor.

Bobinas especiales Bobina de Rogowski

Véase también • Diseño de bobinas • Solenoide

Bibliografía • Gómez Campomanes, José (en español). Circuitos Eléctricos. Servicio de Publicaciones de la Universidad de Oviedo. ISBN 84-7468-288-6.

Enlaces externos • Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Inductores. Commons • Medida de Resistencia de Bobinados en Transformadores [1] (artículo/manual) • Símbolos de Bobinas eléctricas / Inductores [2]

Referencias [1] http:/ / www. amperis. com/ recursos/ articulos/ medida-resistencia-bobinados-transformadores/ [2] http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ bobinas_electricas. htm

Transformador

Transformador Se denomina transformador o trafo (abreviatura) a un dispositivo eléctrico que permite aumentar o disminuir la tensión en un circuito eléctrico de corriente alterna, manteniendo la frecuencia. La potencia que ingresa al equipo, en el caso de un transformador ideal (esto es, sin pérdidas), es igual a la que se obtiene a la salida. Las máquinas reales presentan un pequeño porcentaje de pérdidas, dependiendo de su diseño, tamaño, etc. El transformador es un dispositivo que convierte la energía eléctrica alterna de un cierto nivel de voltaje, en energía alterna de otro nivel de voltaje, por medio de la acción de un campo magnético. Está constituido por dos o más bobinas de material conductor, aisladas entre sí eléctricamente por lo general enrrolladas alrededor de un mismo núcleo de material ferromagnético. La única conexión entre las bobinas la constituye el flujo magnético común que se establece en el núcleo.

Transformador.

Los transformadores son dispositivos basados en el fenómeno de la inducción electromagnética y están constituidos, en su forma más simple, por dos bobinas devanadas sobre un núcleo cerrado de hierro dulce o hierro silicio. Las bobinas o devanados se denominan primario y secundario según correspondan a la entrada o salida del sistema en cuestión, respectivamente. También existen transformadores con más devanados; en este caso, puede existir un devanado "terciario", de menor tensión que el secundario. Transformador.

Transformador

Transformador de tres fases.

Funcionamiento Si se aplica una fuerza electromotriz alterna en el devanado primario, las variaciones de intensidad y sentido de la corriente alterna crearán un campo magnético variable dependiendo de la frecuencia de la corriente. Este campo magnético variable originará, por inducción electromagnética, la aparición de una fuerza electromotriz en los extremos del devanado secundario.

Relación de Transformación Representación esquemática del transformador.

La relación de transformación nos indica el aumento ó decremento que sufre el valor de la tensión de salida con respecto a la tensión de entrada, esto quiere decir, por cada volt de entrada cuántos volts hay en la salida del transformador. La relación entre la fuerza electromotriz inductora (Ep), la aplicada al devanado primario y la fuerza electromotriz inducida (Es), la obtenida en el secundario, es directamente proporcional al número de espiras de los devanados primario (Np) y secundario (Ns) .

La razón de la transformación (m) del voltaje entre el bobinado primario y el bobinado secundario depende de los números de vueltas que tenga cada uno. Si el número de vueltas del secundario es el triple del primario, en el secundario habrá el triple de tensión.

Donde: (Vp) es la tensión en el devanado primario ó tensión de entrada, (Vs) es la tensión en el devanado secundario ó tensión de salida, (Ip) es la corriente en el devanado primario ó corriente de entrada, e (Is) es la corriente en el devanado secundario ó corriente de salida.

Transformador

30 Esta particularidad se utiliza en la red de transporte de energía eléctrica: al poder efectuar el transporte a altas tensiones y pequeñas intensidades, se disminuyen las pérdidas por el efecto Joule y se minimiza el costo de los conductores. Así, si el número de espiras (vueltas) del secundario es 100 veces mayor que el del primario, al aplicar una tensión alterna de 230 voltios en el primario, se obtienen 23.000 voltios en el secundario (una relación 100 veces superior, como lo es la relación de espiras). A la relación entre el número de vueltas o espiras del primario y las del secundario se le llama relación de vueltas del transformador o relación de

transformación. Ahora bien, como la potencia eléctrica aplicada en el primario, en caso de un transformador ideal, debe ser igual a la obtenida en el secundario, el producto de la fuerza electromotriz por la intensidad (potencia) debe ser constante, con lo que en el caso del ejemplo, si la intensidad circulante por el primario es de 10 amperios, la del secundario será de solo 0,1 amperios (una centésima parte).

Historia Primeros pasos: los experimentos con bobinas de inducción El fenómeno de inducción electromagnética en el que se basa el funcionamiento del transformador fue descubierto por Michael Faraday en 1831, se basa fundamentalmente en que cualquier variación de flujo magnético que atraviesa un circuito cerrado genera una corriente inducida, y en que la corriente inducida sólo permanece mientras se produce el cambio de flujo magnético. La primera "bobina de inducción" para ver el uso de ancho fueron inventadas por el Rev. Nicholas Callan College de Maynooth, Irlanda en 1836, uno de los primeros investigadores en darse cuenta de que cuantas más espiras hay en el secundario, en relación con el bobinado primario, más grande es el aumento de la FEM. Los científicos e investigadores basaron sus esfuerzos en evolucionar las bobinas de inducción para obtener mayores voltajes en las baterías. En lugar de corriente alterna (CA), su acción se basó en un vibrante "do&break" mecanismo que regularmente interrumpido el flujo de la corriente directa (DC) de las pilas. Transformador de núcleo laminado mostrando el borde de las laminaciones en la parte superior de la unidad.

Transformador Entre la década de 1830 y la década de 1870, los esfuerzos para construir mejores bobinas de inducción, en su mayoría por ensayo y error, reveló lentamente los principios básicos de los transformadores. Un diseño práctico y eficaz no apareció hasta la década de 1880, pero dentro de un decenio, el transformador sería un papel decisivo en la “Guerra de Corrientes”, y en que los sistemas de distribución de corriente alterna triunfo sobre sus homólogos de corriente continua, una posición dominante que mantienen desde entonces. En 1876, el ingeniero ruso Pavel Yablochkov inventó un sistema de iluminación basado en un conjunto de bobinas de inducción en el que el bobinado primario se conectaba a una fuente de corriente alterna y los devanados secundarios podían conectarse a varias “velas eléctricas” (lámparas de arco), de su propio diseño. Las bobinas utilizadas en el sistema se comportaban como transformadores primitivos. La patente alegó que el sistema podría, “proporcionar suministro por separado a varios puntos de iluminación con diferentes intensidades luminosas procedentes de una sola fuente de energía eléctrica”. En 1878, los ingenieros de la empresa Ganz en Hungría asignaron parte de sus recursos de ingeniería para la fabricación de aparatos de iluminación eléctrica para Austria y Hungría. En 1883, realizaron más de cincuenta instalaciones para dicho fin. Ofrecián un sistema que constaba de dos lámparas incandescentes y de arco, generadores y otros accesorios. En 1882, Lucien Gaulard y John Dixon Gibbs expusieron por primera vez un dispositivo con un núcleo de hierro llamado "generador secundario" en Londres, luego vendió la idea de la compañía Westinghouse de Estados Unidos. También fue expuesto en Turín, Italia en 1884, donde fue adaptado para el sistema de alumbrado eléctrico.

El nacimiento del primer transformador Entre 1884 y 1885, los ingenieros húngaros Zipernowsky, Bláthy y Deri de la compañía Ganz crearon en Budapest el modelo “ZBD” de transformador de corriente alterna, basado en un diseño de Gaulard y Gibbs (Gaulard y Gibbs sólo diseñaron un modelo de núcleo abierto). Descubrieron la fórmula matemática de los transformadores:

Donde: (Vs) es el voltaje en el secundario y (Ns) es el número de espiras en el secundario, (Vp) y (Np) se corresponden al primario. Su solicitud de patente hizo el primer uso de la palabra "transformador", una palabra que había sido acuñada por Bláthy Ottó. En 1885, George Westinghouse compro las patentes del ZBD y las de Gaulard y Gibbs. Él le encomendó a William Stanley la construcción de un transformador de tipo ZBD para uso comercial. Este diseño se utilizó por primera vez comercialmente en 1886.

Otra información de interés El primer sistema comercial de corriente alterna con fines de distribución de la energía eléctrica que usaba transformadores se puso en operación en 1886 en Great Barington, Massachussets, en los Estados Unidos de América. En ese mismo año, la electricidad se transmitió a 2.000 voltios en corriente alterna a una distancia de 30 kilómetros, en una línea construida en Cerchi, Italia. A partir de esta pequeña aplicación inicial, la industria eléctrica en el mundo, ha recorrido en tal forma, que en la actualidad es factor de desarrollo de los pueblos, formando parte importante en esta industria el transformador. El aparato que aquí se describe es una aplicación, entre tantas, derivada de la inicial bobina de Ruhmkorff o carrete de Ruhmkorff, que consistía en dos bobinas concéntricas. A una bobina, llamada primario, se le aplicaba una corriente continua proveniente de una batería, conmutada por medio de un ruptor movido por el magnetismo generado en un núcleo de hierro central por la propia energía de la batería. El campo magnético así creado variaba al compás de las interrupciones, y en el otro bobinado, llamado secundario y con muchas más espiras, se inducía una corriente de escaso valor pero con una fuerza eléctrica capaz de saltar entre

Transformador

las puntas de un chispómetro conectado a sus extremos. También da origen a las antiguas bobinas de ignición del automóvil Ford T, que poseía una por cada bujía, comandadas por un distribuidor que mandaba la corriente a través de cada una de las bobinas en la secuencia correcta.

Tipos de transformadores Según sus aplicaciones Transformador elevador/reductor de voltaje Son empleados por empresas transportadoras eléctricas en las subestaciones de la red de transporte de energía eléctrica, con el fin de disminuir las pérdidas por efecto Joule. Debido a la resistencia de los conductores, conviene transportar la energía eléctrica a tensiones elevadas, lo que origina la necesidad de reducir nuevamente dichas tensiones para adaptarlas a las de utilización. Transformadores elevadores Este tipo de transformadores nos permiten, como su nombre lo dice elevar la tensión de salida con respecto a la tensión de entrada. Esto quiere decir que la relación de transformación de estos transformadores es menor a uno.

Un transformador con PCB, como refrigerante en plena calle.

Transformadores variables También llamados "Variacs", toman una línea de voltaje fijo (en la entrada) y proveen de voltaje de salida variable ajustable, dentro de dos valores. Transformador de aislamiento Proporciona aislamiento galvánico entre el primario y el secundario, de manera que consigue una alimentación o señal "flotante". Suele tener una relación 1:1. Se utiliza principalmente como medida de protección, en equipos que trabajan directamente con la tensión de red. También para acoplar señales procedentes de sensores lejanos, en resistencias inesianas, en equipos de electromedicina y allí donde se necesitan tensiones flotantes entre sí.

Transformador

Transformador de alimentación Pueden tener una o varias bobinas secundarias y proporcionan las tensiones necesarias para el funcionamiento del equipo. A veces incorpora un fusible que corta su circuito primario cuando el transformador alcanza una temperatura excesiva, evitando que éste se queme, con la emisión de humos y gases que conlleva el riesgo de incendio. Estos fusibles no suelen ser reemplazables, de modo que hay que sustituir todo el transformador. Transformador trifásico Tienen tres bobinados en su primario y tres en su secundario. Pueden adoptar forma de estrella (Y) (con hilo de neutro o no) o delta (Δ) y las combinaciones entre ellas: Δ-Δ, Δ-Y, Y-Δ y Y-Y. Hay que tener en cuenta que aún con relaciones 1:1, al pasar de Δ a Y o viceversa, las tensiones de fase varían. Transformador de pulsos Es un tipo especial de transformador con respuesta muy rápida (baja autoinducción) destinado a funcionar en régimen de pulsos y además de muy versátil utilidad en cuanto al control de tensión 220 V.

Transformador trifásico. Conexión estrella-triángulo.

Transformador de línea o Flyback Es un caso particular de transformador de pulsos. Se emplea en los televisores con TRC (CRT) para generar la alta tensión y la corriente para las bobinas de deflexión horizontal. Además suele proporcionar otras tensiones para el tubo (foco, filamento, etc.). Además de poseer una respuesta en frecuencia más alta que muchos transformadores, tiene la característica de mantener diferentes niveles de potencia de salida debido a sus diferentes arreglos entre sus bobinados secundarios. Transformador diferencial de variación lineal El transformador diferencial de variación lineal (LVDT según sus siglas en inglés) es un tipo de transformador eléctrico utilizado para medir desplazamientos lineales. El transformador posee tres bobinas dispuestas extremo con extremo alrededor de un tubo. La bobina central es el devanado primario y las externas son los secundarios. Un centro ferromagnético de forma cilíndrica, sujeto al objeto cuya posición desea ser medida, se desliza con respecto al eje del tubo.

Transformador Flyback moderno.

Los LVDT son usados para la realimentación de posición en servomecanismos y para la medición automática en herramientas y muchos otros usos industriales y científicos.

Transformador

Transformador con diodo dividido Es un tipo de transformador de línea que incorpora el diodo rectificador para proporcionar la tensión continua de MAT directamente al tubo. Se llama diodo dividido porque está formado por varios diodos más pequeños repartidos por el bobinado y conectados en serie, de modo que cada diodo sólo tiene que soportar una tensión inversa relativamente baja. La salida del transformador va directamente al ánodo del tubo, sin diodo ni triplicador. Transformador de impedancia Este tipo de transformador se emplea para adaptar antenas y líneas de transmisión (tarjetas de red, teléfonos, etc.) y era imprescindible en los amplificadores de válvulas para adaptar la alta impedancia de los tubos a la baja de los altavoces.

Transformador diferencial de variación lineal (LVDT).

Si se coloca en el secundario una impedancia de valor Z, y llamamos n a Ns/Np, como Is=-Ip/n y Es=Ep.n, la impedancia vista desde el primario será Ep/Ip = -Es/n²Is = Z/n². Así, hemos conseguido transformar una impedancia de valor Z en otra de Z/n². Colocando el transformador al revés, lo que hacemos es elevar la impedancia en un factor n². Estabilizador de tensión Es un tipo especial de transformador en el que el núcleo se satura cuando la tensión en el primario excede su valor nominal. Entonces, las variaciones de tensión en el secundario quedan limitadas. Tenía una labor de protección de los equipos frente a fluctuaciones de la red. Este tipo de transformador ha caído en desuso con el desarrollo de los reguladores de tensión electrónicos, debido a su volumen, peso, precio y baja eficiencia energética. Transformador híbrido o bobina híbrida Es un transformador que funciona como una híbrida. De aplicación en los teléfonos, tarjetas de red, etc. Balun Es muy utilizado como balun para transformar líneas equilibradas en no equilibradas y viceversa. La línea se equilibra conectando a masa la toma intermedia del secundario del transformador. Transformador electrónico Esta compuesto por un circuito electrónico que eleva la frecuencia de la corriente eléctrica que alimenta al transformador, de esta manera es posible reducir drásticamente su tamaño. También pueden formar parte de circuitos más complejos que mantienen la tensión de salida en un valor prefijado sin importar la variación en la entrada, llamados fuente conmutada.

Transformador

Transformador de frecuencia variable Son pequeños transformadores de núcleo de hierro, que funcionan en la banda de audiofrecuencias. Se utilizan a menudo como dispositivos de acoplamiento en circuitos electrónicos para comunicaciones, medidas y control. Transformadores de medida Entre los transformadores con fines especiales, los más importantes son los transformadores de medida para instalar instrumentos, contadores y relés protectores en circuitos de alta tensión o de elevada corriente. Los transformadores de medida aíslan los circuitos de medida o de relés, permitiendo una mayor normalización en la construcción de contadores, instrumentos y relés.

Según su construcción Autotransformador El primario y el secundario del transformador están conectados en serie, constituyendo un bobinado único. Pesa menos y es más barato que un transformador y por ello se emplea habitualmente para convertir 220 V a 125 V y viceversa y en otras aplicaciones similares. Tiene el inconveniente de no proporcionar aislamiento galvánico entre el primario y el secundario. Transformador con núcleo toroidal El bobinado consiste en un anillo, normalmente de compuestos artificiales de ferrita, sobre el que se bobinan el primario y el secundario. Son más voluminosos, pero el flujo magnético queda confinado en el núcleo, teniendo flujos de dispersión muy reducidos y bajas pérdidas por corrientes de Foucault.

Pequeño transformador con núcleo toroidal.

Transformador de grano orientado El núcleo está formado por una chapa de hierro de grano orientado, enrollada sobre sí misma, siempre en el mismo sentido, en lugar de las láminas de hierro dulce separadas habituales. Presenta pérdidas muy reducidas pero es caro. La chapa de hierro de grano orientado puede ser también utilizada en transformadores orientados (chapa en E), reduciendo sus pérdidas.

Como caracterizar un núcleo toroidal.

Transformador de núcleo de aire En aplicaciones de alta frecuencia se emplean bobinados sobre un carrete sin núcleo o con un pequeño cilindro de ferrita que se introduce más o menos en el carrete, para ajustar su inductancia. Transformador de núcleo envolvente Están provistos de núcleos de ferrita divididos en dos mitades que, como una concha, envuelven los bobinados. Evitan los flujos de dispersión.

Transformador

Transformador piezoeléctrico Para ciertas aplicaciones han aparecido en el mercado transformadores que no están basados en el flujo magnético para transportar la energía entre el primario y el secundario, sino que se emplean vibraciones mecánicas en un cristal piezoeléctrico. Tienen la ventaja de ser muy planos y funcionar bien a frecuencias elevadas. Se usan en algunos convertidores de tensión para alimentar los fluorescentes del backlight de ordenadores portátiles.

Transformador de grano orientado.

Véase también • Autotransformador • Multiplicador de tensión • Divisor de tensión • Cambiador de tomas

Referencias Enlaces externos •

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transformador.Commons

Wikilibros • Wikilibros alberga un libro o manual sobre Transformador. • Resumen de la teoría de los transformadores de potencia de la Universidad de Cantabria (España) (http:// personales.unican.es/rodrigma/PDFs/Trafos.pdf) • Medida de la resistencia de bobinados en Transformadores (http://www.amperis.com/recursos/articulos/ medida-resistencia-bobinados-transformadores/) Artículo didáctico • Información sobre Transformadores Variables (http://www.http://www.corpnewline.com/variacs.html) • Símbolos de Transformadores (http://www.simbologia-electronica.com/simbolos_electronicos/ transformadores_electricos.htm)

Semiconductor

Semiconductor Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla adjunta. Elemento

Grupo

Electrones en la última capa

II B

2 e-

Al, Ga, B, In

III A

3 e-

Si, C, Ge

IV A

4 e-

P, As, Sb

5 e-

Se, Te, (S)

VI A

6 e-

El elemento semiconductor más usado es el silicio,el segundo el Germanio, aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica s²p².

Tipos de semiconductores Semiconductores intrínsecos Es un cristal de silicio que forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente. Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que: ni = n = p siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de

Semiconductor valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando una corriente de huecoscon 4 capas ideales y es en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Semiconductores extrínsecos Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio. Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones. El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero. Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos. El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo tetravalente (típicamente del grupo IV A de la tabla periódica) se le une un átomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo IIIA de la tabla periódica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrara en condición de aceptar un electrón libre. Así los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Semiconductor

Vease También • • • • • •

Diodo Transistor Silicio Conductividad eléctrica "Aniquilación de Positrones en Semiconductores" [1] "Algunos estudios de semiconductores con Espectroscopía de Aniquilación de Positrones". Positron Lab, Como, Italy [2]

Referencias [1] http:/ / books. google. it/ books?id=WXOkEvr4sxcC& pg=PA49& lpg=PA49& dq=semiconductor+ defects+ krause& source=bl& ots=bN0FKDs-m7& sig=KVT9R68-CpLgkfCtu6-kF2R-K0k& hl=it& ei=3cawTL-xJciY4AaRrpXhBg& sa=X& oi=book_result& ct=result& resnum=1& ved=0CBQQ6AEwADgK#v=onepage& q=semiconductor%20defects%20krause& f=false [2] http:/ / www. como. polimi. it/ ferragut

Diodo Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest. Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas constituídos por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal, con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison. Al igual que las lámparas incandescentes, los tubos de vacío tienen un filamento (el cátodo) a través del cual circula la corriente, calentándolo por efecto Joule. El filamento está tratado con óxido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vacío circundante los cuales son conducidos Tipos de diodos de estado sólido electrostáticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble, cargada positivamente (el ánodo), produciéndose así la conducción. Evidentemente, si el cátodo no se calienta, no podrá ceder electrones. Por esa razón, los circuitos que utilizaban válvulas de vacío requerían un tiempo para que las válvulas se calentaran antes de poder funcionar y las válvulas se quemaban con mucha facilidad.

Diodo

Tipos de válvula diodo • Diodo de alto vacío • Diodo de gas • Rectificador de mercurio

Diodo pn o Unión pn Los diodos pn, son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipos p y n, por lo que también reciben la denominación de unión pn. Hay que destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Diodo de alto vacío

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión, de vaciado, etc. A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Formación de la zona de carga espacial

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio. La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor. Al dispositivo así obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Dado que los electrones fluyen desde la zona n hacia la zona p, al extremo p se le denomina ánodo (representándose por la letra A) mientras que al extremo n se le denomina cátodo (se representa por la letra C o K). Existen también diodos de protección térmica los cuales son capaces de proteger cables.

Diodo

A (p)

C ó K (n)

Representación simbólica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones podemos observar que: • El polo positivo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n. • El polo negativo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n. • Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n. • Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y no llega hasta la batería.

Diodo

Polarización inversa de un diodo

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se explica a continuación: • El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. • El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos. En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la corriente superficial de fuga no es despreciable.

Diodo

Curva característica del diodo • Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ). La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. • Corriente máxima (Imax ). Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo. • Corriente inversa de saturación (Is ). Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10º en la temperatura. • Corriente superficial de fugas. Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas. • Tensión de ruptura (Vr ). Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Teóricamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducirá la corriente inversa de saturación; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensión, en el diodo normal o de unión abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: • Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarización inversa se generan pares electrón-hueco que provocan la corriente inversa de saturación; si la tensión inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energía cinética de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conducción. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensión, chocando con más electrones de valencia y liberándolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenómeno se produce para valores de la tensión superiores a 6 V. • Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo eléctrico E puede expresarse como cociente de la tensión V entre la distancia d; cuando el diodo esté muy dopado, y por tanto d sea pequeño, el campo eléctrico será grande, del orden de 3·105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementándose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.

Diodo

Modelos matemáticos El modelo matemático más empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde: • I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo • VD es la diferencia de tensión entre sus extremos. • • • • •

IS es la corriente de saturación (aproximadamente ) q es la carga del electrón cuyo valor es T es la temperatura absoluta de la unión k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). • El término VT = kT/q = T/11600 es la tensión debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K ó 27 °C). Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos más sencillos), en ocasiones se emplean modelos más simples aún, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua o de Ram-señal que se muestran en la figura. El más simple de todos (4) es el diodo ideal.

Otros tipos de diodos semiconductores • • • • • • • •

Diodo avalancha Diodo rectificador Fotodiodo Diodo Gunn Diodo láser Diodo emisor de luz (LED e IRED) Diodo p-i-n Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky

• Diodo Shockley (diodo de cuatro capas) • Diodo túnel o diodo Esaki • Diodo Varicap • Diodo Zener

Diodo doble 6CH2P (6X2Π) de fabricación rusa usado como rectificador de media onda

Diodo

Aplicaciones del diodo • • • • • • • • •

Rectificador de media onda Rectificador de onda completa Rectificador en paralelo Doblador de tension Estabilizador Zener Limitador Circuito fijador Multiplicador de tensión Divisor de tensión

Referencias El contenido de este artículo incorpora material de una entrada de la Enciclopedia Libre Universal en español bajo la licencia Creative Commons Compartir-Igual 3.0

[2]

Enlaces externos • Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre diodos. Commons • Símbolos de Diodos [3]

Referencias [1] http:/ / enciclopedia. us. es/ index. php/ Diodo [2] http:/ / creativecommons. org/ licenses/ by-sa/ 3. 0/ deed. es [3] http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ diodos. htm

[1]

, publicada

Rectificador

Rectificador En electrónica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio. Dependiendo de las características de la alimentación en corriente alterna que emplean, se les clasifica en monofásicos, cuando están alimentados por una fase de la red eléctrica, o trifásicos cuando se alimentan por tres fases.

Rectificador 2N1849.

El circuito, representado en la Figura 2, funciona como sigue: El transformador convierte la tensión alterna de entrada en otra tensión alterna del valor deseado, esta tensión es rectificada durante el primer semiciclo por el diodo D1 y durante el segundo semiciclo por el diodo D2, de forma que a la carga R le llega una tensión continua pulsante muy impura ya que no está filtrada ni estabilizada. En este circuito tomamos el valor de potencial 0 en la toma intermedia del transformador. Rectificador de onda completa tipo puente doble de Graetz Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a diferencia del anterior, sólo es necesario utilizar transformador si la tensión de salida debe tener un valor distinto de la tensión de entrada. En la Figura 3 está representado el circuito de un rectificador de este tipo.

Rectificador Síncrono (o sincrónico) Hay aplicaciones en las que la caída de tensión directa en los diodos (VF) causa que o que es de suma importancia en circuitos alimentados a muy baja tensión.

Figura 3.- Rectificador de onda completa con puente de Graetz.

Rectificador de media onda

Rectificador de media onda El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo.

Análisis del circuito (diodo ideal) Los diodos ideales, permiten el paso de toda la corriente en una única dirección, la correspondiente a la polarización directa, y no conducen cuando se polarizan inversamente. Además su voltaje es positivo Polarización directa (Vi > 0) En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción, provocando una caída de potencial que suele ser de 0,7 V. Este voltaje de 0,7 V se debe a que usualmente se utilizan diodos de silicio. En el caso del germanio, que es el segundo más usado, la caída de potencial es de 0,3 V. Vo = Vi - VD → Vo = Vi - 0,7 y la intensidad de la corriente puede fácilmente calcularse mediante la ley de Ohm:

Polarización inversa (Vi < 0)

En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. La tensión de salida es igual a la tensión de entrada, y la intensidad de la corriente es nula: Vo = Vi I=0 Tensión rectificada →

Véase también • Electrónica • Electricidad • Rectificador de onda completa

→

Rectificador de onda completa

Rectificador de onda completa Este artículo o sección necesita referencias que aparezcan en una publicación acreditada, como revistas especializadas, monografías, prensa diaria o páginas de Internet fidedignas. [1] Puedes añadirlas así o avisar al autor principal del artículo en su página de discusión pegando: {{subst:Aviso referencias|Rectificador de onda completa}} ~~~~

Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz).

Rectificador con dos diodos. En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa, ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario; por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. La tensión de entrada (Vi) es, en este caso, la mitad de la tensión del secundario del transformador.

Tensión de entrada positiva. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario.

Tensión de entrada negativa. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce), mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario .

Rectificador de onda completa

Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Al igual que antes, sólo son posibles dos estados de conducción, o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). A diferencia del caso anterior, ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior), la misma que han de soportar los diodos en inversa, al igual que en el rectificador con dos diodos. Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua.

Tensión rectificada. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción, aproximadamente 0,6V; tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi - 1,2V.

Véase también • Electrónica • Rectificador de media onda

Referencias [1] http:/ / en. wikipedia. org/ wiki/ Rectificador_de_onda_completa?action=history

Filtro de condensador

Filtro de condensador Un filtro de condensador es un circuito eléctrico formado por la asociación de diodo y condensador destinado a filtrar o aplanar el rizado, dando como resultado una señal eléctrica de corriente continua cuya tensión no varía prácticamente en el tiempo. El circuito es el mismo que el empleado en la rectificación añadiendo un condensador, por lo que al igual que existen rectificadores de media onda y de onda completa existen filtros de condensador de media y onda completa.

Principio de funcionamiento Imaginemos, para simplificar el análisis, que el diodo es ideal, es decir, conduce polarizado en directa y no conduce polarizado en inversa e inicialmente el condensador está descargado.

Supongamos que la tensión de entrada es sinusoidal. Al principio, por ser ésta positiva polariza el diodo en directa y éste conduce, de modo que la tensión en el condensador vo es igual a la de entrada (vo = vi). Cuando se alcanza el máximo de tensión (VM) el condensador ha completado su carga y a partir de entonces la señal de entrada comienza a disminuir. Al ocurrir esto el condensador intenta descargarse a través del diodo pero como la polarización es inversa no conduce; el condensador no puede entonces descargarse quedando entre sus bornes una diferencia de potencial vo = VM que se mantendrá permanentemente cualquiera que sea la tensión de entrada. En definitiva, la tensión sinusoidal de entrada, corriente alterna, se ha convertido en corriente continua. Si por cualquier circunstancia la señal de entrada alcanzara un nuevo máximo V'M > VM, el condensador simplemente se cargaría hasta esa tensión quedando luego una corriente continua de valor V'M.

Filtro de media onda En un circuito real el propósito de la conversión es alimentar algún dispositivo de corriente continua, por lo que en paralelo con el condensador existirá una carga representada por la resistencia RL.

En este caso el condensador puede, a partir del máximo de la tensión de entrada y con el diodo en inversa, descargarse a través de la carga.

Filtro de condensador

51 A medida que el condensador se va descargando la tensión de entrada va disminuyendo hasta alcanzar el mínimo para posteriormente aumentar; evidentemente siendo la entrada creciente y la tensión en el condensador decreciente llega un punto en el que ambos valores coinciden, momento en el que el diodo se polariza en directa y el condensador comienza a recargarse hasta el siguiente máximo de la tensión de entrada.

La tensión en la carga no es ahora uniforme o constante, como sucedía en el caso anterior, sino aproximadamente triangular. En la práctica interesa que la tensión sea lo más uniforme posible para lo cual el producto RLC deberá ser grande (condensadores de alta capacidad); situación en la que los tramos ascendente y descendente de la tensión de salida pueden, con suficiente aproximación, sustituirse por líneas rectas.

Análisis del circuito Como sabemos (leyes de Kirchoff), la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo (iD) cuando conduce se reparte luego entre resistencia (iL) y condensador (iC), es decir: Siendo vi = VM sen (ωt) la tensión de entrada —ω = 2πf / f: frecuencia de la corriente alterna— y sabiendo que es coincidente con la de la carga y el condensador (vo) cuando el diodo conduce, las intensidades que atraviesan resistencia y condensador serán respectivamente:

Y por tanto:

Cuando la intensidad iD se hace cero, el diodo deja de conducir. Esta condición se manifiesta en el instante t2 tal que: donde el signo negativo expresa que tal condición se da una vez superado el máximo de la tensión de entrada (T/4). En la práctica la diferencia es tan pequeña que se puede despreciar y admitir que el diodo comienza a conducir alcanzado el máximo de la tensión de entrada.

Filtro de condensador

Aplicaciones Este circuito puede usarse, en fuentes de alimentación para lograr transformar la tensión alterna de la entrada en continua a la salida. Normalmente forma parte de circuitos de potencia más complicados como son los conversores de potencia. En estos casos el valor del condensador debe ser alto. Ajustando el valor del condensador para que tenga un mayor margen de variación puede utilizarse este circuito para la demodulación de señales AM, el resultado es una señal parecida a la envolvente de la señal modulada. Para esta aplicación el valor del condensador es mucho menor que en la anterior y dependiente del índice de modulación. El contenido de este artículo incorpora material de una entrada de la Enciclopedia Libre Universal en español bajo la licencia Creative Commons Compartir-Igual 3.0

[1]

, publicada

[2]

Referencias [1] http:/ / enciclopedia. us. es/ index. php/ Filtro_de_condensador

Rizado El rizado, algunas veces llamado fluctuación o ripple (del inglés), es la pequeña componente de alterna que queda tras rectificarse una señal a corriente continua. El rizado puede reducirse notablemente mediante un filtro de condensador, este proceso es llamado a veces "filtrar", y debe entenderse como la reducción a un valor mucho más pequeño de la componente alterna remanente tras la rectificación, pues, de no ser así, la señal resultante incluye un zumbido a 60 ó 50 Hz muy molesto, por ejemplo, en los equipos de audio.

Factor de rizado El rizado usualmente se cuantifica mediante el factor de rizado y se calcula como el valor eficaz del voltaje de rizado sobre el voltaje en continua medio, por 100. El factor de rizado suele establecerse sobre el 10% o menos, siempre dependiendo de la aplicación.

La fórmula para calcular el voltaje de rizado de una fuente rectificada y filtrada es la siguiente:

donde, • •

es el voltaje de rizado de pico a pico. Recordar que es la corriente continua que demanda la carga.

•

es la frecuencia del rizado. Esta frecuencia es igual a

•

en un rectificador de onda completa. es la capacidad del condensador.

. en un rectificador de media onda e igual a

Rizado

Véase también • Fuente de alimentación

Bibliografía • A. Hermosa Donate, "Principios de Electricidad y Electrónica II", Capítulo 7: Rectificación de la corriente alterna, (1999). • N. B. Tufillaro, R. Ramshankar, and J. P. Gollub, "Order-disorder transition in capillary ripples", Physical Review Letters 62 (4), 422 (1989).

Regulador de tensión Un regulador de tensión (a veces traducido del inglés como regulador de voltaje) es un dispositivo electrónico diseñado con el objetivo de proteger aparatos eléctricos y electrónicos sensibles a variaciones de diferencia de potencial o voltaje y ruido existente en la corriente alterna de la distribución eléctrica. Los reguladores de tensión están presentes en las fuentes de alimentación de corriente continua reguladas, cuya misión es la de proporcionar una tensión constante a su salida. Un regulador de tensión eleva o disminuye la corriente para que el voltaje sea estable, es decir, para que el flujo de voltaje llegue a un aparato sin irregularidades. Esto, a diferencia de un "supresor de picos" el cual únicamente evita los sobre voltajes repentinos (picos). Un regulador de voltaje puede o no incluir un supresor de picos.

Varios Reguladores de Tensión de la familia 78XX.

Funcionamiento Cuando el voltaje excede cierto límite establecido que el aparato electrico puede soportar, el estabilizador trabaja para evitar que se dañe el mismo.

Símbolo IEC de un Regulador de tensión.

Un protector de picos consta de los siguientes componentes: • Un fusible o un protector termomagnético que desconecta el circuito cuando se está sobrepasando el límite de corriente, o en caso de un cortocircuito. • Un transformador. • Resistencia variable. • Diodo Zener también conocido como diodo de supresión de voltaje.

Regulador de tensión

Necesidad de regulación La tensión que llega a las tomas de corriente de los hogares, no es adecuada, en general, para alimentar los aparatos electrónicos, ya que es una tensión cuyo valor y sentido de circulación cambia periódicamente. La mayoría de los circuitos electrónicos necesitan una tensión de menor amplitud y valor continuo en el tiempo. Lo primero que se hace es reducir esta tensión con un transformador, después se rectifica para que circule en un solo sentido, y luego se añade un filtro que absorberá las variaciones de tensión; todos estos bloques componen la fuente de alimentación regulada básica. Para circuitos más sensibles o para dar una alimentación de mayor calidad, se hace necesaria la inserción en la fuente de alimentación del bloque regulador de tensión, el cual va a proporcionar una tensión constante, además de disminuir el pequeño rizado que queda en la tensión tras pasar por el filtro.

Regulación con diodo Zener Diodo Zener El diodo Zener es un tipo especial de diodo preparado para trabajar en la zona inversa. Cuando se alcanza la denominada tensión Zener en polarización inversa, el diodo recorta la onda de tension, de este modo mantiene la tensión constante entre sus terminales dentro de ciertos márgenes. Si la corriente es muy pequeña la tensión empezará a disminuir, pero si es excesiva puede destruir el diodo. Esta propiedad hace que el diodo Zener sea utilizado como regulador de tensión en las fuentes de alimentación. Curva idealizada inversa del zener.

Regulador paralelo Es el regulador de tensión más sencillo. Consiste en una resistencia serie de entrada y el diodo zener en paralelo con la carga como se muestra en la siguiente imagen. Cuando la tensión de entrada aumenta se produce un aumento de la corriente de entrada, como la tensión del diodo zener es constante, absorbe el exceso de corriente, mientras la resistencia de entrada absorbe esta variación de tensión. Si se produce una disminución de la tensión de entrada la caída de tensión en la resistencia de entrada disminuirá, compensando la disminución inicial, por el zener circulará menor corriente.

Circuito regulador Diodo Zener.

Del circuito se deduce que para que el zener estabilice correctamente, la tensión mínima a su entrada (UIN), debe ser mayor que la tensión de referencia del zener (Vz). También hay un límite de tensión máxima debida a las limitaciones de potencia del dispositivo. Si se cumplen estas premisas, la tensión en la carga será muy aproximada igual a la del zener. Las ecuaciones básicas del circuito son las siguientes:

Donde Vin es la tensión de entrada, Vr la tensión en la resistencia serie y Vz la tensión del zener o de la resistencia de carga.

Regulador de tensión

Donde Ie es la corriente de entrada, Iz la corriente por el zener e Is la corriente por la carga.

Regulador en serie Este tipo de regulador utiliza un transistor en serie con la carga, como puede observarse en el esquema. En este circuito la corriente de entrada sigue los cambios de la corriente por la carga, sin embargo, en el regulador paralelo la corriente por la carga se mantenía constante. Al haber sustituido la resistencia serie por un transistor, este regulador tiene un mayor rendimiento que el anteriormente visto, por lo que se utiliza en circuitos de mayor potencia. Si se produce una baja en el valor de la resistencia de carga, la corriente de entrada al circuito estabilizador Estabilizador de tensión. aumenta y por donde, también aumenta la corriente por la resistencia R1, como el diodo zener mantiene su tensión constante, aumenta la caída de tensión en R1, con lo que la tensión colector-base del transistor aumenta, volviéndose menos conductivo, y estabilizando el aumento inicial de corriente.

Reguladores integrados Hoy en día es más común encontrar en las fuentes de alimentación reguladores integrados, normalmente son componentes muy parecidos a los transistores de potencia, suelen tener tres terminales, uno de entrada, un común o masa, y uno de salida, tienen una capacidad de reducción del rizado muy alta y normalmente sólo hay que conectarles un par de condensadores. Existen circuitos reguladores con un gran abanico de tensiones y corrientes de funcionamiento. La serie más conocida de reguladores integrados es la 78xx y la serie 79xx para tensiones negativas. Los de mayor potencia necesitarán un disipador de calor, este es el principal problema de los reguladores serie lineales tanto discretos como integrados, al estar en serie con la carga las caídas de tensión en sus componentes provocan grandes disipaciones de potencia. Normalmante estos reguladores no son buenos para aplicaciones de audio por el ruido que pueden introducir en preamplificadores. Para ello es mejor utilizar regulación con componentes discretos o reguladores tipo LDO de bajo ruido.

Reguladores conmutados Los reguladores conmutados solucionan los problemas de los dispositivos anteriormente citados, poseen mayor rendimiento de conversión, ya que los transistores funcionan en conmutación, reduciendo así la potencia disipada en estos y el tamaño de los disipadores. Se pueden encontrar este tipo de fuentes en los ordenadores personales, en electrodomésticos, reproductores DVD, etc, una desventaja es la producción de ruido electromagnético producido por la conmutación a frecuencias elevadas, teniendo que apantallar y diseñar correctamente la PCB (Placa de Circuito Impreso) del convertidor.

Regulador de tensión

Véase también • • • •

Diodos Diodo avalancha Varistor 78xx

Enlaces externos • Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Regulador de tensión.Commons • Diseñando Fuentes de Alimentación Reguladas [1] • Explicación de los circuitos que forman un Regulador de tensión [2]

Referencias [1] http:/ / knol. google. com/ k/ max-iskram/ electronic-circuits-design-for/ 1f4zs8p9zgq0e/ 4 [2] http:/ / industronic. com. mx/ varios/ que-es-un-regulador. html

Transistor El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.

Distintos encapsulados de "transistores.

Historia El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.

Entramado de transistores.

El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlos masivamente.

Transistor

Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI). Entramado de transistores representando 0xA o 10 en decimal. Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS (Complementary MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sin carga.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica. De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común. Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control (graduador) y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Compuerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Compuerta, Drenador y Fuente son Reja (o Grilla Control), Placa y Cátodo. Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Transistor

Tipos de transistor Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector). El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar, también llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada. • Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. • Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. • Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

Transistor

Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: - Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común) - Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor bipolar como amplificador El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor tendremos una tensión igual a la tensión directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio. Pero la gracia del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Entonces, existen tres configuraciones para el amplificador:

Emisor común

Emisor común.

La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia tanto de tensión como de corriente y alta impedancia de entrada. En caso de tener resistencia de emisor, RE > 50 Ω, y para frecuencias bajas, la ganancia en tensión se aproxima bastante bien por la siguiente expresión:

; y la impedancia de salida, por RC

Como la base está conectada al emisor por un diodo en directo, entre ellos podemos suponer una tensión constante, Vg. También supondremos que β es constante. Entonces tenemos que la tensión de emisor es: Y la corriente de emisor:

Transistor

La corriente de emisor es igual a la de colector más la de base:

Despejando

La tensión de salida, que es la de colector se calcula como: Como β >> 1, se puede aproximar:

y, entonces,

Que podemos escribir como Vemos que la parte

es constante (no depende de la señal de entrada), y la parte

nos

da la señal de salida. El signo negativo indica que la señal de salida está desfasada 180º respecto a la de entrada. Finalmente, la ganancia queda: La corriente de entrada,

, que aproximamos por

Suponiendo que VB>>Vg, podemos escribir: y la impedancia de entrada: Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de transistor más elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Base común

Base común.

La señal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. la base se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia sólo de tensión. La impedancia de entrada es baja y la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor sale por la base. Si añadimos una resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de salida de la fuente de señal, un análisis similar al realizado en el caso de emisor común, nos da la ganancia aproximada siguiente:

La base común se suele utilizar para adaptar fuentes de señal de baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrófonos dinámicos.

Transistor

Colector común La señal se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida. En esta configuración se tiene ganancia de corriente, pero no de tensión que es ligeramente inferior a la unidad. Esta configuración multiplica la impedancia de salida por β.

El transistor bipolar frente a la válvula termoiónica Véanse también: Válvula termoiónica y Transistor bipolar

Antes de la aparición del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados válvulas termoiónicas. Las válvulas Colector común. tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias: • Las válvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, que son letales para el ser humano. • Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso con baterías. • Probablemente, uno de los problemas más importantes haya sido el peso. El chasis necesario para alojar las válvulas y los transformadores requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos kilos a decenas de kilos. • El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es muy corto comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado. • Las válvulas presentan una cierta demora en comenzar a funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducción. • El transistor es intrínsecamente insensible al efecto microfónico, muy frecuente en las válvulas. • Los transistores son más pequeños que las válvulas, incluso que los nuvistores. Aunque existe unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tamaño que se ha de considerar es el del dispositivo (válvula o transistor) más el del disipador. Como las válvulas pueden funcionar a temperaturas más elevadas, la eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que basta un disipador mucho más pequeño. • Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y corrientes altas; mientras que las válvulas presentan impedancias elevadas y por lo tanto trabajan con altas tensiones pequeñas corrientes. • Finalmente, el costo de los transistores no solamente era muy inferior, sino que contaba con la promesa de que continuaría bajando (como de hecho ocurrió) con suficiente investigación y desarrollo. Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad. Tenía alrededor de 18.000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una organización importantes. Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolución. Pequeño, rápido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energía, reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 1960, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los

Transistor

transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando válvulas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias: • El transistor no tiene las características de linealidad a alta potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados.[cita requerida] • Los armónicos introducidos por la no-linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano (véase psicoacústica), por lo que son preferidos por los audiófilos • El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricación soviética. • Las válvulas son capaces de manejar muy grandes potencias, impensables en transistores. Por ejemplo, en un gran concierto la amplificación de audio hacia los altavoces.

Véase también • • • •

Transistor de punta de contacto Transistor de base permeable Transistor bipolar Transistor balístico

• • • • • • • • • • •

Transistor cuántico Transistor de silicio amorfo Fototransistor Transistor Uniunión (UJT) IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada) Transistor de aleación Transistor mesa Transistor planar (Transistor plano) Transistor lateral Transistor vertical Historia del transistor

Enlaces externos •

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor. Commons

• Transistores Vs. Válvulas para aplicaciones en audio de alta fidelidad [1], Oscar Bonello, fundador de la compañía Solidyne y miembro de Audio Engineering Society (AES), propone una interpretación posible sobre la rivalidad entre entusiastas de una u otra tecnología. • Entendiendo el Transistor [2] • Como funcionan realmente los transistores [3] Versión original en Inglés [4] • Símbolos de transistores [5]

Transistor

Referencias [1] [2] [3] [4] [5]

http:/ / hifi. suite101. net/ article. cfm/ amplificadores-transistorizados-vs-amplificadores-valvulares/ http:/ / knol. google. com/ k/ max-iskram/ electronic-circuits-design-for/ 1f4zs8p9zgq0e/ 12 http:/ / otro-geek-mas. blogspot. com/ 2008/ 08/ como-funcionan-realmente-los. html http:/ / www. amasci. com/ amateur/ transis. html http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ transistores. htm

Transistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Transistor de unión bipolar.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. • Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. • Colector, de extensión mucho mayor. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Transistor de unión bipolar

Estructura Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.

El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor. El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión, pero son caracterizados

Transistor de unión bipolar más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. Actualmente, una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad.

Funcionamiento En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente Característica idealizada de un transistor bipolar. y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.

Control de tensión, carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo). En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

Transistor de unión bipolar

El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común, . La ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN):

Tipos de Transistor de Unión Bipolar NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

El símbolo de un transistor NPN.

Transistor de unión bipolar

PNP El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo

Transistor Bipolar de Heterounión El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia.

El símbolo de un transistor PNP.

Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga que la base. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. La inyección de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. Con un transistor de unión convencional, también conocido como transistor bipolar de homojuntura, la eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyección de portadores, su resistencia es relativamente alta.

Regiones operativas del transistor Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados: • Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. • Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo. • Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Transistor de unión bipolar

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) • Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)

Historia El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.

Teoría y Modelos Matemáticos Modelos para señales fuertes

Replica del primer transistor.

El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son determinadas por:

Modelo Ebers-Moll para transistores NPN

La corriente interna de base es principalmente por difusión y

Dónde: • •

es la corriente de emisor. es la corriente de colector.

Modelo Ebers-Moll para transistores PNP

Transistor de unión bipolar •

es la ganancia de corriente directa en configuración base común. (de 0.98 a 0.998)

•

es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios)

• es el voltaje térmico (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K). • es la tensión base emisor. • W es el ancho de la base. La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor, debido a que el valor de αT es muy cercano a 1,0. En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. La relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia, β o hFE. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. En una configuración típica, una señal de corriente muy débil circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector. β está relacionada con α a través de las siguientes relaciones:

Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del transistor están expresadas más abajo. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar.

Dónde: • • •

es la corriente de colector. es la corriente de base. es la corriente de emisor.

• • •

es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500) es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20) es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10−15 a 10−12 amperios)

• • •

es el voltaje térmico (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K). es la tensión base-emisor. es la tensión base-colector.

Transistor de unión bipolar

Modelos para señales débiles Modelo de parámetro h Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de: • • • • • •

x = 'e' debido a que es una configuración emisor común. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic)

Modelo de parámetro h generalizado para un BJT NPN. Reemplazar x con e, b o c para las topologías EC, BC y CC respectivamente.

• Vin = Tensión Base-Emisor (VBE) • Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE) Y los parámetros h están dados por: • hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). • hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero). • hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) in en las hojas de datos. • hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia. Como se ve, los parámetros h tienen subíndices en minúscula y por ende representan que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas. Para condiciones de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Para la topología emisor común, un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que simplifica el análisis del circuito. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero, respectivamente). También debe notarse que el modelo de parámetro h es sólo aplicable al análisis de señales débiles de bajas frecuencias. Para análisis de señales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias.

Véase también Wikilibros •

Wikilibros alberga un libro o manual sobre Electrónica.

• Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor de unión bipolar. Commons • Transistor • Transistor Uniunión (UJT) • Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Transistor de unión bipolar

Enlaces externos • Curvas características del transistor [1] • ¿Cómo funcionan los transistores? [2] por William Beaty (en inglés) (en español) [3] • Línea del tiempo histórica de los transistores [4] (en inglés)

Referencias [1] [2] [3] [4]

http:/ / www. st-and. ac. uk/ ~www_pa/ Scots_Guide/ info/ comp/ active/ BiPolar/ bpcur. html http:/ / amasci. com/ amateur/ transis. html http:/ / otro-geek-mas. blogspot. com/ 2008/ 08/ indice-de-artculos-traducidos-de-bill. html http:/ / semiconductormuseum. com/ HistoricTransistorTimeline_Index. htm

Transistor de efecto campo El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD). P-channel

N-channel

Símbolos esquemáticos para los JFETs canal-n y canal-p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source).

Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Transistor de efecto campo

Historia Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT). Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 60's.

Tipo de transistores de efecto campo El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta. Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta: • El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2). • El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n

Comparativa de las gráficas de funcionamiento (curva de entrada o característica I-V y curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo

• El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.

• En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor. • Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) • Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFET todavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. • Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor. • Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales . La característica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del silicio policristalino.

Transistor de efecto campo

Características • • • • •

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor). Hasta cierto punto inmune a la radiación. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.

Enlaces externos • Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre Transistor de efecto campo. Commons • Símbolos de transistores Mosfet [1]

Referencias [1] http:/ / www. simbologia-electronica. com/ simbolos_electronicos/ transistores_mosfet. htm

Transistor Darlington En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo. La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.

Comportamiento Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la Diagrama de la configuración Darlington. misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Si β1 y β2son suficientemente grandes, se da que: Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor:

Transistor Darlington Para la tecnología basada en silicio, en la que cada VBEi es de aproximadamente 0,65 V cuando el dispositivo está funcionando en la región activa o saturada, la tensión base-emisor necesaria de la pareja es de 1,3 V. Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensión de saturación. El transistor de salida no puede saturarse (es decir, su unión base-colector debe permanecer polarizada en inversa), ya que su tensión colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensión base-emisor y la tensión colector-emisor del primer transistor, ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal. (En ecuaciones, , así siempre.) Por lo tanto, la tensión de saturación de un transistor Darlington es un VBE (alrededor de 0,65 V en silicio) más alto que la tensión de saturación de un solo transistor, que es normalmente 0,1 - 0,2 V en el silicio. Para corrientes de colector iguales, este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un único transistor. Otro problema es la reducción de la velocidad de conmutación, ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda, haciendo al dispositivo lento para apagarse. Para paliar esto, el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. Esta resistencia permite una vía de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unión base-emisor, permitiendo un rápido apagado.

Enlaces externos • Transistor and Darlington Pair as a Switch [1] • El transistor Darlington [2] • Circuito Darlington [3] (inglés)

Referencias [1] http:/ / knol. google. com/ k/ max-iskram/ electronic-circuit-design-for-beginners/ 1f4zs8p9zgq0e/ 13 [2] http:/ / www. unicrom. com/ tut_darlington. asp [3] http:/ / andros. eecs. berkeley. edu/ ~hodges/ DarlingtonCircuit. pdf

JFET

JFET El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

Esquema interno del transistor JFET canal P.

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una tensión negativa (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas, cortándose la corriente para tensiones mayores que Vp. Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación denominada ecuación de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A la gráfica o ecuación que relaciona estás dos variables se le denomina ecuación de salida, y en ella es donde se distinguen las dos zonas de funcionamiento de activa: óhmica y saturación.

Ecuaciones del transistor JFET Mediante la gráfica de entrada del transistor se pueden deducir las expresiones analíticas que permiten analizar matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento. Para |VGS| < |Vp| (zona activa), la curva de valores límite de ID viene dada por la expresión:

Gráfica de entrada y de salida de un transistor JFET canal n. Las correspondientes al canal p son el reflejo horizontal de éstas.

Siendo la IDSS la ID de saturación que atraviesa el transistor para VGS = 0, la cual viene dada por la expresión:

JFET

Los puntos incluidos en esta curva representan las ID y VGS (punto de trabajo, Q) en zona de saturación, mientras que los puntos del área inferior a ésta representan la zona óhmica. Para |VGS| > |Vp| (zona de corte):

Ecuación de salida En la gráfica de salida se pueden observar con más detalle los dos estados en los que el JFET permite el paso de corriente. En un primer momento, la ID va aumentando progresivamente según lo hace la tensión de salida VDS. Esta curva viene dada por la expresión:

que suele expresarse como

, siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de análisis, el transistor puede ser sustituido por una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relación entre la ID y la VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le denomina zona óhmica. A partir de una determinada VDS la corriente ID deja de aumentar, quedándose fija en un valor al que se denomina ID de saturación o IDSAT. El valor de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la expresión: . Esta IDSAT, característica de cada circuito, puede calcularse mediante la expresión:

Enlaces externos • Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre JFET. Commons • Physics 111 Laboratory -- JFET Circuits I pdf [1] (en inglés) • Simulador de un transistor JFET canal n [2] (en inglés) • Estudio en Laboratorio del JFET [3]

Referencias [1] http:/ / ist-socrates. berkeley. edu/ ~phylabs/ bsc/ PDFFiles/ bsc5. pdf [2] http:/ / www-g. eng. cam. ac. uk/ mmg/ teaching/ linearcircuits/ jfet. html [3] http:/ / www. viasatelital. com/ proyectos_electronicos/ jfet_aplicaciones. htm

MOSFET

MOSFET MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET.

Historia Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930, aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. En concreto, para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente, la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde, con el desarrollo de la tecnología del silicio. .

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N.

Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P.

Funcionamiento Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: • Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.

Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n.

• Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).

MOSFET

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato, el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes.

Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de deplexión canal n.

Conducción lineal Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.

Saturación Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

Modelos matemáticos • Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su región lineal:

donde

en la que b es el ancho del canal,

la movilidad de los electrones,

es la permitividad

eléctrica de la capa de óxido, L la longitud del canal y W el espesor de capa de óxido. • Cuando el transistor opera en la región de saturación, la fórmula pasa a ser la siguiente:

Estas fórmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como por ejemplo: • Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto. • Efecto cuerpo: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión umbral que da lugar al canal de conducción • Modulación de longitud de canal.

MOSFET

Aplicaciones La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son: • Resistencia controlada por tensión. • Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc). • Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: • • • •

Consumo en modo estático muy bajo. Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño. Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.

• Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva. • La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos. • Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.

Enlaces externos •

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre MOSFET. Commons

Transistor IGBT

Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E).

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habian sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Características El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no Sección de un IGBT. requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

Véase también • • • •

Transistor Transistor de unión bipolar (BJT) Transistor de efecto campo (MOSFET) Transistor Darlington

Circuito equivalentede un IGBT.

Transistor IGBT

Enlaces externos â&#x20AC;˘

Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre transistores IGBT. Commons

Fuentes y contribuyentes del artículo

Fuentes y contribuyentes del artículo Componente electrónico Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42159052 Contribuyentes: Anglias, Arcadiy, Camilo, Closeapple, Csoliverez, DISELEC, Dhiraj1984, Diegusjaimes, Digigalos, Djscraimer, Elimedina, Fernando Estel, J.delanoy, JaviMad, Javiernoval, JuanPaBJ16, Lasai, Lasneyx, Leugim1972, Maose, Matdrodes, Netito777, Ombresaco, PACO, Phirosiberia, Sir Magician, Snakefang, Tano4595, Xuankar, 54 ediciones anónimas Resistor Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42146087 Contribuyentes: Alman-x, Aviles921, Beto29, Cobalttempest, Digigalos, Dnu72, Drini2, Eckō, Elsenyor, Gabísimo, Galileog, Gato ocioso, GermanX, Gova, Guideon, HUB, Jaimebkn122, Jarfil, Jcea, Jorge c2010, Jorgeaber, KnightRider, Kreorst, LordT, Magister Mathematicae, Makete, Manuelt15, Markoszarrate, Meldor, Mocte13, Monmr, Muro de Aguas, Netito777, Ombresaco, Organistico, Ortisa, PACO, Petabyte, PhatomLord, Phirosiberia, Rafadose, Roberpl, Rojasyesid, RuslanBer, Sanbec, Tano4595, Tomatejc, Ummowoa, Uriburu, Wikipedico wikipedico, Xuankar, 189 ediciones anónimas Condensador eléctrico Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42447035 Contribuyentes: Airunp, Alefisico, Alejandrocaro35, AlexFBP, Alfredobi, AndresShertz, Angel GN, Antur, Aolguin, Aquamane, Baiji, Balderai, Banfield, Barahonasoria, BetoCG, Chabacano, Ctrl Z, DFTDER, Darkerol, Darkpaez, David0811, Davius, Diegazo, Diegusjaimes, Digigalos, Dodo, ECAM, Ebrainte, Edgar mye13, ElReyDeLosHabichuelos, Eldemoledor, Emijrp, Eric, Ermele, Fabimen001, Fernando Estel, Flexar, GermanX, Gonfer, Guevonaso, Gusgus, Götz, HUB, Hispa, Ialad, Icvav, Internete, Interwiki, Isha, Isumaeru, JAQG, Jarke, Joanumbert, Jorganes, JorgeGG, Klystrode, LPFR, Laura Fiorucci, Lauranrg, Leandro Palacios, Lucien leGrey, Machineman, Makete, Mansoncc, Manwë, Matdrodes, Matiasasb, Mcm200, Mmij, Moriel, Murphy era un optimista, Mushii, NZ, Natrix, Nopetro, PACO, PAYE92, Pan con queso, Periku, Phirosiberia, PoLuX124, Poco a poco, Polikuijyhdfg, Portland, Qazokm, Qwertyytrewqqwerty, Rafiko77, Rccoms, Ricardofs, Rojasyesid, SinCeO2, Socram8888, Switcher6746, Tano4595, The worst user, Tirithel, Tomatejc, Tonma, TorQue Astur, Tosin2627, Triku, Truor, Txo, Valyag, Vitamine, Xenoforme, Xoneca, Yul01, 328 ediciones anónimas Inductor Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42413345 Contribuyentes: AdelosRM, Aibdescalzo, Algieba, Amozombite, Diegusjaimes, Digigalos, Dodo, ErServi, FAR, Greek, Guadillabarciela, HUB, JMPerez, JaviMad, Joseaperez, LPFR, Maldoror, Manuelt15, Matdrodes, Mkill, Murphy era un optimista, Netito777, Ninovolador, PACO, Paconi, PhJ, Phirosiberia, Pirenne, Platonides, PoLuX124, Rojasyesid, Switcher6746, Tano4595, Vitamine, Voltio425, Xuankar, Yeza, 166 ediciones anónimas Transformador Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42584827 Contribuyentes: -jem-, ATW-KOD, Aguara, Airunp, Allforrous, Almendro, Angel GN, Antur, Axxgreazz, Açigni-Lovrij, Baiji, Barteik, BlackBeast, Cally Berry, Camilo, Ciencia Al Poder, Craigchek, Crparrav, Danielba894, Darkpipe, Dferg, Diegazo, Diegusjaimes, DoN vErDuGo, Dreitmen, Duwi, Eduardoguzmanaltamirano, Eduardosalg, El duende alegre, El mago de la Wiki, Eligna, Eric, Ernesto Genis, Ezarate, Fire rayo, Fmariluis, Futur diesel, GaizkaM, Gelpgim22, Gustronico, Götz, HUB, Hanaa, Humbefa, Humberto, Isha, Isracd, Jarke, JavierOta, Javierito92, JorgeGG, JoseRRoman, José Daniel, Kiliao1000, Klystrode, Krous, Kutaragi, Kved, Laura Fiorucci, Lusear, Magister Mathematicae, Makete, Maldoror, Maleiva, Manikinator, Manuelt15, Matdrodes, Maugemv, Millars, Murphy era un optimista, Netito777, Nixón, Okashii, PACO, Paulovis, Phirosiberia, Pillamoto, PoLuX124, Poco a poco, Profestb, Qazwsxedcrfvtgbyhnujmikiolpñ, Queninosta, Racso, Rodrigma, Samtariacuri, Santiperez, Solfeo957, Super braulio, Superzerocool, Taichi, Tano4595, Teles, Tirithel, Tomatejc, Triku, Ty25, Valyag, Vamoscolon, Varano, Veon, Viangoar, XPiPox, Xoneca, Xuankar, Yix, 435 ediciones anónimas Semiconductor Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42387160 Contribuyentes: .José, Airunp, Ale flashero, Alexav8, Arturion, Baiji, Beto29, BlackBeast, Camilo, Cookie, Coticoticoticoti, DISELEC, Diegusjaimes, Dodo, EL Willy, ErServi, Fernando Estel, FrancoGG, GermanX, Gug, Götz, HHahn, Humberto, Humbertow, Internete, Isha, JMPerez, Klystrode, Kordas, Kved, Lanjoe9, Laura Fiorucci, Lnieves, Lucien leGrey, Machineman, Mafores, Mar del Sur, Matdrodes, Matiasasb, Mecamático, Mister, Moriel, Murphy era un optimista, Netito777, Nicop, Opinador, Ortisa, PACO, Pan con queso, PoLuX124, Poco a poco, Prometheus, Rodrigo257, Sauron, Super braulio, Superhori, Superzerocool, Switcher6746, Tano4595, Tirithel, Troodon, Urdangaray, Uruk, Varusso, Vitamine, Xenoforme, Xuankar, Youssefsan, 242 ediciones anónimas Diodo Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=41997084 Contribuyentes: .Sergio, 3coma14, Airunp, Alejandrocaro35, Aloriel, Antur, Baiji, Barahonasoria, BelegDraug, Biohazard910, Bucho, Carabás, Carloszelayeta, Cobalttempest, DISELEC, Dferg, Didarabocchi, Diegusjaimes, Dionisio, Dodo, ECAM, Eduardosalg, Elisardojm, Elujan, Enkur, Er Komandante, Ermele, Fanotron, Fernando Rosso R, GermanX, Greek, Gurgut, Götz, Hoce, Humanoc, Humberto, Icvav, Klystrode, Korgaillo95, Laura Fiorucci, Leopupy, Lobo, Loco085, Locos epraix, Lolopeyote, Lopezpablo 87, Lourdes Cardenal, Marvelshine, Matdrodes, Moriel, Mortadelo2005, Murphy era un optimista, Mushii, Nel17, Netito777, Ninovolador, Olvvitenzk, PACO, PAYE92, Padre31, Paintman, Pepulo, Phirosiberia, Plugger, PoLuX124, Poco a poco, Ramjar, Rastrojo, Roberpl, Rockarolla, RoyFocker, Rαge, Sabbut, Socram8888, SpeedyGonzalez, Super braulio, Switcher6746, Tano4595, Tesla07, Tirithel, Tomatejc, Triku, Vlad72, Yalico, 353 ediciones anónimas Rectificador Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=40473882 Contribuyentes: Airunp, Alhen, Biohazard910, C'est moi, Dodo, Eligna, Giro sin Tornillos, Humberto, Jmcastano, JorgeGG, Klystrode, Macarse, Magister Mathematicae, Matdrodes, Mmm05, Muro de Aguas, Máximo de Montemar, Nicop, OLM, Omarrubenisaias, PACO, Phirosiberia, PoLuX124, Porao, Portland, RAYDave, Retama, Sabbut, Sanbec, Sargentgarcia89, SpeedyGonzalez, Tano4595, Triku, Tronch, Wrightbus, Xuankar, Yeza, 126 ediciones anónimas Rectificador de media onda Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42373988 Contribuyentes: Danipilze, Diegusjaimes, Dodo, Duuk-Tsarith, Gsrdzl, IcedWind, Isha, Jekter, JorgeGG, Matdrodes, Netito777, PACO, Poc-oban, Richy, Rosarinagazo, Sebado, SpeedyGonzalez, Vic Fede, Vitamine, Xuankar, Yaguitodedios, 94 ediciones anónimas Rectificador de onda completa Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42455895 Contribuyentes: Aecc, BlackBeast, Cobalttempest, DISK548, Diegusjaimes, Dodo, EL Willy, Ggenellina, Lourdes Cardenal, Maldoror, Manuelt15, MarhaultElsdragon, Matdrodes, Mmm05, Moriel, Murphy era un optimista, Netito777, ONDIA, PACO, Queninosta, Rarok, Retama, SpeedyGonzalez, Tirithel, Xuankar, 90 ediciones anónimas Filtro de condensador Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=35195935 Contribuyentes: Airunp, Charlitos, EL Willy, Murphy era un optimista, PACO, Portland, Triku, 12 ediciones anónimas Rizado Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=40153537 Contribuyentes: Damifb, Diegusjaimes, Jarke, Joseaperez, Matdrodes, PoLuX124, Portland, Rosarinagazo, Triku, Xuankar, 27 ediciones anónimas Regulador de tensión Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=40928226 Contribuyentes: BetoCG, BuenaGente, Cesar Eduardo Ballesteros Aguirre, Cobalttempest, Diegusjaimes, Dreitmen, Dyvci, ECAM, Ebraminio, Electrodan, Erfil, Futur diesel, G.D.H.M., Gusgus, Götz, Ingolll, Isha, Janee, JaviMad, Karlox, Kved, Loco085, Mafores, Maldoror, Manuel Eslocum, Matdrodes, Mdossantos, Millars, Moleculax, Moonkey, Muro de Aguas, RoyFocker, Solarpinto, Solfeo957, Sonett72, Sonik, Tarantino, Vatelys, Vic Fede, 66 ediciones anónimas Transistor Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42411937 Contribuyentes: 1297, Abho, AgD, Airunp, Albertofallas100, AldanaN, Alejandrosilvestri, Alhen, Angel GN, Antonio Páramo, Antur, Antón Francho, Aparejador, Armin76, Ascánder, Axxgreazz, BL, Banfield, Biasoli, Camilo, Carcam, Carlosmonzon, Cinabrium, Cookie, Csoliverez, Ctrl Z, Daguero, David0811, DerHexer, Derlis py, Dferg, Dianai, Diegusjaimes, Dionisio, Dodo, Donner, Eduardosalg, Edub, El mago de la Wiki, Endermuabdib, Ener6, Ernesto Graf, Esoya, Fbristot, Felipealvarez, Ferbrunnen, Fernando Estel, Frutoseco, Gaius iulius caesar, Galandil, Galaxy4, Gallegos, GermanX, Ggenellina, Gothmog, Greek, Gustronico, Humanoc, Humberto, I8eg5, Icvav, Isha, JaviMad, Javierito92, Jcprietoc, Jkbw, Jmcalderon, Jondel, Jorceus, JorgeGG, Jorgechp, Jredmond, Jromgarcia, KErosEnE, Klystrode, Kotxe, Kved, Landertxu, Leugim1972, Linesor, Lucien leGrey, Mahadeva, Maldoror, ManuelGR, Manuelt15, Maose, Mastelevision, Matdrodes, Matiasasb, Moriel, Muro de Aguas, Murphy era un optimista, Máximo de Montemar, Netito777, Nicop, Nopalbeat, PACO, Pabloab, Palica, Pepepex, Petronas, Phirosiberia, Platonides, PoLuX124, Pompilio Zigrino, Queninosta, Qwertyytrewqqwerty, Retama, Rodriguillo, RoyFocker, Rumpelstiltskin, SPQRes, Sanbec, Seanver, Ser ara, Shooke, Snakeyes, Socram8888, Sonett72, Superzerocool, Switcher6746, Tano4595, Thingg, TrebleChaser, Triku, Villamota, Will vm, Xavigivax, Xuankar, Youssefsan, 582 ediciones anónimas Transistor de unión bipolar Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=41998049 Contribuyentes: 121marco, ALE!, Antonio maza, Carabás, Charlest, CharlieM, Davius, Digigalos, Eduardosalg, Eligna, FrancoGG, GermanX, Gusgus, HUB, Humanoc, Isha, Jacquard, Jcabfer, Josemanuel Navas, Kb99, Kved, Living001, MALM RINO, Macarrones, Marvelshine, Matdrodes, Matiasasb, Mitrush, Muimota, Murphy era un optimista, Ortisa, Paintman, Phirosiberia, Plugger, PoLuX124, Rodrigo, SPQRes, Tarantino, 91 ediciones anónimas Transistor de efecto campo Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42219932 Contribuyentes: Abece, Asasia, Charlitos, GermanX, Humanoc, JMPerez, Jmaquino, Kved, Lola Martinez Martinez, Matiasasb, Ninovolador, Phirosiberia, Zukertort, 29 ediciones anónimas Transistor Darlington Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=41205768 Contribuyentes: Af3, Dodo, Espilas, GermanX, Murphy era un optimista, PACO, 30 ediciones anónimas JFET Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42266628 Contribuyentes: Airunp, Analbertocorrea, GermanX, JRGL, Joseb27b, Murphy era un optimista, Opinador, Phirosiberia, Platonides, Rosarinagazo, Xuankar, 25 ediciones anónimas MOSFET Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=42312894 Contribuyentes: Akhram, Amorde2, Carlox, Cookie, Coren, Danielba894, Diegusjaimes, Ensada, Forza4, Foundling, GermanX, Guanxito, H2r3k8, Halcón, JorgeGG, Jorgechp, Juantxorena, Klystrode, Lola Martinez Martinez, LordT, Manwë, Marb, Marvelshine, Matdrodes, Matiasasb, Muro de Aguas, Netito777, Phirosiberia, Pingue, PoLuX124, PrEC, Rosarinagazo, Rulo86, Tostadora, Truor, Txo, Villamota, Wesisnay, Wikiléptico, 147 ediciones anónimas

Fuentes y contribuyentes del artículo Transistor IGBT Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?oldid=41779684 Contribuyentes: Albertofallas100, Alex esquivel, CommonsDelinker, FedericoMP, GermanX, Mig, Murphy era un optimista, Paintman, Smrolando, Tano4595, Tarantino, 12 ediciones anónimas

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes Archivo:Componentes.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Componentes.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: User:Kae Archivo:Upor simbol1.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Upor_simbol1.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Andrej Jakobčič Archivo:6 different resistors.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:6_different_resistors.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.0 Contribuyentes: User:Afrank99 Archivo:Resistencia.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Resistencia.svg Licencia: Public Domain Contribuyentes: User:Dnu72 Archivo:Register.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Register.jpg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Haragayato, user:hidro Image:Zero ohm resistors cropped.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Zero_ohm_resistors_cropped.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: User:Mike1024 Archivo:Register3.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Register3.jpg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Haragayato Archivo:Photo-SMDcapacitors.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Photo-SMDcapacitors.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Shaddack Archivo:Condensators.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Condensators.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Duesentrieb, Joanjoc, Matijap, Vladsinger, 1 ediciones anónimas Archivo:Condensador.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Condensador.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:Diagrama2.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diagrama2.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:FasorialC.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:FasorialC.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:CircuitosEquivalentesCondensador.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:CircuitosEquivalentesCondensador.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:Capacitorsseries.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Capacitorsseries.png Licencia: desconocido Contribuyentes: Artem Karimov, CommonsDelinker, Omegatron, Paddy, WikipediaMaster Archivo:Capacitorsparallel.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Capacitorsparallel.png Licencia: desconocido Contribuyentes: Artem Karimov, Omegatron, Paddy, WikipediaMaster Archivo:Celectr.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Celectr.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Archivo:Tantalos.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Tantalos.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Archivo:cpoli.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Cpoli.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Archivo:CCeramicos.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:CCeramicos.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antoni Pedreira Archivo:Condensador-variable.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Condensador-variable.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.0 Contribuyentes: User:Socram8888 Archivo:Commons-logo.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Commons-logo.svg Licencia: logo Contribuyentes: User:3247, User:Grunt Archivo:Inductors-photo.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Inductors-photo.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Dodo, Hefo Archivo:Inductancia.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Inductancia.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:Diagrama1.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diagrama1.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:FasorialL.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:FasorialL.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:CircuitosEquivalentesInductancia.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:CircuitosEquivalentesInductancia.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: José Luis Gálvez Archivo:Inductorsseries.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Inductorsseries.png Licencia: desconocido Contribuyentes: D-Kuru, Omegatron, Paddy, WikipediaMaster Archivo:Inductorsparallel.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Inductorsparallel.png Licencia: desconocido Contribuyentes: D-Kuru, Omegatron, Paddy, WikipediaMaster Archivo:Induc1a.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Induc1a.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: D-Kuru, LP Archivo:Induc2a.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Induc2a.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: D-Kuru, LP Archivo:InductA.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:InductA.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: D-Kuru, LP, Poke2001 Archivo:Induc3a.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Induc3a.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: LP Archivo:InductB.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:InductB.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: D-Kuru, LP, Poke2001 Archivo:InductC.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:InductC.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Albedo-ukr, LP Archivo:WeldingTransformer-1.63.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:WeldingTransformer-1.63.png Licencia: GNU General Public License Contribuyentes: User: Mtodorov_69 Archivo:Threephasepolemountclose.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Threephasepolemountclose.jpg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Bidgee, Plugwash, Tomia, 1 ediciones anónimas Archivo:PoleMountTransformer02.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:PoleMountTransformer02.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: User:Light current Archivo:Transformador.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Transformador.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:PACO Archivo:Transformer under load.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Transformer_under_load.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: Me Archivo:Drehstromtransformater im Schnitt Hochspannung.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Drehstromtransformater_im_Schnitt_Hochspannung.jpg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Stahlkocher Archivo:Transformador de PCV.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Transformador_de_PCV.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Gelpgim22 (Sergio Panei Pitrau) Archivo:Diapositiva14.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diapositiva14.PNG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Archivo:DST Zeilentrafo.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:DST_Zeilentrafo.jpg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Appaloosa Archivo:LVDT.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:LVDT.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Zedh Archivo:Small toroidal transformer.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Small_toroidal_transformer.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: User:BillC Archivo:Caracterizar nucleo.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Caracterizar_nucleo.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Fire rayo Archivo:trafo.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Trafo.JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Imagen:Commons-logo.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Commons-logo.svg Licencia: logo Contribuyentes: User:3247, User:Grunt Image:Wikibooks-logo.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Wikibooks-logo.svg Licencia: logo Contribuyentes: User:Bastique, User:Ramac Archivo:Semiconductor intrinseco.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Semiconductor_intrinseco.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Pieter Kuiper, Yrithinnd Archivo:Diode-photo.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diode-photo.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Honina Archivo:2-50A 2 (2).JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:2-50A_2_(2).JPG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Antonio Pedreira Archivo:Diodo pn - zona de carga espacial.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Willy at es.wikipedia Later versions were uploaded by Biohazard910 at es.wikipedia.

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes Archivo:Diode01.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diode01.svg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Knutux, Rocket000, Sergey kudryavtsev, 1 ediciones anónimas Archivo:Diodo pn- Polarización directa.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diodo_pn-_Polarización_directa.PNG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Biohazard910 at es.wikipedia Archivo:Diodo pn- Polarización inversa.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diodo_pn-_Polarización_inversa.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Biohazard910 at es.wikipedia Archivo:Diodo - curva característica (Sockley).png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Diodo_-_curva_característica_(Sockley).png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: WikipediaMaster, Yrithinnd Archivo:6CH2P.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:6CH2P.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Socram8888 Archivo:Rectifier.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Rectifier.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: made by who releases into public domain Archivo:Gratz.rectifier.en.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Gratz.rectifier.en.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: Akilaa, Glenn, PACO, Petr.adamek Archivo:Circuito rectificador media onda.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuito_rectificador_media_onda.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Willy Archivo:Circuito_rectificador_media_onda_OFF.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuito_rectificador_media_onda_OFF.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Willy Archivo:tensión sinusoidal.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Tensión_sinusoidal.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Amada44, AnyFile, Jmabel, Yrithinnd Archivo:Curva_transferencia_rectificador_media_onda.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Curva_transferencia_rectificador_media_onda.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Willy Archivo:tensión_rectificada_media_onda.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Tensión_rectificada_media_onda.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Willy Imagen:Question book.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Question_book.svg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: El Muñeco Shakes It Up, Baby, Javierme, Loyna, Remember the dot, Victormoz, Wouterhagens, 5 ediciones anónimas Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Ecemaml, Ggenellina, Glenn, Yrithinnd Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa_ON.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa_ON.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Ecemaml, Glenn, Yrithinnd Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa_OFF.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuito_rectificador_onda_completa_OFF.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Ecemaml, Ggenellina, Glenn, Yrithinnd Archivo:Puente_de_diodos.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Puente_de_diodos.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Glenn, WikipediaMaster, Yrithinnd Archivo:Curva_transferencia_rectificador_onda_completa.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Curva_transferencia_rectificador_onda_completa.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Ecemaml, Glenn, Yrithinnd Archivo:tensión_rectificada_onda_completa.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Tensión_rectificada_onda_completa.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Willy Later versions were uploaded by Moriel at es.wikipedia. Archivo:Filtro teórico.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Filtro_teórico.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Triku at es.wikipedia Archivo:Filtro teórico tensiones.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Filtro_teórico_tensiones.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Triku at es.wikipedia Archivo:Filtro de condensador media onda.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Filtro_de_condensador_media_onda.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Triku at es.wikipedia Archivo:Filtro media onda tensiones.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Filtro_media_onda_tensiones.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was PACO at es.wikipedia Archivo:Filtro media onda intensidades.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Filtro_media_onda_intensidades.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was PACO at es.wikipedia Archivo:7800 IC regulators.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:7800_IC_regulators.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 3.0 Contribuyentes: Silverxxx (talk). Original uploader was Silverxxx at en.wikipedia Archivo:Voltage-Regulator-IEC-Symbol.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Voltage-Regulator-IEC-Symbol.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: User:J.P.Lon Archivo:Curva-zener.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Curva-zener.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Karlox Archivo:Zener diode voltage regulator.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Zener_diode_voltage_regulator.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: DrJolo, Glenn, Sergey kudryavtsev, Tothwolf, WikipediaMaster, 1 ediciones anónimas Archivo:Voltage stabiliser transistor.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Voltage_stabiliser_transistor.png Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Audriusa Archivo:Transistor-photo.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Transistor-photo.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: AKA MBG, BethOHara, EugeneZelenko, Glenn, Paddy, Severino666 Archivo:Circuitotransistores.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuitotransistores.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 3.0 Contribuyentes: User:Joniale Archivo:Circuitotransistores2.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Circuitotransistores2.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 3.0 Contribuyentes: User:Joniale Archivo:NPN common emitter.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:NPN_common_emitter.svg Licencia: desconocido Contribuyentes: User:Omegatron Archivo:NPN common base.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:NPN_common_base.svg Licencia: desconocido Contribuyentes: User:Omegatron Archivo:Common collector.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Common_collector.png Licencia: desconocido Contribuyentes: FDominec, Omegatron, Paddy Archivo:BC548.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:BC548.jpg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 3.0 Contribuyentes: User:Marvelshine Archivo:Bipolar Junction Transistor PNP Structure.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Bipolar_Junction_Transistor_PNP_Structure.png Licencia: Public Domain Contribuyentes: Cepheiden, Cwbm (commons), MovGP0, Yves-Laurent Archivo:npn BJT cross section.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Npn_BJT_cross_section.PNG Licencia: Public Domain Contribuyentes: Original uploader was Mário at en.wikipedia Archivo:Característica idealizada de un transistor bipolar.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Característica_idealizada_de_un_transistor_bipolar.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: User:Phirosiberia, User:Yves-Laurent Archivo:BJT symbol NPN.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:BJT_symbol_NPN.svg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Crochet.david, E2m, Gvf Archivo:BJT symbol PNP.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:BJT_symbol_PNP.svg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Crochet.david, E2m, Gvf Archivo:Replica-of-first-transistor.jpg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Replica-of-first-transistor.jpg Licencia: Public Domain Contribuyentes: Daderot, Glenn, Hdelacy, Mnd, Nagy, Para, Ragesoss, Topory, WikipediaMaster, 3 ediciones anónimas Archivo:Ebers-Moll Model NPN.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Ebers-Moll_Model_NPN.PNG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Krishnavedala at en.wikipedia Archivo:Ebers-Moll Model PNP.PNG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Ebers-Moll_Model_PNP.PNG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Krishnavedala at en.wikipedia

Fuentes de imagen, Licencias y contribuyentes Archivo:H-parameters.gif Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:H-parameters.gif Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: Original uploader was Rohitbd at en.wikipedia Archivo:JFET_symbol_P.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:JFET_symbol_P.png Licencia: desconocido Contribuyentes: Cepheiden, Crochet.david, EugeneZelenko, Ilmari Karonen, Omegatron, Paddy Archivo:JFET_symbol_N.png Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:JFET_symbol_N.png Licencia: desconocido Contribuyentes: Cepheiden, Crochet.david, EugeneZelenko, Ilmari Karonen, Omegatron, Paddy Archivo:Comparison between field-effect transistors.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Comparison_between_field-effect_transistors.svg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Phirosiberia Archivo:Darlington00.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Darlington00.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.0 Contribuyentes: Patrick-Emil Zörner (Paddy) Archivo:Esquema interno del transistor JFET.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Esquema_interno_del_transistor_JFET.svg Licencia: Creative Commons Attribution 3.0 Contribuyentes: User:Crates Archivo:JFET n-channel.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:JFET_n-channel.svg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Phirosiberia Archivo:Mosfet n.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Mosfet_n.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Marvelshine Archivo:Mosfet p.JPG Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:Mosfet_p.JPG Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Marvelshine Archivo:MOSFET enhancement-mode n-channel.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:MOSFET_enhancement-mode_n-channel.svg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Phirosiberia Archivo:MOSFET depletion-mode n-channel.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:MOSFET_depletion-mode_n-channel.svg Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:Phirosiberia Archivo:IGBT symbol.gif Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:IGBT_symbol.gif Licencia: GNU Free Documentation License Contribuyentes: User:ArséniureDeGallium Archivo:IGBT cross section.svg Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:IGBT_cross_section.svg Licencia: Creative Commons Attribution-Sharealike 2.5 Contribuyentes: CyrilB, Glenn, WikipediaMaster Archivo:IGBT equivalent circuit fr.gif Fuente: http://es.wikipedia.org/w/index.php?title=Archivo:IGBT_equivalent_circuit_fr.gif Licencia: Public Domain Contribuyentes: User:ArséniureDeGallium

Licencia

Licencia Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported http:/ / creativecommons. org/ licenses/ by-sa/ 3. 0/