FUNDAMENTO TEORICO El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos contactos llamados; colector(C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulación de corriente: electrones y huecos. Semiconductor tipo N En este tipo de semiconductores, el material de silicio se contamina o dopa con átomos de fósforo o arsénico, los cuales contienen cinco electrones en sus capas exteriores. Al introducirse en la estructura del silicio, cada átomo de impureza sustituye a un átomo de silicio, lo que provoca que cada átomo de estos elementos se una con cuatro átomos de silicio de la red y quede un electrón libre que puede moverse a través del material. Como los electrones libres tienen carga negativa, de ahí su nombre tipo N.
Semiconductor tipo P A diferencia del semiconductor N, en este tipo de semiconductores, el silicio es contaminado o dopado con átomos de boro o galio, los cuales tienen sólo tres electrones en sus capas externas. Así, cuando un átomo de estos elementos sustituye a uno de silicio dentro de la estructura, la ausencia de un electrón generará un hueco en donde puede entrar fácilmente un electrón, y así podrá conducir la electricidad. Se denomina tipo P a este tipo de material semiconductor dado