MEMORIA RAM
random access memory Memoria de acceso aleatorio
Memoria de acceso aleatorio es un tipo de memoria volรกtil que permite almacenar datos e instrucciones de forma temporal mientras que el sistema hace uso de ella. Una vez dejan de usarse, esos datos desaparecen. La memoria RAM aportarรก fluidez a tu sistema, por lo que la cantidad a instalar y el tipo de memoria dependerรก mucho del uso que vayas a hacer del ordenador, capacidad de la placa elegida e incluso el sistema de refrigeraciรณn que tengas instalado en tu PC. jjorge4@gmail.com
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Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados. Es el área de trabajo para la mayor parte del software de un computador. Existe una memoria intermedia entre el procesador y la RAM, llamada cache, pero ésta sólo es una copia (de acceso rápido) de la memoria principal (típicamente discos duros) almacenada en los módulos de RAM. Se trata de una memoria de estado sólido tipo DRAM en la que se puede tanto leer como escribir información. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo. Se dicen "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible. jjorge4@gmail.com
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tamaño y formato Actualmente, la gran mayoría de las placas base utiliza el tipo de memoria DDR3, pero los fabricantes ya comienzan a lanzar nuevos modelos que soportan el nuevo formato DDR4. Los distintos formatos de memoria RAM (DDR400, DDR2, DDR3 y DDR4) se diferencian por el número de contactos del conector de la placa base. Además, cada tipo cuenta con diferentes muescas en el conector que impide que, por ejemplo, puedas confundirlos e intentar conectar un módulo DDR2 en un conector DDR3. Algo más habitual de lo que podría llegarse a pensar. Como hemos comentado, estamos en plena transición entre la memoria DDR3 y DDR4, por lo que debes asegurarte de elegir la memoria RAM adecuada para tu placa base. Algunos módulos incorporan disipadores de aluminio que mejoran la refrigeración de los chips de memoria, pero también elevan su altura y pueden llegar a tocar con el disipador que refrigera el procesador. Por lo tanto, a la hora de elegir los módulos de memoria, ten en cuenta las medidas de ambos elementos ya que unas memorias demasiado altas podrían impedir la instalación de un disipador sobredimensionado para el procesador. jjorge4@gmail.com
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Frecuencias y perfiles de configuración. Cada módulo de memoria RAM está formado por varios chips de memoria que funciona a una determinada frecuencia de trabajo. Esta frecuencia, al igual que en los procesadores, afecta directamente al rendimiento y se mide en Megahercios (MHz). Al elegir la memoria RAM que instalarás en tu PC, debes asegurarte de que la placa base soporta la frecuencia de trabajo de la memoria RAM. Algunas placas base cuentan con soporte para perfiles XMP (Extreme Memory Profile). Si tanto los módulos de memoria, como la placa base, soportan esta función de configuración, al instalarlos, la placa detectará automáticamente la frecuencia de la memoria RAM y la configurará para obtener el máximo rendimiento. Al instalar algunos módulos de memoria, la placa puede configurarlos para que trabajen a una frecuencia inferior a la que el fabricante prometía. En ese caso tendrás que configurar la frecuencia de la memoria RAM manualmente desde la BIOS o UEFI para subir el multiplicador de sus frecuencias y hacer que funcionen a la velocidad correcta. jjorge4@gmail.com
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Latencias en la RAM Junto a la frecuencia, otro de los parรกmetros que tienes que tener en cuenta a la hora de elegir la memoria RAM adecuada para tu ordenador son las latencias de la memoria. La estructura interna de la memoria RAM es como la de un tablero de ajedrez tridimensional en el que cada cuadro del tablero es una celda en la que se escriben los datos que se almacenan.
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El voltaje tambiEn importa Si te damos a elegir entre un coche que consuma mucho combustible y un coche que consuma muy poco, probablemente no tendrás muchas dudas al elegir el que menos consume, para de ese modo ahorrar algo de dinero en gasolina. Pues en la memoria RAM sucede algo similar. Aunque la mayoría de los módulos DDR3 disponibles están diseñados para consumir un máximo de 1,5 voltios, existen algunos que rebajan esa cuota de consumo y la sitúan en torno a los 1,35 voltios. Estos consumos, en situaciones normales simplemente implican un menor consumo energético. jjorge4@gmail.com
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Pero si quieres llevar al límite a tus memorias RAM y subir sus frecuencias de trabajo, este margen de voltaje te permitirá sobrealimentar los chips de memoria para alcanzar el límite de voltaje recomendado de 1,5 voltios y obtener así un mayor rendimiento. Por supuesto, esta operación de Overclocking debe realizarse con la mayor de las cautelas o podrías dañar las memorias y otros componentes de la placa base. jjorge4@gmail.com
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RAM para portAtiles La memoria RAM para ordenadores portátiles funciona exactamente igual que la de la de los ordenadores de sobremesa. La única diferencia entre ellas es que la memoria RAM para portátiles es mucho más pequeña que la de los ordenadores de sobremesa. A la hora de elegir un tipo de memoria RAM para portátil debes tener en cuenta los mismos parámetros que para la normal, haciendo especial hincapié en la compatibilidad del nuevo módulo con la placa base de tu portátil. Si eliges un módulo con una frecuencia más alta de la que soporta el portátil, puede provocar que no lo reconozca o, en el mejor de los casos, que gastes más dinero para que al final funcione por debajo de sus prestaciones. Por el contrario, un módulo con una frecuencia de trabajo demasiado baja hará que tu portátil funcione más lento que antes. jjorge4@gmail.com
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DDR4. El futuro ya estAá aquíI El nuevo estándar de memoria RAM es el tipo DDR4, que ya está dejando de ser una especificación exclusiva de las placas base de rendimiento extremo, y comienza a extenderse poco a poco al resto de gamas. Los módulos de las memorias DDR4 tienen 288 contactos (o pines) a diferencia de los240 contactos que tiene la DDR3. Esto se traduce en una mayor velocidad de transferencia de datos que se sitúa en un máximo de 4.266 MT/s, mientras que la memoria DDR3 se mantiene en 2.133 MT/s. Los módulos de memoria DDR4 no son compatibles con los conectores DDR3 de las placas base. Físicamente existen algunas diferencias que permiten identificar los módulos DDR4 de los DDR3. En los DDR4, los pines de contacto centrales son ligeramente más largos que los de los extremos. Además, no podrás equivocarte al conectarlos en un conector DDR3 ya que la hendidura que tiene la conexión también ha cambiado, el número de conectores es mayor y los voltajes a los que trabajan ambos componentes son diferentes. jjorge4@gmail.com
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La memoria DDR4 ha conseguido optimizar el consumo fijando su voltaje entre 1,05 y 1,2 V., frente a los 1,5 V. que necesitan la mayoría de los módulos DDR3. Esta optimización también afecta de forma directa a la generación de calor, que se reduce en la misma proporción que el voltaje. Por lo tanto, también afectará a la refrigeración general del equipo. Los módulos de memoria DDR4 funcionan a una frecuencia de reloj mucho más alta que la de las memorias DDR3. Así, mientras que solo los módulos DDR3 más extremos eran capaces de alcanzar frecuencias de hasta 2.933 MHz, los módulos DDR4 más básicos ya alcanzan los 2.133 MHz, mientras que los más extremos son capaces de alcanzar los 4.000 MHz. Pero no todo iban a ser bondades en la nueva tecnología. La parte negativa es que las latencias de la memoria DDR4 es más lenta que la de la memoria DDR3. Para que te hagas una idea, la latencia media de los módulos DDR3 es de CL9, mientras que en las memorias DDR4 lo más común es encontrar una latencia de CL15. Por suerte esto se compensa gracias a que el resto de valores que afectan al rendimiento son muy superiores. jjorge4@gmail.com
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Tipos de Memorias RAM
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La frase memoria se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los módulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio , ya que las ROM, memorias Flash , caché (SRAM) , los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición. Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la tarjeta principal. jjorge4@gmail.com
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CaracterIísticas de la memoria principal (RAM) Un sistema de memoria se puede clasificar en función de muy diversas características. Entre ellas podemos destacar las siguientes: localización de la memoria, capacidad, método de acceso y velocidad de acceso. En el caso de la memoria RAM (también denominada memoria principal o primaria) se puede realizar la siguiente clasificación:
Localización:
Interna (se encuentra en la placa base) Capacidad: Hoy en día no es raro encontrar ordenadores PC equipados con 512, 1024, 2048Mb de memoria RAM y mas. Método de acceso: La RAM es una memoria de acceso aleatorio. Esto significa que una palabra o byte se puede encontrar de forma directa, sin tener en cuenta los bytes almacenados antes o después de dicha palabra (al contrario que las memorias en cinta, que requieren de un acceso secuencial). Además, la RAM permite el acceso para lectura y escritura de información. jjorge4@gmail.com
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Velocidad de acceso: Actualmente se pueden
encontrar sistemas de memoria RAM capaces de realizar transferencias a frecuencias del orden de los Gbps (gigabits por segundo). También es importante anotar que la RAM es una memoria volátil, es decir, requiere de alimentación eléctrica para mantener la información. En otras palabras, la RAM pierde toda la información al desconectar el ordenador. Según los tipos de conectores que lleve la memoria, al conjunto de éstos se les denominan módulos, y éstos a su vez se dividen en: jjorge4@gmail.com
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DIP, de “Dual In line Package” , un
tipo de encapsulado que consiste en un único chip de memoria rectangular con dos filas de pines de conexión, uno a cada lado del encapsulado, que conectan a las celdas de memoria con el exterior. Se encontraban en las primeras computadoras. Una de las principales desventajas es el lugar que ocupaban en la placa principal. jjorge4@gmail.com
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SIPP
es la sigla de "Single In-line Package" lo que traducido significa soporte en simple línea. Son los primeros tipos de memorias DRAM (RAM dinámicas, construidas a base de capacitores), que integraron en una sola plaqueta varios módulos del tipo DIP, lográndose de ésta manera comercializar mayores capacidades en una sola placa. Los terminales se concentraron en la parte inferior del módulo en forma de pines (30) que se insertaban dentro de un zócalo especial en la motherboard. jjorge4@gmail.com
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SIMM siglas de “Single In-line Memory Module”, ,
es un formato para que consiste en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos sobre la motherboard que pueden tener 30 o 72 contactos. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los módulos DIMM. Este tipo de memorias fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90. Las diferencias entre ambas radica en los tiempos de acceso, y la capacidad de almacenamiento, siendo esta última para los SIMM de 30 pines: 256kB, 1MB, 4MB, 16MB las cuales debían colocarse de a pares. Las capacidades de los SIMM de 72 pines eran: 1MB, 2MB, 4MB, 8MB, 16MB, 32MB, 64 MB. jjorge4@gmail.com
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Peque単a placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Se fabrican con diferentes velocidades de acceso capacidades (4, 8, 16, 32, 64 Mb) y son de 30 o 72 contactos. Se montan por pares generalmente.
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DIMM
siglas de “Dual In-line Memory Module”. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos, o pines separados en ambos lados de la plaqueta, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro. Las frecuencias típicas de éstos módulos son: PC66, 66Mhz, PC100, 100Mhz y PC133 a 133Mhz. Éstos módulos de memoria pueden transmitir hasta 64 bits, y en algunos casos 72 bits. Poseen 168 pines. jjorge4@gmail.com
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Memoria SIMM
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Son m谩s alargados, cuentan con 168 contactos y llevan dos muescas para facilitar su correcta colocaci贸n. Pueden montarse de 1 en 1.
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RIMM acrónimo de “Rambus In-line Memory Module” ,
designa a los módulos que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por la empresa Rambus. Éste tipo de memorias funcionan con un régimen alto de frecuencia, mucho mayor a los DIMM, que van desde 133Mhz a 533Mhz, por este motivo es que poseían disipador. Poseen 184 pines y fueron populares a mediados de los años 90’, aunque su alto valor y el advenimiento de los módulos DDR hicieron que no fueran de implementación masiva. jjorge4@gmail.com
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DDR, acrónimo de “Double Data Rate”,
significa doble tasa de transferencia de datos. Disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. La nomenclatura estándar para este tipo de memorias iba desde DDR-200 a 100Mhz, hasta DDR-533 a 266Mhz. Poseen 184 contactos o pines, pueden ser diferenciados fácilmente con los módulos DIMM por las muescas de inserción en el zócalo de la motherboard. jjorge4@gmail.com
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DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo de reloj,
es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR tradicional (si una DDR a 200MHz reales entregaba 400MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200MHz reales entrega 800MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un peque帽o buffer que es el que guarda la informaci贸n para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 s贸lo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los m贸dulos de memoria. Posee 240 pines o contactos a diferencia de su antecesora la DDR de 184 pines o contactos. jjorge4@gmail.com
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DDR3 El principal beneficio de las memorias
es la transferencias de datos de hasta ocho veces más rápido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Si bien posee 240 pines o contactos como la DDR2, es incompatible con la misma. Una de las ventajas que trae consigo esta tecnología es que pueden fabricarse módulos de hasta 16GB de capacidad. jjorge4@gmail.com
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DDR4
En el año 2014 fueron lanzadas al mercado estas memorias, junto a motherboards con chipsets y zócalos compatibles con dicha memoria. El chip DDR4 posee 288 pines o contactos, a diferencia de su antecesora que poseía 240. Con este tipo de memorias se logran tasas de transferencia muy superiores, ya que con un bus a 2133Mhz ejecuta 4266 MT/s (millones de transferencias por segundo). El problema es que no son compatibles con las DDR3, no solo por su zócalo, sino también por que su tensión de alimentación es menor. jjorge4@gmail.com
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Tipo RAM jjorge4@gmail.com
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RAM "Random Aleatory Memory", memoria
de acceso aleatorio Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse informaci贸n en cualquier momento, pero que pierde la informaci贸n al no tener alimentaci贸n el茅ctrica. jjorge4@gmail.com
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EDO RAM
"Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida TecnologĂa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador. jjorge4@gmail.com
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BEDO RAM "Burst EDO Random Access Memory",
memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst TecnologĂa opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracias al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria jjorge4@gmail.com
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DRAM
"Dinamic Random Access Memory", memoria dinĂĄmica de acceso aleatorio Es el tipo de memoria mas comĂşn y econĂłmica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. jjorge4@gmail.com
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SDRAM "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinámica de acceso aleatorio
Tecnología DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificación. jjorge4@gmail.com
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RDRAM "Static Random Access Memory",
Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificaci贸n se encuentra la familia de memorias RIMM. jjorge4@gmail.com
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SRAM / Caché "Static Random Access Memory", memoria
estática de acceso aleatorio Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente había módulos de memoria independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes jjorge4@gmail.com
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ROM "Read Only Memory", memoria de solo
lectura Memoria que permite un nĂşmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada.
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PROM "Programmable Read Only Memory",
memoria programable de solo lectura Memoria ROM que permite una programaci贸n y posteriormente un n煤mero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. jjorge4@gmail.com
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EPROM "Erasable Programmable Read Only Memory",
memoria programable y borrable de solo lectura Memoria PROM que permite reprogramaci贸n por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta. jjorge4@gmail.com
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EEPROM "Electrically Erasable Programmable Read Only Memory",
memoria eléctricamente programable y borrable de solo lectura Evolución de las memorias EROM que permite alterar su contenido por medio de señales eléctricas. Es la mas utilizada en las computadoras actuales para albergar el SetUp de la computadora. jjorge4@gmail.com
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Tipo Flash jjorge4@gmail.com
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Flash NAND
el término Flash es debido a la alta velocidad que puede manejar y NAND a un tipo de conexión especial de sus elementos electrónicos (Compuerta tipo NAND) Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos almacenados sin necesidad de alimentación eléctrica hasta por 10 años. Se utiliza en las memorias USB , memorias SD, Memory Stick de Sony®, unidades SSD, e incluso para BIOS, etc. "Flash NAND",
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Tipo Swap jjorge4@gmail.com
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Swap / Virtual Memory
De intercambio o memoria virtual Se trata de una simulación de RAM en un área de un disco duro, lo cuál no permite que se detengan servicios al escasear memoria RAM pero ralentiza a la computadora. También se puede actualmente crear SWAP en una memoria USB, utilizando el Software Ready Boost de Microsoft® Windows Vista u otros programas para Microsoft® Windows XP, 6 de este modo se vuelve mas eficiente el equipo de cómputo. jjorge4@gmail.com
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Otros jjorge4@gmail.com
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Buffer Soporta informaciĂłn que se encuentra en espera de ser procesada y una vez realizado ese proceso, la borra para esperar nuevos datos, puede ser espacio asignado en una memorias RAM o en un disco duro. "Amortiguador“
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LINEA DE TIEMPO DE LOS CAMBIOS TECNOLOGICOS EN LAS MEMORIAS RAM jjorge4@gmail.com
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En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria jjorge4@gmail.com
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Memoria DRAM de 1 KB, referencia 1103 que se constituy贸 en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con 茅xito jjorge4@gmail.com
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En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4 Kb en un empaque de 16 pines. jjorge4@gmail.com
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FPM-RAM โ ขAparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las mรกs rรกpidas y 70 nanosegundos las mรกs lentas. Velocidad de transferencia: 200 MB/s jjorge4@gmail.com
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EDO-RAM โ ข Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores estรกn saliendo, lo que la hace algo mรกs rรกpida (un 5%, mรกs o menos). Velocidad de transferencia: 320 MB/s
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BEDO-RAM •Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s 1997 jjorge4@gmail.com
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SDR SDRAM •Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. jjorge4@gmail.com
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PC100 •La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s. jjorge4@gmail.com
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PC133
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporizaci贸n de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. jjorge4@gmail.com
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PC1600 - DDR200
Velocidad de transferencia 1600 MB/s jjorge4@gmail.com
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PC2100 - DDR266
Velocidad de transferencia 2133 MB/s jjorge4@gmail.com
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PC2100 - DDR266 •Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s. jjorge4@gmail.com
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PC3200 – DDR400 •Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s. jjorge4@gmail.com
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PC4800 – DDR600 •Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s. jjorge4@gmail.com
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PC6400 – DDR800
•Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s. jjorge4@gmail.com
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โ ขTrabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia mรกxima de 6.4 GB/s. jjorge4@gmail.com
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DDR3 – 1066
•Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s. jjorge4@gmail.com
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DDR3 – 1800 •Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz jjorge4@gmail.com
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DDR3 – 2000 •Velocidad de transferencia 16.0 GB/s @ 2000 MHz jjorge4@gmail.com
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Corsair Dominator GTX6 DDR3 •Estos 2 módulos de memoria RAM de 1GB Corsair Dominator GTX6 DDR3 han sobrepasado sus 2625MHZ de serie para alcanzar los citados 3078MHZ y batir el récord de velocidad usando para ello un refrigerador especial alimentado con nitrógeno líquido. jjorge4@gmail.com
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memorias DDR3 Patriot G2 •Estos kits de doble canal de memoria DDR3 se ofrecen en capacidades de 4 GB u 8 GB. Su frecuencia es de 1333 MHz o 1600 MHz. Están cubiertas con disipador de calor de aluminio extruido, cubierto con una etiqueta "AMD Edition Black“. jjorge4@gmail.com
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MEMORIAS DDR3 RIPJAWSX •La nueva serie consiste en un completo rango de módulos DDR3 con velocidades de 1,333MHz, 1,600MHz, 1,866MHz, 2,133MHz, 2,200MHz y 2,300MHz con latencias -según las velocidades- de CL6, 7, 8 y 9. jjorge4@gmail.com
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MEMORIA RAM DDR4 La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica alta cuándo indica el valor 1. La celda de memoria se carga de una corriente eléctrica baja cuándo indica el valor 0. Al apagar la computadora, las cargas desaparecen y por ello toda la información se pierde. Este tipo de celdas tienen un fenómeno de recarga constante ya que tienden a descargarse, independientemente si la celda almacena un 0 o un 1, esto se le llama "refrescar la memoria", solo sucede en memorias RAM y ello las vuelve relativamente poco eficaces. jjorge4@gmail.com
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Memoria RAM tipo DDR-4, marca Crucial, modelo CT4K16G4RFD4213, capacidad 16 GB.
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proviene de "Dual Data Rate 4", significa transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar desarrollado inicialmente por la firma Samsung para el uso con nuevas tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de capacitores), cuentan con 288 terminales, las cuáles están especializadas para las ranuras de las tarjetas principales (Motherboard) de nueva generación con soporte Intel Haswell- E (X99). También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar DIMM. jjorge4@gmail.com
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componen la memoria DDR4 Los componentes son visibles, ya que no cuenta con cubierta protectora; son básicamente los siguientes: Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria. Chips: son módulos de memoria volátil. Conector de 288 terminales: base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DDR4. Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4. jjorge4@gmail.com
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Velocidad La unidad para medir la velocidad de las memorias RAM es en Mega Hertz (MHz). En el caso de los DDR-4, tiene principalmente una velocidad dada a conocer, a la cuál se tienen que adaptar los demás componentes del resto del sistema. Básicamente se presentó la siguiente: PC4-17000: 2133 MHz / 2400 Mhz / 2666 Mhz / 2800 Mhz / 3000 Mhz / 4266 Mhz? Es el tiempo que transcurre para que la memoria RAM dé un cierto resultado que el sistema le solicite y su medida es en nanosegundos (nseg): jjorge4@gmail.com
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Latencia CL proviene de ("CAS Latency"), lo cuál es el tiempo que emplea la memoria en colocarse sobre cierta celda de memoria, otra definición es "Tiempo que toma a un paquete de datos en llegar a su destino". Este factor está relacionado directamente con la velocidad de la memoria (Mega Hertz), ya que al aumentar está, también aumenta la latencia. DDR4 PC4-14900E:
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Latencias (CL)
12-15
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Capacidades de almacenamiento La unidad pr谩ctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria DDR-4 es el Giga Byte (GB). El modelo presentado es el siguiente: DDR-4 288 terminales en un s贸lo m贸dulo 2 GB, 4 GB, 8 GB y 16 GB Se pueden encontrar memorias de "32 GB y hasta 64 GB", sin embargo se trata de Kits, es decir, 2 o 4 m贸dulos de 16 GB que suman 32 GB y 64 GB respectivamente jjorge4@gmail.com
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Usos especĂficos Los DDR-4 de 288 terminales es un formato que se encuentra desarrollada para el uso en sistemas con soporte X99 Intel Chipset (Haswell), por lo que para AMD aĂşn no esta disponible.
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La memoria SODDR4 (Variante DDR4) Significado de SODDR4: proviene de "Small Outline Dual Data Rate 4", siendo la posible variante
de memoria DDR4 para computadoras portátiles, sin embargo aún no se encuentra disponible para este tipo de dispositivos sino sólo para ciertas placas de la marca Intel Características de la memoria SODDR4: Se encuentra disponible con tecnología ECC para el uso con procesadores para servidor Intel Xeon
+ Cuentan con 260 terminales, especiales para la ranura. + Las demás especificaciones como latencia, capacidades de almacenamiento, velocidad, etc. son similares a la del formato DDR4 para computadora de escritorio. jjorge4@gmail.com
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Memoria SODDR4, modelo KVR21SE15S8/4204, marca Kingston速, 2133 Mhz
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Elegir correctamente la memoria DDR4 Intel ya tiene en el mercado los Haswell-E, que más allá de repetir la fórmula de las gamas más altas del mercado traen consigo una novedad reseñable: los primeros chips domésticos con compatibilidad con memoria RAM DDR4. Aunque llevaba un tiempo presente en equipos profesionales, la memoria DDR4 se estrena ahora con los nuevos Core i7 de Intel. Aprovechamos su lanzamiento para hablar más sobre las novedades de esta nueva versión, sobre cuánta RAM necesita tu ordenador y acerca del futuro de la DDR4
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Tenemos que remontarnos a la década de los 90 cuando la JEDEC, organización encargada de diseñar y publicar los estándares relacionados con la RAM - entre otras tecnologías - anunciaba una pequeña revolución en la memoria RAM. La SDR SDRAM (Single Data Rate synchronous DRAM) se empezaba a quedar corta para las exigencias de entonces, y decidieron dar un salto muy importante: DDR SDRAM (Double Data Rate synchronous DRAM) empezó a desarrollarse en 1996, y fue en el año 2000 cuando el estándar se dio por finalizado. Sus nombres lo dicen todo: Single vs. Double. DDR puede gestionar el doble de señales por ciclo de reloj que SDR, dos (una al subir y otra al bajar) en vez de una (sólo al subir). jjorge4@gmail.com
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SDR vs. DDR vs. QDR jjorge4@gmail.com
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Éste fue el germen para una nueva tecnología que ha estado presente en nuestros ordenadores desde entonces, y que poco a poco ha ido expandiéndose también a otras categorías de producto. Desde los portátiles (el salto más lógico) hasta los nuevos dispositivos, como smartphones, tablets u ordenadores en miniatura tipo Raspberry Pi. jjorge4@gmail.com
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El ritmo de actualizaciones de DDR ha sido poco uniforme, siendo la DDR3 la que más ha perdurado en el tiempo. La penetración de cada nueva versión no es instantánea, por supuesto, de forma que aunque DDR4 haya aparecido en 2014 no será hasta bien entrado 2015 o incluso más adelante cuando se pueda considerar una plena implantación. Recuerdo que los Core i7 'Haswell-E' compatibles con DDR4 son equipos muy exclusivos y caros, típicamente orientados al gaming o a usuarios con altos presupuestos para sus ordenadores.
Qué trae de nuevo DDR4 Cada iteración en los estándares DDR ha traído consigo múltiples mejoras, algo lógico teniendo en cuenta los plazos de varios años de diferencia en los desarrollos. El caso de DDR4 no es una excepción, y viene acompañada de varias novedades muy interesantes. La más representativa es el incremento de la frecuencia unido a un menor voltaje de funcionamiento, lo cual proporcionará un mayor rendimiento cuantificado, según algunos fabricantes, en un 50% de mejora. jjorge4@gmail.com
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M贸dulos DDR4 y DDR3
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También relacionado con esto están las altas expectativas puestas en el overclocking. Dado que apenas hay disponibilidad en el mercado no existen pruebas que lo confirmen, pero la opinión general es que DDR4 será la RAM con mejor margen de overclocking de la historia. Es algo que comprobaremos pasados unos meses, a medida que se vaya introduciendo en el mercado. La cantidad de memoria por módulo recibirá un nuevo empujón con DDR4, al igual que ocurrió con anteriores versiones. Ya existen módulos de 2, 4 y 8 GB, y se espera que no dentro de mucho también se presenten módulos de 16 GB DDR4. Esta nueva situación nos permitiría llegar fácilmente a 64 GB de memoria RAM DDR4, que podemos decir serían los equivalentes a tener 16 o 32 GB en los sistemas actuales. Un hipotético módulo de 32 GB ampliaría aún más los límites, por supuesto, aunque aún no hay ningún fabricante que lo haya confirmado. jjorge4@gmail.com
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Referente al formato físico de DDR4 no hay muchas novedades. La forma y tamaño es la misma que los anteriores estándares, la muesca continúa siendo diferente (ninguna versión de DDR tiene la muesca en el mismo lugar, con lo que no hay forma posible de equivocarse) y, eso sí, tal y como vimos en nuestra toma de contacto ahora tienen una pequeña curva para poder instalarlas en los zócalos de forma más cómoda. jjorge4@gmail.com
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Refiriéndonos a DDR4, es difícil comparar su rendimiento con anteriores versiones del estándar. La ganancia del 50% en el rendimiento que comentábamos antes se refiere a las mismas condiciones, con lo que en un entorno real será una cifra ligeramente menor. Las necesidades de memoria RAM no varían significativamente entre una versión y otra. Los que a día de hoy necesiten una cierta cantidad de gigabytes en DDR3 seguirán exigiendo una cantidad muy parecida en DDR4, y si apuestan por la misma cifra ganarán algo de rendimiento. Los precios de la DDR4 actual son significativamente más caros que DDR3, como es lógico, pero esto es algo que irá bajando a medida que se vaya implantando. Como referencia, en Newegg venden módulos de 4 GB DDR3 por 38 dólares la unidad, mientras que los 4 GB DDR4 equivalentes resultan en 52 dólares cada uno. jjorge4@gmail.com
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STICK. Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria extraíble (memoria flash), comercializado por Sony en octubre de 1998. El término también se utiliza para definir a la familia entera de estos dispositivos de memoria (Memory Stick). Dentro de dicha familia se incluye la Memory Stick Pro, una versión posterior que permite una mayor capacidad de almacenamiento y velocidades de trasferencia de archivos más altas, y la Memory Stick Pro Duo, una versión de menor tamaño que el Memory Stick. jjorge4@gmail.com
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Memorias de Acceso Aleatorio RAM Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de lectura/ escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica. jjorge4@gmail.com
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Memoria RAM estática Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares. La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales. jjorge4@gmail.com
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Memoria RAM dinรกmica Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estรกtica se compone de celdas de memoria construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de fabricaciรณn mรกs sencillas en comparaciรณn a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad. jjorge4@gmail.com
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Memoria RAM dinámica La operación de la celda es similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de la memoria (columna) se almacena en el condensador, durante una operación de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas, por lo cual estas celdas requieren de circuitería adicional para cumplir esta función. A este función especial se llama de refresco jjorge4@gmail.com
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Ventajas y Desventajas de los dos sistemas de memoria MEMORIA
SRAM
DRAM
VENTAJAS
DESVENTAJAS
•La velocidad de acceso es alta. •Para retener los datos solo necesita estar energizada. •Son mas fáciles de diseñar.
•Menor capacidad, debido a que cada celda de almacenamiento requiere mas transistores. •Mayor costo por bit. •Mayor consumo de Potencia.
•Mayor densidad y capacidad.
•La velocidad de acceso es baja. •Necesita recarga de la información. almacenada para retenerla (refresco). •Diseño complejo.
•Menor costo por bit. •Menor consumo de potencia.
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Parámetros de las memorias El parámetro básico de una memoria es su capacidad, la cual corresponde al total de unidades que puede almacenar. En la actualidad se consiguen memorias en tamaños del orden de Megabytes y Gigabytes El tiempo de acceso es otro parámetro importante en las memorias. Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en acceder a la información almacenada en una dirección.
Generalmente este tiempo se designan como tacc en las fichas técnicas de estos dispositivos. jjorge4@gmail.com
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Memoria
Tiempo de Acceso
Núcleo de Ferrita Cinta Magnética Disco Magnético
0.3 - 1.0 us 5 ms - 1s 10ms - 50 ms
CD ROM
200 ms – 400 ms
Memorias Integradas MOS
2ns – 300 ns
Memorias Integradas Bipolares
0.5ns – 30 ns
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Memorias de Solo Lectura Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM (del inglés Read Only Memory). Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha frecuencia jjorge4@gmail.com
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Memoria ROM de Máscara Este tipo de ROM se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su fabricación y no se puede alterar. El proceso de fabricación es muy caro, pero se hacen económicas con la producción de grandes cantidades. La programación se realiza mediante el diseño de un negativo fotográfico llamado máscara donde se especifican las conexiones internas de la memoria. Son ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres celda de memoria de una M-ROM , con tecnologías TTL y MOS. jjorge4@gmail.com
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Memoria PROM ROM programable del inglés Programmable Read Only Memory. Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, sino que la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. Comúnmente la información se programa o quema en las diferentes celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de direcciones, los datos en los buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V, en una terminal dedicada para fundir los fusibles correspondientes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la celda, se almacena un 0 lógico, de lo contrario se almacena un 1 lógico (estado por defecto), quedando de esta forma la información almacenada de forma permanente jjorge4@gmail.com
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Memoria EPROM Del inglés Erasable Read Only Memory.
Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la información se puede borrar y volver a grabar varias veces. La programación se efectúa aplicando a un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria. La memoria EPROM se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada jjorge4@gmail.com
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Borrado de las memorias EPROM La memoria puede ser borrada exponiendo el chip a una luz ultravioleta a través de su ventana de cuarzo transparente por aproximadamente de 10 a 20 minutos, esta ventana le permite a los rayos ultravioleta llegar hasta el material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta forma lograr que la carga se disipe a través de este material apagando el transistor, y hacer que todas las celdas de memoria quedan en 1 lógico. Una vez programada, la ventana de cuarzo se debe cubrir con un adhesivo para evitar la entrada de luz ambiente que pueda borrar la información, debido a su componente de luz ultravioleta y el chip puede ser reprogramado de nuevo. Las desventajas de la EPROM son: •Se debe de sacara del circuito para poderlas borrar
•Se debe borrar todo el chip El proceso de borrado se toma entre 15 y 30 minutos (este tiempo depende del tipo de fabricante) jjorge4@gmail.com
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Memoria EEPROM La memoria EEPROM es programable y borrable eléctricamente del inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon). Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual es más delgada y no es fotosensible. La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, la cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que es suficiente para encender los transistores y almacenar la información. El borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas. jjorge4@gmail.com
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Ventajas de la EEPROM con respecto a las EPROM Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual. Para borra la informaci贸n no se requiere luz ultravioleta. Las memorias EEPROM no requieren programador. Para reescribir no se necesita hacer un borrado previo. Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la informaci贸n. El tiempo de almacenamiento de la informaci贸n es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 a帽os. jjorge4@gmail.com
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Memoria FLASH La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM.
Las celdas de memoria se encuentran constituidas por un transistor MOS de puerta apilada, el cual se forma con una puerta de control y una puerta aislada. La compuerta aislada almacena carga eléctrica cuando se aplica una tensión lo suficientemente alta en la puerta de control. De la misma manera que la memoria EPROM, cuando hay carga eléctrica en la compuerta aislada, se almacena un 0, de lo contrario se almacena un 1. jjorge4@gmail.com
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Las operaciones básicas de una memoria Flash son la programación, la lectura y borrado. La programación se efectúa con la aplicación de una tensión (generalmente de 12V o 12.75 V) a cada una de las compuertas de control, correspondiente a las celdas en las que se desean almacenar 0’s. Para almacenar 1’s no es necesario aplicar tensión a las compuertas debido a que el estado por defecto de las celdas de memoria es 1. La lectura se efectúa aplicando una tensión positiva a la compuerta de control de la celda de memoria, en cuyo caso el estado lógico almacenado se deduce con base en el cambio de estado del transistor: Si hay un 1 almacenado, la tensión aplicada será lo suficiente para encender el transistor y hacer circular corriente del drenador hacia la fuente.
Si hay un 0 almacenado, la tensión aplicada no encenderá el transistor debido a que la carga eléctrica almacenada en la compuerta aislada. Para determinar si el dato almacenado en la celda es un 1 ó un 0, se detecta la corriente circulando por el transistor en el momento que se aplica la tensión en la compuerta de control. El borrado consiste en la liberación de las cargas eléctricas almacenadas en las compuertas aisladas de los transistores. Este proceso consiste en la aplicación de una tensión lo suficientemente negativa que desplaza las cargas. jjorge4@gmail.com
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TABLA COMPARATIVA ENTRE MEMORIAS
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