缺陷管理
通过电子束晶片检测实施蚀刻工艺监控 Luke Lin、Jia-Yun Chen 和 Wen-Yi Wong – Powerchip Semiconductor Mark McCord、Alex Tsai、Steven Oestreich、Indranil De、an Lauber 和 Andrew Kang – KLA-Tencor Corporation
使用电子束检测来确定触点蚀刻的缺陷率水平。蚀刻工艺窗口鉴定 (Etch-PWQ) 可以提供精确的成品率数据,帮助用 户将蚀刻工艺保持在工艺成品率窗口的中心,然后监控蚀刻工艺条件。
工艺窗口鉴定是一项使光刻工艺保持在工艺窗口的中心
比较。在加工结束时进行电气试验可以提供确认。但
的技术,常用光学和电子束晶片检测技术来实现。晶片
是,这种方法可能存在几个缺点。例如,无控制的变量
上不同芯片曝光时具有不同的聚焦和剂量参数。检测用
可能会增加数据的不确定性,特别是当用于确定最佳工
于确定具有不同曝光条件的芯片的缺陷,并采用专用软
艺设置的缺陷信号较弱时。这些变量可能包括前层工艺
件对结果进行分析。
的变化、光刻的变化、蚀刻工艺(或工具/室)的变
对于蚀刻加工,将工艺保持在工艺窗口的中心也是非常 关键的。例如,接触层上蚀刻不足可能会造成触点堵塞 或产生电阻,而蚀刻过量则可能引起晶体管上的源极、
化、检测工具稳定性的变化等。对于电子束检验,晶片 之间残余表面电荷或大气分子污染 (AMC) 的不同也会影 响检测结果。
漏极和/或栅极之间发生短路。传统上采用晶片分片来
为此,最好采用单晶片来确定最佳的蚀刻工艺条件。在
确定最佳的蚀刻工艺条件。通常使用两个或两个以上的
本研究中,我们开发了这样一种技术,并且已经利用该
晶片,每个晶片采用不同的蚀刻条件进行加工。这样就
技术成功地优化了蚀刻工艺条件。
可以采用光学或电子束检验方式对晶片整体缺陷率进行 实验方法
本研究中使用了三个设计规则为 0.11µm 的全流 DRAM Test 1 Test 2 Test 3
晶片。所有晶片都正常地加工到触点蚀刻步骤。在处于 晶体管触点蚀刻阶段的每个晶片上,各个芯片都接受 了公称的蚀刻工艺条件或者几种不同蚀刻条件之一, 如表 1 所示。芯片的布置便于采用一种自动晶片检测 工具对公称和试验芯片进行芯片与芯片的比较。试验芯
图 1:显示公称芯片和不同蚀刻工艺条件下芯片位置的晶片芯片布局图。
2007 年夏 Yield Management Solutions
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www.kla-tencor.com/ymsmagazine
蚀刻条件
气流
过度蚀刻时间
公称
20 sccm
69 秒
试验 1
21 sccm
55 秒
试验 2
19 sccm
69 秒
试验 3
19 sccm
75 秒
表 1:每个晶片上不同芯片所使用的蚀刻工艺条件汇总。