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缺陷管理

提高制造生产率与降低测试晶片成本 Ming Li、Lisa Cheung 和 Mark Keefer – KLA-Tencor Corporation

使用 Surfscan SP2 检测系统可以延长某些监控晶片的重复利用寿命,减少对新测试晶片的需求,从而达到降低生产 成本的目的。对于一家大型的代工厂来说,这种新技术可以提高内部循环利用率,减少 15% 的重新抛光率,相当于每 年节约三百万美元以上。

当今的晶片制造厂必须注意在提高生产率与降低可变成

检测。增加的缺陷采用传统的后减前计数法来计算,或

本之间保持平衡。工艺控制(测量与检测)设备在几个

者采用更复杂的图对图缺陷重叠比较(参考材料 1)。

主要方面有助于将可变成本降至最低。第一是减少耗材

后扫描检测结果可显示出因工艺工具而增加的任何缺

— 尽可能减少用于无收益操作的晶片(即试验晶片)的

陷,以每个晶片通道 (PWP) 增加的微粒数表示。

数量。第二是通过减少每年的维护周期数以及减少因解 决工艺偏移误报而损失的时间,从而提高工艺设备的生

工艺工具监控程序

产率。本文将更为详细地探讨这些问题,以确定在领先

工艺工具监控程序的第一步是按等级对试验晶片分类。

的 65 纳米设计规则代工厂中降低试验晶片成本的有效

等级(通常为 A、B 或 C)指的是适合于不同监控应用

方法。

的试验晶片的质量,此处即是其表面粗糙度,因为光滑 晶片上的小尺寸微粒检测比粗糙晶片上的更为可靠。表

工艺工具监控

面粗糙度通常通过使用检测工具检测 haze,即晶片表面

在预防性维护(工具评定)或是运行生产晶片之前、工

散射光的低频、低幅部分,来测量。Haze 的测量单位是

作一定时间之后或者每个班次(工具监控)开始时,一

ppm,即平均表面散射强度与入射激光束强度之比。对

般采用无图形试验(或“监控”)晶片上的微粒数目来

于裸晶片,haze 与表面粗糙度高度相关。(当有透明薄

监控工艺工具的运行状况。工艺工具评定发生在预防性

膜存在时,haze 还包括薄膜参数变化。)

维护之后,或者在非计划停工之后重新评定工具。工具 监控可用于快速检测工艺工具的偏移。此外,无图形晶 片检测工具可用于工程分析工作中,来确定新工艺工具 的特性,或者诊断可能导致工艺工具退出生产(“工具 停工”问题)的污染问题。

第二步是实际的工艺工具监控步骤:对加工前后的检测 值进行比较,对增加的缺陷加以量化。为了重新利用试 验晶片,晶片被以化学剥离的方式除去通过工艺工具时 增加的薄膜层和微粒。化学剥离会造成较高的表面粗糙 度或 haze(图 1 中的上部回路),因此试验晶片必须重

执行工艺工具监控时,每个工艺腔体使用同一个无图形试

新分级。试验晶片在经过一定次数的循环步骤之后,如

验晶片。对于关键尺寸较小、需要较高检测灵敏度的前段

果无法达到最粗级规格,就应送去再生(重新抛光)或

工艺,应当使用较高等级的晶片。试验晶片经过检测,然

报废(图 1 中的左下部回路)。

后通过工艺工具(激活或者不激活工艺腔体)重新进行

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缺陷管理 延长监控晶片的使用寿命 In-house chemical clean

缺陷检测灵敏度是由缺陷信

Regeneration area SP1 Inspection

Test wafers

Pre SP1 Inspection

Grade A, B, C

PWP < X

Post SP1 Inspection

Process

近检测阈值,信 噪 比 将 下

A < X1 counts <Y1 ppm

降,如图 2 所示(左)。

C < X3 counts <Y3 ppm

Re-polish $30 / wfr

New wafers

为了保证能够检测到缺陷 Reclaim 1

Reclaim 2

Reclaim 3

A

B

C

Grade

而又不发生假报警,最好 保持较高的缺陷信噪比,一 般应当在 3 以上。

Roughness

但是,由于多次化学剥离 (循环)会增大试验晶片的

图 1:使用试验晶片的工艺监控回路。

表面粗糙度和 haze,因此晶 片表面上小缺陷的检测信

Threshold Laser scattering signal (ppm)

Threshold Laser scattering signal (ppm)

的。当背景水平(haze)接

Grading B < X2 counts <Y2 ppm

Scrap $300/wfr

号与其背景值的比率决定

Noise Haze

噪比将会降低。制造时的 注意事项例如使一个检测 工具的结果与其他工具相 匹配,决定了检测灵敏度 阈值要保持在一个固定的 值。这意味着不能简单地通

Haze

过提高检测阈值来减轻背 Scan position

景噪声的增多,如图 2 所示

Scan position

(右)。因此,可在任何

图 2:具有较低雾度值(左)和较高雾度值(右)的晶片的表面粗糙度(雾度)与检测灵敏度之间的关系。 注:噪音与雾度成比例。

给定试验晶片上进行的循 环步骤数就受表面粗糙度 的增大所限制。

Surfscan SP2

Surfscan SP1

现在需要的是一种能够提 高粗糙晶片上小缺陷的检 测信噪比的方法。在目前 一代的晶片表面检测系统 Surfscan SP2 中,其光斑的尺寸 图 3:粗糙晶片灵敏度比较。左侧的 Surfscan SP1 图主要显示了假缺陷,而右侧的 SP2 图则主要显示了真缺 陷,最小缺陷的信噪比大于 3。

SP1 HT Mode S/N vs. Wafer Haze Level 18

12

18

Low Haze Medium Haze High Haze

acceptable inspection window

15

9 6 3

12

使得 Surfscan SP2 对粗糙晶

Low Haze Medium Haze High Haze

acceptable inspection window

片的灵敏度高于 SP1。图 3 显示了采用 Surfscan SP1(左)

9

和 SP2(右)系统扫描同一个

6 3

0

循环了多次的高 haze 晶片的

0 0.06

0.07

0.08

0.09

0.10

0.11

0.12

0.13

0.14

0.15

0.06

0.07

0.08

Defect Size (µm LSE)

0.09

0.10

0.11

0.12

0.13

0.14

0.15

Defect Size (µm LSE)

图 4:不同尺寸缺陷的信噪比与晶片雾度水平比较(Surfscan SP1 左,SP2 右)。可接受的检测窗口的信噪比 大于 3,缺陷尺寸小于 88 纳米 LSE。

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味着当光束聚焦于小缺陷时 包含了较少的背景。这就

SP2 HT Mode S/N vs. Wafer Haze Level

S/N Ratio

S/N Ratio

15

比上一代的 SP1 小,这就意

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比较结果。SP1 图显示由于 信噪比低而引起了大量的 假缺陷。设定用于获取真 12


缺陷管理 被归入 A 级。因此,晶片可 Recycle rate

from 70% to 85%

以循环更多的次数 — 据估

In-house chemical clean $5 / water recycle

计 , 内 部化学清洗中心的

Regeneration area SP2 Inspection

Test wafers

循环率提高了 15%。这种 Grade A, B, C

PWP < X

Pre SP2 Inspection

Post SP2 Inspection

Process

较高的循环率相当于再 生(重新抛光)率的下降 (图 5)。

$75K/month

我们可以利用这些新的循

SP2 Reclaim 2

Reclaim 1 Scrap $300/wfr

New wafers

Reclaim 3

20%

10%

5%

环率来估算一下成本节约 的情况:对于一个生产能

Re-polish $30 / wfr

A

Grade

B

力为 25K WSPM 的 300 毫 米代工厂,试验晶片的用

Roughness

量等于生产速度的三倍, 即 75K WSPM。Surfscan SP2 图 5:晶片循环率的净增长。

的实施将内部循环率提高

缺陷的检测阈值也会获取 haze 信号的峰值。另一方面,

了15%,即再生率降低了

SP2 图的假缺陷数量明显较少,因为其良好的灵敏度使得

15%,相当于每年节约三百万美元(表 1)。该模型可以

扫描阈值能够恰好设定在 haze 水平之上。Surfscan SP2 能

进行调节,以适应不同的初始晶片、试验晶片用量等。

够增强信号、抑制噪声,这就使得此类检测能够使试验 晶片循环更长的时间之后才被再生或报废。

总结

晶片代工厂的生产率得益于可变成本的下降。试验晶片 图 4 显示了 SP1 和 SP2 在不同 haze 水平的晶片上的信噪

的寿命直接影响着工艺工具监控的可用性。使用 Surfscan

比分析。可接受的“检测窗口”位于表的左上部(信噪

SP2 检测系统来代替上一代工具后,可以进一步再利用一

比 ≥ 3 时,灵敏度高于 88 纳米)。在高 haze 晶片上,SP1

些监控晶片,这样也可以减少购买新的试验晶片。除了

高生产能力模式不能在要求的 88 纳米缺陷灵敏度下满足

试验晶片成本节约这种可量化的经济影响之外,代工厂

3:1 的信噪比要求。SP2 可提高灵敏度和抑制背景噪声,

生产率也得到了提高,同时由于粗糙再生晶片的检测结

即使在使用高 haze 晶片、在高生产能力模式下也能够达

果不稳定会引起假异常报警,这种报警所造成的破坏也

到要求的灵敏度。

降到了最低。

经济影响

致谢

图 4 显示 Surfscan SP2 可以在较为粗糙的晶片上达到足够的

本材料最初发表于上海(2006 年 8 月)和北京(2006 年

灵敏度和信噪比。因此,在进行这些测量的代工厂内部

9 月)举办的 KLA-Tencor 成品率管理研讨会上。

再生中心设置了一台专用的 SP2 检测工具。采用 Surfscan SP1 检测时可能被归入 B 级的晶片,现在采用 SP2 检测可以 晶片类型

循环

再生

报废

总试验

晶片成本

$5

$30

$300

晶片成本

晶片量 (总数 = 75K)

52.5 > 63.75K

15.0 > 3.75K

7.5K

循环率 (SP1)

70%

20%

10%

$2.96M

循环率 (SP1+SP2)

85%

5%

10%

$2.68M

每月成本节约

$56,250

$337,500

无变化

$0.28M

参考材料 1. Lorrie Houston,Motorola; John Anderson,Motorola;Rhonda Stanley,KLA-Tencor; “Process tool qualification using SP1TBI automated overlay feature,” KLA-Tencor Surfscan 应用说明 (2002)。

表 1:每月因晶片循环率提高而实现的成本节约估算:$0.28M,按每年节约 $3.36M 计算。 2007 年夏 Yield Management Solutions

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