掩膜版
来自 45 纳米芯片对数据库掩膜版检测的现场结果 William Broadbent、Ichiro Yokoyama、Paul Yu、Heiko Schmalfuss、Jean-Paul Sier – KLA-Tencor Corporation Ryohei Nomura、Kazunori Seki – Toppan Printing Co., Ltd Jan Heumann – Advanced Mask Technology Center GmbH & Co
TeraScanHR 系统在 Toppan 和 AMTC 的测试显示出高灵敏度、低假检测和高扫描速度。该系统具有较高 NA 光学器件、 新自动聚焦、更小的像点尺寸和改良的优化与建模算法，因而在小线宽、小缺陷和积极 OPC 的检测能力方面具有显 著的改进。对于一些模式，可以使用反射光检测与传输光检测的结合而不增加扫描时间，可提供最佳的缺陷检测能 力，得到最高质量的掩膜版。
一个新的掩膜版检测平台 TeraScanHR 以先前的 TeraScanTR
（72/90/125/150 纳米）时的灵敏度和可检测性。Beta 系
平台为基础，具有更高的光学成像分辨率以更好地解决
统目前用于先进生产。
小特征；更高精确度数据库建模以更好地代表芯片至数 据库检验中的小 OPC；更高速的图像处理从而提高了生产
掩膜版检测开发
率，特别是当使用集成模式时（例如，传输 + 反射）。
为了满足 45 纳米节点先进生产要求和 32 纳米节点开发
除了 45 纳米能力之外，TeraScanHR 平台还可以配置用
要求，TeraScanHR 平台提供了更高的性能和新功能。
于 65 纳米、90 纳米和 130 纳米节点。
此平台可配置为多种不同的模式，以便经济有效地对
本文介绍了 TeraScanHR 平台的技术方面，并提供了来 自日本 Toppan Printing 和德国 Advanced Mask Technology Center 的 Beta 系统的现场试验结果。试验采用适用的 程序缺陷试验掩膜版测量缺陷检测灵敏度，以及一大
130 纳米到 32 纳米节点的掩膜版进行检测。这样，掩 膜版生产商或晶片代工厂只需购买目前所需的功能，并 在以后根据情况升级添加更多功能。典型的 TeraScanHR 系统如图 1 所示（注意三套电子台架可能位于远处）。
套从 90 纳米到 32 纳米逻辑节点的产品和类产品掩膜
新系统的成像技术使用的掩膜版成像分辨率明显高于
版及相当的储存期节点，用于评定使用可用像点尺寸
晶片光刻系统，这样既能够直接检测主结构，又能够 直接检测次级分辨率结构；其单波长可以由各种光刻 波长提供高性能检测掩膜版。TeraScanHR 处理典型的二 进制 (COG)、6% EPSM（包括简单的三色）以及暗场交 替式 PSM 掩膜版。系统支持传输和反射光检测模式， 这些模式可以很容易地结合到单一的检测中。 由于系统使用了新的 72 纳米像点，因而能够开发 32 纳米 逻辑掩膜版和大约 45 纳米的半间 隙存储器掩膜版。 其他的功能扩展目前正在开发中，用于更为挑战性的 RET，如 Mask Enhancer、复合三色、无铬等。此外，还 可提供扫描时间更快的较大像点，用于 65 纳米逻辑节
图 1：新的 TeraScanHR 系统能够实现 45 纳米一代的掩膜版检测。
2007 年夏 Yield Management Solutions
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www.kla-tencor.com/ymsmagazine
点及以上至 130 纳米节点。 27