产品新闻 2810 和 2815 明场图样晶片检测系统
存储器生产商要求在密集的重复性图样和高竖直结构中检测小缺陷时具有较高的生产
281x 的优点
能力。逻辑生产商必须在采用新材料和快速改变的工艺的复杂几何形状及密集的重复 性图样中找到并隔离所有的关键缺陷。除了这些明显的检测要求之外，存储器和逻辑 芯片生产商都需要提高灵敏度和速度，以便使新工艺能够快速达到高成品率。2810 和 2815 是业内第一套存储器与逻辑专用的全光谱明场检测工具，可以帮助解决有关器件
定制的光学模式和可选择的全光 谱 DUV/UV/ 可见光照明对所有 工艺层上需关注缺陷均具有最 高的灵敏度。
类型特有的成品率问题。281x 检测工具是 KLA-Tencor 综合晶片检测系列的一部分， 为 ≤55 纳米存储器和 ≤45 纳米逻辑生产提供有效的在线监控及工程分析能力。 281x 工具的基础是广泛应用的 2800 系列全光谱 DUV/UV/ 可见光明场检测工具，采用 适用于存储器与逻辑芯片的特定光学模式和算法来获取所有工艺层上大范围的与成品 率有关的关键缺陷。281x 检测系统包括一个可选择光谱的照明光源和一个与像点无关 的高数字孔径 (NA)，用于提高材料对比度、抑制噪音、提高缺陷自动分类工作，以产 生有意义的缺陷 Pareto 图。对于关键的蚀刻、CMP 和光刻的在线监控，281x 检测系统 的生产能力几乎是 2800 的两倍。这使得工程师能够快速提高系统成品率并降低基线缺 陷率。281x 工具为工艺开发提供灵活性，为生产提供可靠性，为未来节点和新器件
最高的加权平均生产能力 (WATIP) 能够提高取样率，降低拥有成 本，或者提高检测的灵敏度。 与其他 KLA-Tencor 检测工具的 公共连接性可优化检测工具的 能力，缩短生产集成时间。 成熟的、经过生产证实的高可 扩展性工具结构为多技术节点 提供了可靠的在线监控能力。
技术提供可扩展性。 工艺窗口鉴定 (PWQ) 的应用使光 刻者能够在生产之前对设计进 行评定。
90nm Pixel (BBDUV BF) 50nm Pixel (BBDUV BF)
Pattern
Line Thinning
Bridge
Particle
SEM NonVisual/Bump
Defects of Interest
100 2800 2810 75
50
25
0
Layer 1
Equivalent Throughput
2815 缺陷 Pareto 图证实，新的 50 纳米像点使关键桥接 缺陷的捕获能力提高了 2 倍。业内最小的像点能够提高 对需关注缺陷的捕获能力，更早的检测到工艺异常。
2007 年夏 Yield Management Solutions
Normalized Defect Count
Defect Count
关于 2810 或 2815 如何处理具体使用案例或成品率挑战的问题？ 请联系 Mark Shirey (mark.shirey@kla-tencor.com)。
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Layer 2
Layer 3
2810: 75– 80% throughput improvement over 2800
2810 具有高生产能力和专为存储器器件定制的新图样 抑制模式，在生产能力超过 2800 的同时对三种前端 存储器层工艺层具有较高的灵敏度。
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产品新闻 Puma™ 9150 暗场图样晶片检测系统
Puma 9150 的优点
半导体器件生产商必须解决与收缩尺寸、新材料和创新器件结构相关的成品率问题， 以便快速达到高成品率及获利。图样晶片检测工具使工程师能够解决产品周期内所有
新的光学模式和 Streak 暗场成像 技术在整个扩展的应用空间中提 供了增强的缺陷类型捕获能力。
阶段（从工艺开发到生产）的缺陷问题，以便帮助提高成品率。Puma 9150 暗场检测工 具是 KLA-Tencor 综合晶片检测系列的一部分，在 ≤45 纳米的制程生产提供有效的偏差 监控能力。
提供所需灵敏度最高的生产能 力可提高成品率取样或降低拥 有成本。 与其他 KLA -Tencor 检测工具和检 阅工具的共通性与连接性，可 发挥检测工具功能的最大功效 并减少生产整合时间 使用简易的改良与创新的演算法 可产生快速而简易的程式设定
Puma 9150 是 Puma 系列中最新的激光成像暗场检测工具，采用革命性的 Streak™ 技 术并扩大了应用ß空间能以最高的生产力捕获最广泛的缺陷类型。新的光学模式在非 关键蚀刻应用中，对桥接及其他图样缺陷具有增强的灵敏度，可提高捕获残留和其他 CMP 缺陷的能力，在高生产能力下检测光刻缺陷。除了提供基准的薄膜层的缺陷检测 性能之外，Puma 9150 还通过提供改进的取样选择用于光刻监控、显影后检测，及其他 生产机具监控应用来补充高灵敏度宽频明场检测。 关于 Puma 9150 如何针对解决具体使用案例或向成品率挑战的问题？ 请联系 Amir Azordegan (amir.azordegan@kla-tencor.com)。
确立的工具架构和经过生产证 实的工具与工具相称性能够得 到一致、可靠的检测结果。
Signal-to-Noise Ratio
Traditional Optical Modes New Optical Modes
Bridge
Cu Residue
Missing Contact
三种缺陷的信噪比证明了 Puma 9150 的传统和新型光学模 式的互补检测功能。多种光学模式使得它能够在扩展的应 用空间中捕获最广泛的暗场缺陷类型。
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Puma 9150 的新的光学模式可提供更高浅轮廓 缺陷类型的捕获能力，例如不完全铜抛光（所 示）、变形触点、桥接和残留。
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产品新闻 eDR-5200 电子束再检查与分类系统
随着设计准则缩小到 45 纳米以下，缺陷检查和成品率工程师越来越关注较小的缺陷 以及其电子束再检查工具所建立的缺陷 Pareto 图的品质。eDR-5200 电子束再检查与 分类系统能对小于 50 纳米缺陷进行成像，并可建立含极少 SEM-non-visual (SNV) 缺陷 的高品质缺陷 Pareto 图， 从而解决以上问题。eDR-5200 是 KLA-Tencor 综合缺陷解
eDR-5200 的优点 高定位平台精度和高图像分辨 率，可对小于 50 纳米的缺陷进 行再检查与成像。
决方案中重要的一个部分，它具有的高影像分辨率和缺陷重检灵敏度，以及与KLATencor 检测工具的独特连接技术，可为 45 纳米及以下器件的生产提供更好的再检查性 能、更快的成品率学习、以及更高的工具生产力。 eDR-5200 采用电磁浸没式设计，以提供对<50 纳米缺陷成像所需的分辨率。此外， 其高精度定位平台、创新的缺陷反偏差纠正算法和先进的重检演算法提供了侦察到 低对比度或微小缺陷所必需的能力，有效地减少了SNV 的数量。新一代的智慧协助 分类 (ePAC TM) 和全自动分类 (eADC TM) 方法进一步提高缺陷 Pareto 图的品质。为了简 化缺陷光学检测和电子束再检查周期成为单步使用，eDR-5200 与 KLA-Tencor 光学检
适合生产性环境的手动、智慧 协助和全自动缺陷分类，可 在最短的时间得到最佳的缺陷 Pareto 图。 与 KLA-Tencor 光学检测工具的 独特连接技术能够在 SEM 上更 快设定更高品质的光学检测程 式，并降低 SNV 及其他杂讯缺 陷的百分比。
测工具建立了独特无缝连接。此技术每小时可以建立大量的优质缺陷 Pareto 图，允许 工程师们能够迅速解决 45 纳米节点器件上最小的关键缺陷，以提高成品率。 有关于 eDR-5200 具体使用案例或与成品率相关的问题？ 请联系 Christophe Fouquet (christophe.fouquet@kla-tencor.com)。
0.5µm FOV
KLA-Tencor 光学检测与电子束再 检查工具之间的连接大幅缩短了 工艺窗口检验 (PWQ) 的时间。
100
SNV Rate %
50
25
40
71
73
78
36
27
22
11 0
85
POR Method eDR Method
75
12
13
3BEOL
4FEOL
22 13
2 1FEOL
2FEOL
50nm Defect
5BEOL
6BEOL
7BEOL
Layer
图1 eDR-5200 采用浸没式设计和高精度定位平 台，可对<50 纳米的缺陷进行再检查并成像
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创新的 EDX 设计使得 <100 纳米 的缺陷能够根据其成分进行分析 和分类。
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图2 eDR-5200 具有较准确的缺陷定位和与 KLA-Tencor 光学 检测工具的连接性，可以大幅减少 SNV 的数目。
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产品新闻 SURFmonitor 工艺信息与测量模块
SURFmonitor 的优点
SURFmonitor 系统将业内领先的 Surfscan SP2 无图形表面检测系统扩展到了传统缺陷检 测之外，进入了测量领域。SURFmonitor 可测量裸晶片或薄膜表面形态变化，而这些变
同时检测缺陷与薄膜形貌信 息，对生产能力无额外影响。
化与多种工艺参数如表面粗糙度、微粒尺寸和工艺温度等均有关联。SURFmonitor 系统
功能强大的算法用于提取缺陷 特征并将表面散射结果转化为 可用的形貌数据。
够同时监控工艺偏移和缺陷率而不影响检测生产能力。SURFmonitor 还将 SP2 的缺陷
亚埃级竖直（形体高度）分辨 率和业内领先的横向分辨率。
SURFmonitor 模块使用来自缺陷扫描的低空间频率、低幅度散射信号，产生出高分
可作为 Surfscan SP2 产品的扩 充模块。
进行分析，获得晶片内部或晶片间参数的空间变化，并可将结果用于统计工艺控制。
可在收集缺陷信息的同时生成具有亚埃级可重复性的详细晶片参数图，使得代工厂能 检测能力扩展到了“亚阈值”区域，可以识别通常在缺陷通道中捕捉不到的工艺异常 和缺陷特征。
辨率的全晶片图。这些图具备亚埃级高度的分辨率。SURFmonitor 系统随后对这些图 SURFmonitor 数据显示出和几个参数间的高度相关性，比如铜、钨和多晶硅薄膜的表 面粗糙度，透明薄膜厚度，表面损伤，表面温度变化。SURFmonitor 还提供了检测低
几种在代工厂所有工艺模块上 经过证实的应用。
信噪比缺陷的能力，如传统缺陷通道中难以检测到的水印和污迹。SURFmonitor 构建 于 Surfscan SP2 平台之上，其结果显示出无可比拟的可重复性和匹配能力。
SURFmonitor signal (ppm)
关于 SURFmonitor 如何处理具体使用案例或成品率挑战的问题？ 请联系 Andy Steinbach (andy.steinbach@kla-tencor.com)。
300 250 200 150 100 50 0 0.0 1.0 2.0
3.0 4.0
5.0 6.0
AFM RMS roughness (nm)
这种 SURFimage 显示有湿清洁干燥污点，SURFmonitor 算法将其提取并作为缺陷报告。
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铜 ECD 薄膜的 SURFmonitor 结果显示了与 AFM 测量 的表面粗糙度的良好相关性。SURFmonitor 信号和粗 糙度之间的二次关系与理论预测相符。
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产品新闻 HRP-350 具有生产能力的先进的 45 纳米半导体轮廓测量技术 随着每一代器件对关键蚀刻和 CMP 工艺的轮廓控制要求变得越来越严格，客户需要一 种单系统解决方案来支持成品率关键纳米级应用，并控制晶片上的宏观形貌。 HRP-350 是业内最先进的高分辨率表面形貌轮廓测量系统，为芯片生产商提供监控更小 的横向和竖直尺寸的能力。HRP-350 系统配备半径低至 20 纳米的钻石探针和低噪音 平台，从而提高了测量灵敏度，并提供与 AFM 分辨率相匹配的纳米级探针技术 — 无 建模要求。系统的高分辨率模式可对直接影响器件性能的应用实现纳米级特性的精确 控制，如浅沟隔离、互连 CMP、金属薄膜粗糙度和钨栓凹陷等。对于较大尺寸的特性，系 统的长扫描模式能以高生产能力的方式运行，测量铜 CMP 凹陷和侵蚀、镀铜、芯片平 面性及封装中的 C4 突起高度等。更高的扫描速度提高了 HRP-350 在关键晶体管和互连 应用中的生产价值。 该系统可提供多种探针，包括专有的 20 纳米 UltraSharp™ 探针，均是采用钻石材料制 作，可提供最长的使用寿命，通常可比 AFM 端部的寿命长达 100 倍。新探针的开发 不但缩小了探针尺寸，同时也提高了它们的稳定性，因而该系统的扫描速度比上一 代 HRP-340 系统的速度提高达五倍。在对 65 纳米和 45 纳米先进器件的关键结构进 行轮廓测量时，其他的系统生产率增强特性能够使系统生产能力提升高达 40%。除了 300mm HRP-350 系统之外，还提供适用于 200mm 或以下的 HRP-250，用于 IC 半导体 和磁盘驱动器生产应用。
HRP-350 的优点 扩展测量能力，支持 65 纳米及 以上的先进要求。 更小的探针和更好的噪音性能， 实现先进的纳米级特性的形貌测 量（例如：凹陷）。 高达 33% 的更严密的测量能力 可实现最严格的工艺控制。 新颖的处理能力使得小探针的扫 描速度提高 5 倍，实现了在不更 换 探 针 的情况下同时支持宏观 和微观形貌测量。
高达 40% 的生产能力的提高和 更可靠的隔离系统使得它成为 最有生产价值的表面测量解决 方案。
有关于 HRP-350 如何处理您的表面轮廓测量挑战的问题？ 请联系 Petrie Yam (petrie.yam@kla-tencor.com)。
Stylus Lifetime Step Height Measurement
Cursor Height (A)
-1030.0 -1040.0 -1050.0 -1060.0 -1070.0 -1080.0
配备专有的 20 纳米 UltraSharpTM 钻石探针和低 噪音平台，用于提高横向分辨率。
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>100k
钻石基探针，提供最长的使用寿命，通常比 AFM 端部的寿 命长达 100 倍。
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