專題報導
識別拋光矽晶圓上大型、影響良率的缺陷 的新方法 Kerem Kapkin、KeunSu Kim、Jason Saito、Hyosik Suh – KLA-Tencor Corporation Chung Geun Koh、Dae Jong Kim、Byeong Sam Moon、Seung Ho Pyi – Hynix Semiconductor Corporation
對於 45 奈米世代的晶圓而言,裸晶圓檢測技術的創新使得大而短淺之缺陷的捕獲與分類能力有所提昇。新的分類 技術是結合多管道處理之後,使得晶圓製造商與 IC 元件製造業者能夠找出這些缺陷,並且根據缺陷是否能夠清除將它 們歸類,或是要求廢棄晶圓。在製造過程中儘早識別這些缺陷將能夠改善產品品質及提昇良率。
隨著元件體積的持續縮小,晶圓表面狀況、缺陷大小、
晶圓製造商需要能夠檢測及準確識別這些缺陷,並且將
形狀及類型也逐漸成為影響元件產量、效能與可靠性的
它們與大型微粒的背景缺陷群作區分(後者缺陷可以透
重要因素。ITRS(半導體國際技術藍圖,International
過清潔或重製晶圓的方式解決),同時避免不必要的晶
Technology Roadmap for Semiconductors)原則規定裸晶圓
圓捨棄。同時,由於 LLPD 是多種晶圓製造程序問題導
表面上重要缺陷的靈敏度等於設計線寬的一半。
致的結果,因此晶圓製造商必須要快速地找出 LLPD 根
在同一時間,IC 製造商一直在降低允許驗收進廠晶圓的
源,執行解決措施以避免不必要的晶圓廢棄。
缺陷總數的規範,現在也會指定在大型光點缺陷 (LLPD)
在本篇文章中,我們所示範的方法是利用新的無圖樣
上的限制。這些 LLPD 體積很大,但是也非常淺:它們可
晶圓檢測系統 Surfscan SP2XP 將這些重要的 LLPD 加以分
能有數個微米寬,但是高度卻只有幾奈米而已。LLPD 是
類。此系統最新的 GC(全域複合)與 RBB(規則基礎
在單晶矽錠成長以及在後續的晶圓製作與表面預處理製
分類)技術已經證實在晶圓製造商的最終檢測步驟與 IC
程期間所產生。這些 LLPD 會在進料的芯片矽晶圓上以平
元件製造 IQC(進料品質控制)應用方面皆有顯著成效。
面凹洞或凸塊、氣囊和拋光刮痕等形式出現,同時有非 常高的可能性會成為扼殺良率的缺陷。因此,IC 製造商 必須在元件製程開始之前識別並挑出帶有 LLPD 的晶圓。
Particle
COP
0.1µm
Residue
0.1µm
Scratch
0.1µm
0.1µm
圖 1:在檢測與分類時需要更高靈敏度的傳統缺陷或 LPD(亮點缺陷)。
2007 年夏季刊 Yield Management Solutions
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