Preparatorio n1 Electronicos

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ESCUEL A POLITECNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA L ABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS

TRABAJO PREPARATORIO CIRCUITOS

Práctica # 01:

ELECTRÒNICOS

X

Tema: Amplificador en configuración de Emisor Común

Realizado por: Alumno (s): Argoti Daniel

Grupo:

Saico Edison

Fecha de entrega: 2014 / 10 / 14 Año

f. ______________________

Mes Día

Sanción:

QUITO-ECUADOR

Recibido por:


Practica Nº1

AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN TRABAJO PREPARATORIO 1. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración Emisor Común que cumpla con las siguientes condiciones:

|Av|= 19 Vin= 160 mV R L =2,2 Ω f min =1 KHz

V2 15V +V

R1 33k

R3 2.2k

C3 2.2uF

B

C1 1uF

Q1 NPN

A

V1 -160m/160mV

C R4 47

1kHz R2 6.8k

R5 330

C2 33uF R6 2.2k


CÁLCULOS •

Rc =R L =2.2 K

V CR =

V Op= Av∗V ¿=19∗0.16=3.04 [ V ]

Rc ∗V Op∗(1.2) RC ∨¿ R L

V CR =

2,2 k ( 3.04 ) ( 1.2 )=7.3V 2.2∨¿ 2.2

VR 7.3 = =3.32 [ mA ] I C ≈ I E RC 2.2k

IC=

V E =V ¿ +1V ( 1.2 )

V E =( 160mV ) +1V ( 1.2 )=1.4V

r e=

C

26mV 26mV = =7.83 [ Ω ] IE 3.32mA

RE =

RC ∨¿ R L 1100 −r e = −7.83=50.06 [ Ω ] → Resistencia Estandar 47 [ Ω ] Av 19

RE =

VE 1.4V = =421.69 [ Ω ] I E 3.32mA

R E =R ET − RE =421.69−47=374.69 [ Ω ] → Resistencia Estandar 330 [ Ω ]

V CE =V O +V act +V ¿ AsumimosV act =2 [ V ]

1

T

2

1

p

p


V CE =160mV +0.2+3.04=5.2 [ V ]

V CC =V R +V CE +V E =7.3+5.2+1.4=14 [ V ] → 15 [ V ]

V B=V E +0.7=2.1 [ V ]

C

RB =

2

RB =

1

VB 2.1V = =6.33k [ Ω ] → 6.8k IC 3.32 10 10 100 B V CC 15V−2.1 = =35.3k [ Ω ] → 33k IC 3.32 11 11 100 B

Z ¿ =( β+ 1 ) ( r e + R E ) =( 100+1 ) ( 47+7.83 ) =5.54k [ Ω ]

Z ¿ =( R B 1∨¿ R B 2 ) ∨¿ ( Z ¿ )=2.78 k [Ω ]

T

1

T

CAPACITORES C B=

10 10 = =0.57u [ F ] → Capacitor Estandar 1u [ F ] 2 π∗ f ∗Z ¿ 2 π∗1 k∗2.78 k

C C=

10 10 = =1.45u [ F ] → Capacitor Estandar 2.2 u [ F ] 2 π∗ f ∗( RC ∨¿ R L ) 2 π∗1 k∗1100[ Ω]

C E=

10 10 = =29u [ F ] →Capacitor Estandar 33 u [ F ] 2 π∗1k∗(r e + R E ) 2 π∗1k∗(54.83) 1

Presentar las formas de onda obtenidas en los terminales del TBJ

Terminal de la base A: r1_1

2.500 V 2.400 V 2.300 V

2.200 V 2.100 V 0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms


Terminal del colector 10.00 V

A: r3_1

8.000 V 6.000 V

4.000 V 2.000 V 0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

Terminal del emisor 1.750 V

A: r4_2

1.650 V 1.550 V

1.450 V 1.350 V 0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

Entrada A: v1_1

200.0mV 100.0mV 0.000mV

-100.0mV -200.0mV 0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms

Salida A: r6_2

4.000 V 2.000 V 0.000 V

-2.000 V -4.000 V 0.000ms

0.500ms

Measurement Cursors 1

r6_2

X: 715.10u

Y: 3.2340

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

5.000ms


Vo=3.2(V)

Referencia Bibliográfica:  Circuitos Electrónicos, Sánchez Almeida Tarquino, Apuntes de Clase (FIEE).pdf  http://bibdigital.epn.edu.ec/handle/15000/10012


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