Preparatorio n10 electronicos

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

PREPARATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Practica #: 10 Fecha de realización:

Tema: Respuesta en Frecuencia (Parte II) 2015 / 01 / 21 / año mes día

Realizado por: Alumno(s) : Edison Saico

Grupo:

Gr6- 01

( Espacio Reservado ) Fecha de entrega: 2015 / 01 / 28 año mes día Sanción:

f. __________________________ Recibido por:

_____________________________________________________

Periodo: 2014-B

Preparatorio N°10 Tema: Respuesta en Frecuencia (Parte II).

Objetivo General: Determinar la frecuencia de corte en baja para un amplificador con TBJ en configuración Emisor Común.

1. Diseñar un amplificador con TBJ en Emisor Común que cumplacon las siguientes condiciones: Av  15 Resistencia de carga  3.3k  fc  120 Hz  frecuencia de corte  Vin  200mVp

f  1kHz

rg  50

f LCE  fc  120 Hz; Asumo CE  22uF ,   100 f LCE 

1 2 Req CE

Req 

1 2 f LCE CE



1  60.29 2 120  22u 

Req  RE 2 ||  RE1  re   RB1 || RB 2 || rg





rg



RB1 || RB 2 || rg



 Req  RE 2 ||  RE1  re   rg

rg



50  59.79  100 10 10 CE    RE1  re   2 f  RE1  re  2 fCE RE 2 ||  RE1  re   Req 

 RE1  re  

 60.29 

10  72.34 2 1k  22u 

RE 2 ||  RE1  re   59.79 72.34  59.79  344.57  330 72.34  59.79 RL'  RC || RL RE 2 

RL'  Av  RE1  re   15  72.34   1.085k  3.3k 1.085k  1.617k   1.5k  3.3k  1.085k RL'  3.3k ||1.2k  1.0313k  RC 

VRC 

RC 1.2k V 1.1   0.2 151.1  3.84V '  op   RL 1.0313k

IC 

VRC

re 

26mV  10.16 IC

RC



3.84V  2.56mA 1.5k

RE1   RE1  re   re  72.34  10.16  62.18  62  5% VCE  Vin  Vout  2V  0.2  3  2  5.2V

VE   RE1  RE 2  I C   62  330  2.56m   1V VB  VE  0.7V  1.7V VCC  VRC  VCE  VE  3.84  5.2  1  10.04V  12V

IC

2.56mA  281.6uA  100 I 2.56mA I 2  10 C  10  256uA  100 V  VB 12  1.7 RB1  CC   36.58k   39k  I1 281.6uA

I1  11

RB 2 

 11

VB 1.7V   6.64k   6.8k  I 2 256uA

Z in  RBB ||    1 RE1  re 

Z in  39k || 6.8k || 101 62  10.16   3.227 k  Cálculo de capacitores 10 10 CE    22.06uF  22uF 2 f  RE1  re  2 1k  62  10.16  CB 

10 10   0.493uF  1uF 2 f  Z in  2 1k  3.23k 

CC 

10 10   1.54uF  2.2uF 2 f  RL'  2 1k 1.0313k 

Cálculo de las frecuencias de corte R || R || r Req  RE 2 ||  RE1  re   B1 B 2 g



39k || 6.8k || 50  59.71 100 1 1    121.162 Hz 2  Req  CE 2  59.71 22u 

Req  330 ||  62  10.16   f LCE

f LCB 

1 1   49.274 Hz 2  Z in  CB 2  3.23k 1u 

f LCC 

1 1   15.072 Hz 2  RC  RL  CC 2 1.5k  3.3k  2.2u 

2. Dibujar en papel semi-logarítmico la respuesta en frecuencia del amplificador.

ANEXO

3. Comprobar los valores calculados usando un simulador, adjuntar la grĂĄfica de la respuesta en frecuencia dada por el simulador.

Respuesta en frecuencia en simulador

BibliografĂ­a: Apuntes de clases con el Ing. Jorge Rivadeneira