Preparatorio n3 electronicos

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

PREPARATORIO CIRCUITOS ELECTRÓNICOS Practica #: 3

Tema: Amplificador en configuración de Colector Común y Base Común

Fecha de realización:

2014 / 10 / 22 / año mes día

Realizado por: Alumno(s) : Edison Saico

Grupo:

Gr6- 01

( Espacio Reservado ) Fecha de entrega: _2014_ / _10_ / _29_ __________________________ año mes día Sanción:

f.

Recibido por:

_____________________________________________________

Periodo: 2014-B

Preparatorio N°3 Tema: Amplificador en configuración de colector común y Base común.

Objetivo: Diseñar e implementar amplificadores en configuración de Base Común y Colector Común.

1. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración de Colector Común que cumpla con las siguientes condiciones: V1 9V +V

R1 10k C1 1uF V2 -2.1/2.1V

1kHz

Q1 NPN

+

C2 2.2uF + R2 12k

Z in  RB1 || RB 2 ||    1 re  RE || R L  R  RE || R L ' L

RBB  RB1 || RB 2

R5 1k

R3 1.5k

Z inT     1 re  RE || R L  Z in  RBB ||    1  re  RL' 

 Z inT  RBB Z  Z inT  in Asumo Z in  1.5k   Z inT  1.5k      1  re  RL'   1.5k    re  R '  1.5k   14.85 L  101  '  RL  14.85

Análisis RL  RL' RE   15 RL  RL' VRE  IE 

RE Vop 1.1  1.67 V  RL'

VRE RE

 111.11 mA

 (TBJ en saturación)

Asumo RE  1k  Recalculamos RL'  RE || RL  1k  ||1.5k   600

RE 1k Vop 1.1   2.11.1  3.85 V  ' RL 600

VRE  IE 

VRE RE



I1  11

IE



 11

3.85  mA  423.5   A 100

3.85  mA  385   A  100 26mV 26mV re    6.75 IE 3.85  mA

3.85  3.85  mA 1k

I 2  10

VB  VE  0.7  4.55 V  VCC  2VE  7.7V  9 V 

IE

 10

RB 2 

VB 4.55V   11.82k   12  k  I 2 385uA

RB1 

VCC  VB 9V  4.55V   10.51k   10  k  Zin  10k ||12k ||    1  6.75  RL'   5  k  I1 423.5uA

CB 

10 10   0.32 F  1 F 2 f  Z in  2 1k  5k 

CB 

10 10   2.62 F  2.2 F ' 2 f  re  RL  2 1k  6.75  600 

AV 

RL' 600   0.989 ' re  RL 6.75  600

2. Diseñar un amplificador con TBJ en configuración de Base Común que cumpla con las siguientes condiciones: V1 15V +V

R6 3.3k

R1 82k

C3 2.2uF +

Q1 NPN

+

R4 47

C1 1uF

Z in  RE 2 ||  re  RE1  Z inT  re  RE1 Z in  Z inT AV 

RL' Z inT

R2 15k

C2 33uF +

R5 470

R3 1.5k V2 -156m/156mV 1kHz

RL 1.5k   93.75 AV 16 RL'  Zin  AV   1.5k 

ZinT 

RC 

RL  RL'  1.5k  RL  RL'

Aumentamos el valor de Rc a Rc  3.3k 

 2  Rc 

Rc  RL

Vin 

Vop AV



2.5V  156.25  mV  16

RL'  Rc || RL  3.3k ||1.5k  1.03k 

VR 8.81V IC  C   2.67  mA Rc 3.3k RC 3.3k VRC  ' Vop 1.1   2.51.1  8.81V  RL 1.03k

VCE  Vop  Vin  2V  2.5  0.1563  2  4.67V  5 V  VE  Vin  1V  1.16V  1.5 V  VCC  VRC  VCE  VE  8.81  5  1.5  15.31V  15 V  IC

2.67 mA  0.294  mA  100 I 2.67 mA I 2  10 C  10  0.267  mA  100

I1  11

 11

re 

26mV 26mV   9.74    IE 2.67mA

VRB1  VRC  VCE  0.7V  8.81  5  0.7  13.11V  VRB1

RB1 

I1



13.11V   44.59k   47  k   0.294mA

VRB 2  VCC  VRB1  15V  13.11V  1.89 V  RB 2 

RE 

VRB 2 I2



1.89V  7.08k   6.8  k   0.267mA

VE 1.5V   561.8   I E 2.67mA

RL' 1.03k  re   9.74  54.64  47   AV 16  RE  RE1  561.8    47    514.8  470  

RE1  RE 2

Z in  RE 2 ||  re  RE1   470 ||  9.74  47    50.63   

CE 

10 10   31.44 F  33  F  2 f  Zin  2 1k  50.63

CC 

10 10   1.55 F  2.2   F  ' 2 f  RL  2 1k 1.03k 

CB 

10 10   0.28 F  1  F  2 f    1 re  RE1  2 1k 101 9.74  47 

3. Realizar la simulación de los circuitos diseñados, presentar las formas de onda de entrada y salida, las formas de onda en los terminales del TBJ para los dos diseños y una tabla de los valores DC que considere que debería tomar en simulación para poder comparar con la práctica de cada diseño.

DISEÑO COLECTOR COMÚN V1 9V +V

R1 10k C1 1uF A V2 -2.1/2.1V

1kHz

Formas de Onda de entrada y salida

Vin Vout

Q1 NPN

+

R2 12k

C2 2.2uF + B R5 1k

R3 1.5k

Formas de Onda en los terminales del TBJ VC= VCC

9.000 V 8.000 V

VB

7.000 V 6.000 V

VE

5.000 V 4.000 V 3.000 V 2.000 V 1.000 V 0.000ms

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

DISEÑO BASE COMÚN V1 15V +V

R1 82k

R6 3.3k

C3 2.2uF +

Q1 NPN R4 47

+

A: c2_1 B: c1_1 C: v1_1

C1 1uF

R2 15k

Formas de Onda de entrada y salida

Vout Vin

R5 470

C2 33uF +

R3 1.5k V2 -156m/156mV 1kHz

3.500ms

4.000ms

4.500ms

Formas de Onda en los terminales del TBJ A: q1_1

10.00 V

9.000 V

VC

8.000 V

7.000 V

6.000 V

5.000 V

4.000 V 0.000ms

A: q1_2

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

4.000ms

4.500ms

4.000ms

4.500ms

4.000ms

4.500ms

2.024 V

2.022 V

VB 2.020 V

2.018 V

2.016 V

2.014 V 0.000ms

A: r4[i]

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

3.500ms

27.50mA

17.50mA

VE

7.500mA

-2.500mA

-12.50mA

-22.50mA

-32.50mA 0.000ms

Colector Común Vcc 9V 9V Vc 3.89V VE 4.699V VB VCE 5.11V 3.851mA IC 38.51uA IB 3.889mA IE

0.500ms

1.000ms

1.500ms

2.000ms

2.500ms

3.000ms

Base Común Vcc 15V 7.255V Vc 1.225V VE 2.022V VB VCE 6.03V 2.347mA IC 23.47uA IB 2.371mA IE

Bibliografía: Apuntes de clases con el Ing. Jorge Rivadeneira en Circuitos Electrónicos.

3.500ms