[산업분석] 반도체 soft landing

2016 OUTLOOK 2015.12.1

반도체 (비중확대)

Soft Landing

황준호 02-768-4140 j.hwang@dwsec.com

반도체/장비 Summary

Soft Landing

이번 하락 사이클 이후에는 부품의 시대가 열린다 2016년 DRAM 시장은 올해 대비 3% 감소한 458억달러(52조원)를 예상한다. 4년만의 역성장이다. 반면 NAND 시장은 올해 대비 7% 성장한 319억달러(38조원)를 예상한다. 메모리 시장은 본격적인 하락 국면에 진입했다. 과거 하락 사이클이 평균적으로 8분기 정도 지속되었다고 가정하면 이제 절반 정도 지난 셈이다. IT 수요 부진으로 상승 동력 회복을 기대하기는 어렵지만 제한적인 공급 증가로 과거의 하락 사이클처럼 적자 국면까지 가지 않고 안정적인 수익성을 유지한 연착륙이 예상된다. 사물인터넷(IoT)은 1) 기존 제품의 스마트화, 2) 신규 기기(Wearable 등)의 출연을 의미한다. 부품소 자 관점에서 보면 수동 기기들의 능동화로 해석된다. 가장 기본적인 능동형 소자가 트랜지스터, 즉 반도체이다. MCU에서 AP까지 비메모리는 물론이고 다양한 메모리 소자들이 작게는 전구에서부터 자동차까지 탑재되는 시대가 오고 있다. 사물인터넷 시대의 개화는 곧 부품의 시대를 의미한다.

반도체 산업의 새로운 변수: 1) 중국의 메모리 산업 진출, 2) 차세대 메모리 기술 부상 중국 업체들의 메모리 시장 진출이 가시화되고 있다. 반도체 자급률을 높이기 위한 중국 정부의 의지 는 확고하다. 중국 스마트폰 업체들의 시장 점유율이 가파르게 상승하고 있음에도 불구하고 스마트폰 업체 중에서 돈을 버는 업체는 Apple과 삼성전자뿐이다. 대부분의 이익은 세트 업체가 아닌 부품 업 체들이 향유하고 있다. AP 시장에서 Qualcomm, 메모리 시장에서 삼성전자, SK하이닉스 등의 반도 체 업체들이 많은 수익을 챙겨가고 있다. 최근 차세대 메모리에 대한 중요성이 부각되는 이유도 공정 미세화가 날로 어려워지고 있고 중국의 메모리 시장 진입이 새로운 변수로 작용하고 있기 때문이다. 기존 업체들이 기술 주도권을 유지하면서 후발 업체들의 추격을 따돌리기 위해서는 선도 기술 투자 를 확대해야 한다. 내년 DRAM 투자는 축소되겠지만 NAND 및 차세대 메모리 투자는 확대될 전망 이다. 내년 상반기에 반도체 장비 업체에 관심이 필요한 이유이다.

반도체 산업 비중확대, Top Picks는 삼성전자, 실리콘웍스, 원익IPS, 에스에프에이 내년 반도체/장비 산업의 Top Picks으로는 공정 기술을 선도하고 있고 지속 가능한 주주환원 정책을 제시한 삼성전자를 최선호주로 제시한다. 중소형주 중에서는 Driver-IC와 자동차용 IC의 성장이 예 상되는 실리콘웍스, 반도체 장비 업체 원익IPS, OLED 장비 업체 에스에프에이를 추천한다. 그림 1. 메모리 산업의 SWOT 분석

자료: KDB대우증권 리서치센터

2

KDB Daewoo Securities Research

반도체 Soft Landing

C O N T E N T S

I. 2015년 2015년 Review Oversupply보다는 Underdemand

II. 2016년 2016년 전망

4 4

6

DRAM: 공급과잉 지속될 전망

6

NAND: 가격 하락을 통한 시장 확대

9

비메모리: AP(Application Processor) 진검 승부

III. 중장기 전망 및 이슈분석

14

16

중국의 메모리 시장 진출

16

차세대 반도체 기술의 부상

20

IV. Valuation 및 투자전략

29

투자 전략 및 Top Picks

29

Global Peer Analysis

30

V. 종목분석

33

삼성전자 (005930)

34

SK하이닉스 (000660)

36

실리콘웍스 (108320)

38

원익IPS (030530)

40

에스에프에이 (056190)

42

케이씨텍 (029460)

44

유진테크 (084370)

46

한미반도체 (042700)

48

KDB Daewoo Securities Research

3

2016 Outlook Report [반도체]

I. 2015년 Review Oversupply보다는 Underdemand 말장난 같지만 올해 메모리 반도체 시장을 가장 적절하게 설명하는 표현이다. 공급이 수요보다 많다 는 측면에서 Oversupply(공급과잉)나 Underdemand(수요부족)는 같은 의미이지만 이런 결과가 발 생한 원인이 공급보다는 수요 요인이 컸다는 미세한 어감 차이가 있다. 공급이 당초 예상보다 늘어나 지는 않았다. 오히려 올해 메모리 업체들의 공정전환 어려움으로 공급 증가는 예상치를 하회할 것으 로 보인다. 그럼에도 불구하고 수요 부진이 더 깊어지면서 메모리 가격 하락 압력은 더 가중되었다.

DRAM 가격의 경우 4GB DDR3가 연초 29.5달러에서 10월말 현재 16.8달러로 43% 하락했다. PC 수요 부진과 재고 소진으로 PC DRAM 가격 하락세가 지속되고 있다. 올해 MS Windows 10 및 Intel Skylake 출시에도 불구하고 PC 수요 회복은 감지되고 있지 않다. 상반기에 안정적인 가격 흐름 을 보이던 서버와 모바일 DRAM도 하반기에 캐파 전환이 가속화되면서 가격 약세가 전이되고 있다.

NAND 가격의 경우 8GB MLC 가격이 연초 2.75달러에서 10월말 현재 2.19달로 20% 하락했다.

PC 수요 부진에도 불구하고 모바일 컨텐츠 증가와 SSD 탑재 확대로 안정적인 가격 흐름을 유지했 다. 3D NAND, TLC 제품 확대에 따른 공급 증가를 시장에서 안정적으로 소화하고 있다. 당초 예상보다 메모리 수요가 부진했던 이유는 PC와 스마트폰의 저조한 판매 때문이다. 올해 글로벌 PC 판매량은 2.8억대로 전년대비 9% 감소할 전망이다. 지난해 2% 감소에 비해 감소폭이 더 확대되 었다. 스마트폰의 성장성도 둔화되고 있다. 올해 글로벌 스마트폰 판매량은 14.3억대로 전년대비 13% 증가할 전망이다. 스마트폰 시장의 성장을 견인했던 중국 시장이 올해 상반기에 역성장을 기록 하면서 성장 동력이 소진되고 있다. 내년부터는 한 자릿수 성장률에 진입할 전망이다. 글로벌 IT 수요 부진이 고착화되고 새로운 제품 사이클을 만들어낼 기술 혁신의 부재로 반도체 시장 은 완연한 하락 사이클에 진입한 것으로 판단된다. 하락 사이클에서는 업체간 차별화도 극명하게 나 타난다. 올해 큰 폭의 메모리 가격 하락에도 삼성전자는 순조로운 공정전환으로 원가절감을 달성해 수익성을 방어할 수 있었다. 공정전환에 어려움을 겪은 SK하이닉스와 Micron은 가격 하락이 수익성 악화로 연결되었다. 최근 SK하이닉스와 Micron의 영업이익은 고점대비 각각 30%, 70% 감소했으며 각 사의 주가도 이익창출 능력과 동행하고 있다. 메모리 산업의 주기성은 과거보다 확실히 완만해졌다. 이번 하락 사이클도 적자 국면까지 가는 경착 륙(Hard Landing)보다는 자연스럽게 수급 균형을 찾아가는 연착륙(Soft Landing)이 예상된다. 그림 2. PC DRAM(DDR3 4Gb, 1.6GHz) 현물, 현물, 고정 가격 추이 (달러) 5

Spread(R)

Spot Price(L)

Contract Price(L)

그림 3. NAND (64Gb MLC) 현물, 현물, 고정 가격 추이 (%)

(USD)

Spread(R)

30

4.0

Contract Price(L)

25 연초대비 43%↓ 43%↓

4

10

(%) 20 15

3.5

20 15

3

Spot Price(L)

10

3.0

5 2.5 0

5 2

2.0

-5

0

연초대비 20%↓ 20%↓

1.5

-10

-5 1 14.01

-10 14.07

15.01

자료: KDB대우증권 리서치센터

4

KDB Daewoo Securities Research

15.07

1.0 14.01

-15 14.07

자료: KDB대우증권 리서치센터

15.01

15.07

2016 Outlook Report [반도체]

그림 4. 글로벌 PC 판매 추이 및 전망

그림 5. 글로벌 스마트폰 판매 추이 및 전망 (백만대) 500

스마트폰 판매량 (L)

(%) 90

YoY 성장률 (R)

80 400

70 60

300

50 40

200

30 20

100

10 0 1Q11

0 1Q12

1Q13

1Q14

자료: IDC, KDB대우증권 리서치센터

자료: IDC, KDB대우증권 리서치센터

그림 6. 글로벌 메모리 반도체 업체들의 영업이익 추이

그림 7. 삼성전자 반도체 분기 영업이익 및 주가 (백만원) 1.8

(십억달러)

8

영업이익 (R)

1Q15

(조원) 4

주가 (L)

연착륙 예상 6

1.6

4

1.4

2

1.2

0

1.0

-2

0.8

3

2

1

-4 01

03

05

07

09

11

13

0.6 2011

15F

0 2012

2013

2014

자료: KDB대우증권 리서치센터

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 8. SK하이닉스 SK하이닉스 분기 영업이익 및 주가

그림 9. Micron 분기 영업이익 및 주가

(천원) 60

영업이익 (R)

(조원) 2.0

주가 (L)

50

1.5

(달러) 40

영업이익 (R)

2015

(십억달러) 1.5

주가 (L)

30

1.0

20

0.5

10

0.0

40 1.0 30 0.5 20 0.0

10 0 2011

-0.5 2012

자료: KDB대우증권 리서치센터

2013

2014

2015

0 2011

-0.5 2012

2013

2014

2015

자료: KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

5

2016 Outlook Report [반도체]

II. 2016년 전망 DRAM: 공급과잉 지속될 전망 올해 예상보다 부진했던 PC 수요와 스마트폰 성장률 둔화에도 불구하고 DRAM 시장은 지난해 대비 1% 성장한 474억달러(54조원)로 추산된다. 모바일 DRAM, DDR4 등의 고가제품 비중 증가에 따른 믹스 개선 효과가 긍정적으로 작용했다. 지난해 DRAM 시장이 35% 성장한 것에 비하면 완연한 하 락 사이클에 진입하였음을 반증하고 있다. 내년 DRAM 시장은 올해 대비 3% 감소한 458억달러(52 조원)를 예상한다. 4년만의 역성장이다. 공급 증가율이 25%로 수요 증가율 23%를 상회할 전망이다.

DRAM 시장이 본격적인 하락 국면에 진입한 것은 부정할 수 없는 사실이다. 과거 하락 사이클이 평 균적으로 8분기 정도 지속되었다고 가정하면 이제 절반 정도 지난 셈이다. 이번 하락 사이클이 과거 와 다른 점은 과점화된 경쟁 구도와 미세공정 전환의 어려움으로 공급 증가가 제한적이라는 것이다. 글로벌 IT 수요 부진으로 상승 동력 회복을 기대하기는 어렵지만 제한적인 공급 증가로 과거의 하락 사이클처럼 적자 국면까지 가지 않고 안정적인 수익성을 유지한 연착륙의 가능성이 높다고 판단된다.

2013년 이후 경쟁구도가 3사로 압축되면서 DRAM 업체들은 과도한 점유율 경쟁보다는 공급 조절을 통한 이익극대화 전략을 이어갈 전망이다. 당분간 이러한 경쟁구도에 변화가 있을 가능성은 낮다. 그림 10.

10. 글로벌 DRAM 수급 추이 및 전망 (1Gb eq, 십억개) 25

(%)

공급(L)

수요(L)

공급과잉률(R)

공급과잉 지속될 전망

15

20

10

15

5

10

0

5

-5

-10

0 1Q09

1Q10

1Q11

1Q12

1Q13

1Q14

1Q15

1Q16F

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 11.

11. 월간 DRAM 매출액 및 성장률 추이

그림 12.

12. 분기별 DRAM 영업이익 추이 및 전망

(십억달러) 5 월간 매출액(L) YoY 성장률(R)

(%) 200 150

4

100 3 50 2 0 1 완연한 하락 사이클 진입

-100

0 91 93 95 97 99 01 03 05 07 09 11 13 15

자료: KDB대우증권 리서치센터

6

-50

KDB Daewoo Securities Research

(십억달러)

6

DRAM 영업이익(L)

5

영업이익률(R)

과거와는 다른 하락 사이클

(%)

60 40

4

20

3

0

2

-20

1

-40

0

-60

-1

-80

-2

-100

-3

-120

-4

-140 01

03

05

07

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

09

11

13

15F

2016 Outlook Report [반도체]

신규 투자보다는 공정 전환에 주력 내년 글로벌 DRAM 수요 증가율은 23%로 예상한다. 향후 DRAM 수요는 모바일과 서버가 성장을 견인할 전망이다. 모바일과 서버 DRAM 비중은 각각 올해 37%, 22%에서 내년 41%, 24%까지 늘어 나는 반면 PC DRAM 비중은 올해 26%에서 내년 21%로 감소할 전망이다. 64-bit AP 확대, Big Data, Cloud, 가상화(Virtualization) 등의 용량 증가 요인이 여전히 많이 남아있다고 판단된다. 스마트폰의 성장률은 내년부터 한자릿수에 진입하겠지만 DRAM 평균 용량은 올해 1.57GB에서 내년 1.89GB로 20% 증가할 전망이다. Apple iPhone의 DRAM 용량이 올해 1GB에서 2GB로 증가했고 현재 대다수의 하이엔드 안드로이드 스마트폰이 2GB 이상을 채택하고 있다. 삼성 Galaxy S6 Edge+ 및 Note 5, LG V10, Huawei Mate 8, Xiaomi Mi 5 등은 4GB까지 채택하고 있다. 글로벌 IT 수요 부진에 따른 메모리 가격 하락과 재고 증가로 메모리 업체들은 신규 증설보다는 공 정 전환에 주력할 것으로 예상한다. DRAM Capex는 올해 117억달러에서 내년 100억달러로 15% 감소할 전망이다. 내년 12” 웨이퍼 기준 캐파는 105만장/월으로 올해 대비 소폭 감소할 예정이다. 삼성전자는 올해 연말까지 20nm 공정 비중이 60%까지 늘어날 전망이다. 내년 17라인 2만장/월의 증설이 예상되며 18nm 공정은 하반기부터 일부 양산에 들어가겠지만 생산 물량은 미미할 것으로 추 산된다. SK하이닉스는 올해 증설한 M14이 내년부터 본격적으로 가동될 전망이며 M10의 공정전환 투자가 예상된다. 올해 공정전환의 어려움으로 출하량 증가가 거의 없었던 Micron은 내년 20nm 공 정 전환을 통해 올해의 부진을 만회하겠다는 계획이다. Micron은 신규 캐파 증설 계획은 없다. 그림 13.

13. DRAM 어플리케이션 수요 추이 및 전망 (bn Gb)

PC (L) Mobile (L) Consumer (L)

25

그림 14.

14. DRAM Capex 추이 및 전망

Server (L) Graphic (L) YoY 성장률 (R)

(%) 50

(십억달러)

25

삼성전자(L)

SK하이닉스(L)

Micron(L)

기타(L)

(%)

200

YoY 성장률(R)

20

40

20

15

30

15

20

10

150 100 50

10

0 5

0 1Q12

1Q13

1Q14

1Q15

10

5

0

0

-50 -100 00

1Q16F

02

04

06

08

10

자료: KDB대우증권 리서치센터

자료: DRAMeXchange, KDB대우증권 리서치센터

그림 15.

15. DRAM 업체별 Bit Growth 전망

그림 16.

16. DRAM 공정 비중 변화

(bn Gb)

(%)

40

출하량 (L)

60

YoY 성장률 (R)

50 30

(%)

4Xnm

3Xnm

12

2Xnm

14

16F

1Xnm

100

80

40 30

20

20

60

40

10 10

20 0

0 14 15 16F

14 15 16F

14 15 16F

14 15 16F

삼성전자

SK하이닉스 SK하이닉스

Micron

기타

자료: KDB대우증권 리서치센터

0 1Q13

1Q14

1Q15

1Q16F

자료: DRAMeXchange, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

7

2016 Outlook Report [반도체]

표 1. DRAM 수급 전망

(백만 Gb, %)

공급 QoQ/YoY 성장률 삼성전자 SK하이닉스 Micron 기타

1Q15 13,096 -2.0 5,917 3,854 2,772 553

2Q15 13,486 3.0 6,191 4,016 2,711 569

3Q15 15,247 13.1 7,312 4,577 2,774 585

4Q15F 16,485 8.1 8,042 4,787 3,054 602

1Q16F 16,878 2.4 8,110 4,942 3,207 619

2Q16F 17,118 1.4 8,283 4,830 3,368 637

3Q16F 18,678 9.1 8,748 5,576 3,704 650

4Q16F 20,131 7.8 9,208 6,446 3,815 662

2014 47,593 29.7 20,264 13,910 11,299 2,121

2015F 58,315 22.5 27,461 17,234 11,310 2,308

2016F 72,805 24.8 34,349 21,793 14,094 2,569

2017F 88,296 21.3 41,407 27,717 16,209 2,964

수요 QoQ/YoY 성장률 Server PC(데스크탑/노트북) 모바일(스마트폰/테블릿) 가전(TV/게임콘솔) 기타(자동차/산업용)

12,785 -3.1 2,067 4,225 4,399 1,420 673

13,338 4.3 2,262 4,014 4,788 1,539 735

14,778 10.8 2,505 4,235 5,595 1,690 752

16,517 11.8 2,728 4,454 6,717 1,767 850

15,795 -4.4 2,839 4,172 6,162 1,814 807

16,770 6.2 3,104 4,193 6,584 2,007 882

18,318 9.2 3,309 4,445 7,412 2,249 903

19,637 7.2 3,604 4,584 7,949 2,479 1,020

46,920 26.8 7,098 17,526 14,877 4,692 2,726

57,417 22.4 9,562 16,928 21,501 6,416 3,010

70,518 22.8 12,856 17,393 28,108 8,549 3,612

85,620 21.4 17,342 18,586 34,671 10,686 4,335

2.4%

1.1%

3.2%

-0.2%

6.9%

2.1%

2.0%

2.5%

1.4%

1.6%

3.2%

3.1%

공급과잉률 자료: KDB대우증권 리서치센터

표 2. DRAM 업체별 웨이퍼 투입 캐파 삼성전자 Fab11 Fab13 Fab15 Fab16 Fab17 SK하이닉스 SK하이닉스 M10 C2(Wuxi) M14 Micron Manassas, US Taoyuan, 대만(Inotera) Hiroshima, 일본(Elpida) 기타 합계

1Q15 360 40 120 170 30

(12" 기준, 천장/월)

240 120 120

2Q15 370 40 120 170 30 10 240 120 120

347 32 110 205 100

347 32 110 205 100

3Q15 380 40 120 170 30 20 242 120 120 2 337 32 110 195 100

4Q15F 400 40 120 170 30 40 245 120 120 5 337 32 110 195 100

1Q16F 375 40 110 170 10 45 250 115 120 15 337 32 110 195 100

2Q16F 370 40 110 170 0 50 230 80 120 30 337 32 110 195 100

3Q16F 370 40 110 170 0 50 230 60 120 50 337 32 110 195 100

4Q16F 370 40 110 170 0 50 250 60 120 70 337 32 110 195 100

2014 4,380 540 1,470 2,040 330 0 3,030 1,470 1,545 0 4,335 489 1,386 2,460 1,242

2015F 4,530 480 1,440 2,040 360 210 2,901 1,440 1,440 21 4,104 384 1,320 2,400 1,200

2016F 4,455 480 1,320 2,040 30 585 2,880 945 1,440 495 4,044 384 1,320 2,340 1,200

2017F 4,670 480 1,320 2,040 0 830 3,185 945 1,440 800 4,044 384 1,320 2,340 1,212

1,047

1,057

1,059

1,082

1,062

1,037

1,037

1,057

12,987

12,735

12,579

13,111

3Q15 3 72 28 44 554 138 362 55 184 110.6 4.5 4.0 4.8 1.3 0.1 1.6 1.6 1.1

4Q15F 3 76 29 47 611 138 397 76 184 119.2 4.5 4.0 4.8 1.4 0.1 1.7 1.7 1.2

1Q16F 3 67 27 41 558 125 376 56 180 124.0 4.6 4.0 5.0 1.4 0.1 1.7 1.8 1.3

2Q16F 3 67 27 40 559 122 381 56 186 133.8 4.7 4.2 5.1 1.5 0.1 1.9 1.8 1.3

3Q16F 3 72 27 45 591 119 415 57 193 138.7 4.8 4.2 5.1 1.6 0.1 1.9 1.8 1.5

4Q16F 3 74 28 46 615 119 434 62 200 149.4 4.8 4.3 5.2 1.6 0.1 2.0 1.8 1.5

2014 10 308 134 174 2,144 656 1,265 223 703 85.7 4.1 3.8 4.4 0.9 0.1 1.2 1.4 0.8

2015F 11 282 113 168 2,220 561 1,430 230 727 108.1 4.4 3.9 4.8 1.2 0.1 1.6 1.6 1.1

2016F 12 281 109 172 2,323 485 1,607 231 760 136.7 4.7 4.2 5.1 1.5 0.1 1.9 1.8 1.4

자료: KDB대우증권 리서치센터

표 3. 세트 출하량 및 대당 DRAM 사용량 Server PC 데스크탑 노트북 모바일 피쳐폰 스마트폰 테블릿 가전 Server PC 데스크탑 노트북 모바일 피쳐폰 스마트폰 테블릿 가전

1Q15 3 68 29 40 528 145 334 49 179 97.1 4.3 3.8 4.6 1.0 0.1 1.4 1.4 1.0

자료: KDB대우증권 리서치센터

8

KDB Daewoo Securities Research

2Q15 3 66 28 38 527 141 337 49 181 104.8 4.4 3.9 4.7 1.1 0.1 1.5 1.5 1.1

(백만대, GB/대) 2017F 12 283 108 175 2,361 414 1,701 246 788 176.4 5.1 4.4 5.5 1.8 0.2 2.2 2.0 1.7

2016 Outlook Report [반도체]

NAND: 가격 하락을 통한 시장 확대 올해 NAND 시장은 어려운 영업환경에도 불구하고 상대적으로 양호한 가격 흐름과 안정적인 성장세 를 이어나갔다. 시장 규모는 지난해 대비 6% 성장한 297억달러(34조원)로 추산된다. SSD 시장의 본 격적인 개화, 중저가 스마트폰들의 상향 평준화로 전반적인 용량 증가가 수요를 견인했다. 공정 미세화가 어려워지면서 3D NAND, TLC를 활용한 원가절감 기술력이 메모리 업체들의 핵심 경 쟁력으로 부상하고 있다. 전체 NAND 출하량에서 3D NAND 비중은 올해 6%에서 내년 20%로 급증 할 전망이다. 3D NAND는 주로 서버 및 클라이언트 SSD 시장에 공급되며 NAND의 킬러 어플리케 이션이 될 전망이다. 내년 NAND 시장은 올해 대비 7% 성장한 319억달러(38조원)를 예상한다.

NAND의 경우 제품별 수급은 다소 상이할 수 있다. 메모리카드, USB메모리 등의 저가형 NAND는 수요 감소로 공급 과잉이 지속되겠지만 상대적으로 높은 품질과 신뢰성을 요구하는 모바일용 임베디 드 NAND와 SSD 수요는 지속적으로 확대되고 있어 타이트한 수급이 예상된다. 국내 메모리 업체들 의 경우 모바일과 SSD 비중이 높아 경쟁사 대비 유리한 제품 믹스를 보유하고 있다.

NAND와 DRAM 시장의 가장 큰 차이점은 시장의 성장성과 가격에 대한 탄력성이다. DRAM 시장의 성장성은 제한적이다. DRAM의 역할이 연산 장치(CPU, AP 등)의 성능을 보조하기 위한 부품이기 때 문에 가격이 하락한다고 수요가 촉발되지 않는다. DRAM의 수요가 증가하기 위해서는 연산 장치, 디 스플레이, 통신 규격 등의 업그레이드가 필요하다. 반면 NAND는 하드디스크(HDD)를 대체하는 SSD 의 가격이 하락할수록 교체 수요가 늘어나기 때문에 가격에 탄력적이고 시장의 성장 잠재력이 높다. 그림 17.

17. 글로벌 NAND 수급 추이 및 전망 (%)

(8Gb eq, 십억개) 40

공급(L)

수요(L)

원가 하락에 따른 SSD 수요 확대로 수급 개선

공급과잉률(R)

15

35 10

30 25

5

20 0

15 10

-5

5 -10

0 1Q09

1Q10

1Q11

1Q12

1Q13

1Q14

1Q15

1Q16F

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 18.

18. 월간 NAND 매출액 및 성장률 추이 (십억달러) 3.0 월간 매출액(L) YoY 성장률(R)

그림 19.

19. 글로벌 NAND 업체 영업이익률 추이 (%) 300

스마트폰 컨텐츠 증가, 증가, SSD 확대가 시장 견인

2.5 200 2.0

(%)

삼성전자

SK하이닉스

40

Micron

Toshiba/Sandisk

30 20

100

1.5 1.0

10 0

0 -10

0.5 0.0

-100 99

01

03

05

자료: KDB대우증권 리서치센터

07

09

11

13

15

-20 1Q09

1Q10

1Q11

1Q12

1Q13

1Q14

1Q15

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

9

2016 Outlook Report [반도체]

2016년 2016년 메모리 시장의 화두는 단연 3D NAND 앞서 설명했듯이 DRAM은 가격 하락이 곧 수익성 악화를 의미하지만 NAND는 가격 하락이 수요를 촉발하고 시장을 만들어내기 때문에 가격 하락을 꼭 나쁘게만 해석할 필요는 없다. 그래서 DRAM은 ‘가격을 지켜야 하는 산업’이고 NAND는 ‘가격을 내려야 하는 산업’이라고 표현한다. NAND는 대체 재 성격이 있기 때문에 원가를 내려 교체 수요를 발생시켜 시장 파이를 키우는 것이 중요하다. 특히 높은 성장 잠재력을 보유한 SSD는 여전히 HDD 대비 4~5배 비싸기 때문에 침투율이 아직 낮은 편 이다. 지난해 13%에 그쳤던 SSD 침투율은 3D NAND, TLC 제품의 확대로 올해 20%까지 증가했으 며 향후 이 추세는 지속될 전망이다. SSD 시장은 현재 삼성전자, Intel, SanDisk(+Western Digital) 3강 구도가 굳어지고 있다. SK하이닉스는 SSD 시장에서의 경쟁력 확보가 시급한 상황이다. 공정 미세화를 통한 원가절감은 점점 어려워지고 있어 향후 NAND의 원가경쟁력 확보를 위해서는 3D NAND 기술이 핵심이 될 전망이다. 현재 삼성전자가 유일하게 3D NAND를 양산하고 있다. 32단 까지는 제조원가가 2D 대비 높아 3D NAND가 수익성에 악영향을 미쳤지만 48단부터는 Cost Parity 가 발생하기 때문에 수익성 개선에 도움이 되는 국면에 진입하게 된다. 내년 NAND Capex는 올해 대비 33% 증가한 102억달러를 예상하며 48단 3D NAND 투자에 집중될 전망이다. 삼성전자는 최근 48단 TLC 양산에 성공했다. 올해 시안 2차 증설 투자가 마무리되었으며 내년부터 본격적으로 가동될 전망이다. 내년 하반기부터는 평택 투자가 일부 시작될 것으로 예상한다. Toshiba 는 Fab 2에 15K/월 수준의 신규 설비를 반입하고 있으며 Intel은 중국 다롄 공장을 메모리 라인으로 전환하기 위해 55억달러 투자를 발표했다. 모두 3D NAND 양산을 위한 투자로 파악된다. 그림 20.

20. 글로벌 HDD, SSD 판매량 추이 및 전망 (백만대) 700

HDD (L)

SSD (L)

그림 21.

21. 글로벌 SSD 점유율 (2015F 기준) 기준)

SSD 비중 (R)

(%) 50

기타, 11% SK하이닉스, 2% Western Digital, 5%

40.5

600

40

35.2 500

29.9

400

30

24.7 19.5

300 200

20

9.5

Micron, 7%

10

5.9

100

Toshiba, 6%

2014 ~ 2019 CAGR SSD +29%, HDD -5%

13.3

삼성전자, 35%

SanDisk, 17%

Intel, 17%

0

0 12

13

14

15F

16F

17F

18F

19F

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

그림 22.

22. NAND 업체별 Bit Growth 전망

그림 23.

23. NAND Capex 추이 및 전망

(bn GB) 60

(%) 출하량 (L)

YoY 성장률 (R)

80

50 60 40

(십억달러)

삼성전자(L) Toshiba/Sandisk(L) YoY 성장률(R)

12

(%)

SK하이닉스(L) Micron/Intel(L)

150

10

100

8 50

40

30

6 20

0 20

4

10 0

0 14 15 16F 삼성전자

14 15 16F

14 15 16F

SK하이닉스 SK하이닉스 Toshiba/SanDisk

자료: KDB대우증권 리서치센터

10

KDB Daewoo Securities Research

-50

2

14 15 16F Micron/Intel

0

-100 00

02

04

06

08

자료: DRAMeXchange, KDB대우증권 리서치센터

10

12

14

16F

2016 Outlook Report [반도체]

삼성전자의 독보적인 3D NAND 기술력 3D NAND는 공정 미세화 없이 메모리 셀의 집적도를 높이고 단위 용량당 원가(cost/GB)를 낮추는 기술이다. 기존 선폭 미세화가 평면에서 die size를 줄이는 것이라면 3D NAND는 평면이 아닌 수직 으로 메모리 셀을 적층하는 기술이다. 비유하자면 2D NAND가 일반 주택이라면 3D NAND는 아파 트가 되는 것이다. NAND의 셀 구조가 비교적 단순하기 때문에 가능한 기술이다. DRAM은 캐패시터 가 이미 수직으로 올라가는 구조이기 때문에 3D 설계가 어렵다. DRAM은 전공정이 아닌 후공정에서 die를 적층하는 TSV(Through Silicon Via) 기술을 이용해 3D 구조를 구현하고 있다.

3D NAND에 가장 앞서있는 업체는 단연 삼성전자이다. 3D NAND 기술이 경쟁사 대비 1년 이상 앞 서 있다고 판단된다. 삼성전자는 올해 중국 시안 공장에서 32단 3D NAND(TLC) 양산을 시작했으며 최근에는 48단까지 개발에 성공하여 양산이 임박해있다. 32단까지는 2D NAND에 비해 원가 경쟁력 이 떨어지기 때문에 일부 서버용 high-end SSD에만 적용되고 있지만 48단부터는 2D 대비 cost parity가 발생하기 때문에 PC용 SSD에도 적용가능하며 NAND 수익성 개선이 가능할 전망이다.

3D NAND의 핵심은 CTF(Charge Trap Flash) 기술이다. 기존 2D NAND에서 사용한 플로팅게이트 방식이 아닌 부도체인 실리콘나이트라이드(SiN)에 전하를 저장하는 방식이다. 셀 간 노이즈를 줄일 수 있고 control gate의 크기를 줄일 수 있어 미세화에 용이하다. 삼성전자와 Toshiba는 각각 3D CTF 구조를 변형한 TCAT(Terabit Cell Array Transistor)와 Piped-BiCS 방식을 사용한다. 그림 24.

24. 3D NAND 개념도

자료: Applied Materials

그림 25.

25. NAND 공정 비중 변화 (%)

3Xnm

2Xnm

그림 26.

26. 2D NAND와 NAND와 3D NAND 원가 비교 1Xnm

3D-NAND

(제조원가)

100

3D NAND

2D NAND 80

60

48단부터 cost parity 발생

40

20

0 1Q12

1Q13

자료: KDB대우증권 리서치센터

1Q14

1Q15

1Q16F

1Xnm

1Ynm

24단

32단

48단

64단

자료: KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

11

2016 Outlook Report [반도체]

NAND는 NAND는 단품이 아닌 솔루션 제품 NAND는 업체간 기술 격차가 크다. DRAM은 가격, 즉 공정 미세화에 의해서 경쟁력이 결정되는 반 면 NAND는 미세화 외에도 3D NAND, TLC, 컨트롤러 기술, 제품의 신뢰성 등의 다양한 요소가 경 쟁력을 좌우한다. DRAM은 기기가 작동되는 순간에만 필요한 휘발성 메모리이지만 NAND는 기기가 꺼져있어도 데이터를 보관하고 있어야 하는 비휘발성 저장매체이기 때문에 신뢰성이 중요하다. 최근 스마트폰에서 사용하는 멀티미디어 컨텐츠의 용량이 급격하게 증가하면서 NAND의 용량(원가) 뿐 아니라 성능에서도 많은 발전이 이루어지고 있다. NAND 인터페이스는 성능을 결정하는 중요한 기술이며 메모리 업체들이 시장을 선점하기 위한 헤게모니 싸움이기도 하다. 삼성전자는 최근 출시한 갤럭시 S6에서 UFS(Universal Flash Storage) 2.0을 처음으로 채택했다.

UFS는 기존 eMMC와 달리 비동기 방식의 직렬 인터페이스를 사용하고 읽기와 쓰기가 동시에 가능 한 Full Duplex 통신을 하기 때문에 이론적으로 전송 속도는 세 배까지 빠르다. 반면 Apple은 올해 출시한 iPhone 6S에서 기존 eMMC 방식 대신 SSD에서 주로 사용하는 NVMe 방식을 채택했다.

PCIe 버스를 사용하는 NVMe 방식은 전력소모가 상대적으로 높아 모바일 기기보다는 서버 및 PC에 사용되는 SSD 인터페이스에 주로 사용된다. PCIe는 현재 모바일 기기에서 모뎀, WiFi 등에 사용되기 때문에 별도의 호스트 컨트롤러 없이 사용할 수 있다는 장점이 있다. 또한 버스 마스터링이 가능해 스토리지에 있는 데이터를 중앙연산장치를 거치지 않고 바로 전송(DMA)할 수 있는 장점도 있다. 차세대 NAND 인터페이스로 UFS와 NVMe의 경쟁 구도가 당분간 지속될 전망이다. 그림 27.

27. eMMC 및 UFS 성능 비교

그림 28.

28. eMMC 및 UFS 작동 원리 비교

자료: 삼성전자

자료: 삼성전자

그림 29.

29. 어플리케이션별 NAND 인터페이스 규격

그림 30.

30. 반도체 패키징의 진화

자료: SanDisk

자료: 삼성전자, KDB대우증권 리서치센터

12

KDB Daewoo Securities Research

2016 Outlook Report [반도체]

표 4. NAND 수급 전망

(백만 GB, %)

공급 QoQ/YoY 성장률 삼성전자 Toshiba/Sandisk Micron SK하이닉스 기타

1Q15 19,606 5.6 6,940 7,482 3,251 1,920 13

2Q15 20,921 6.7 7,573 7,856 3,414 2,065 13

3Q15 23,734 13.4 8,633 8,799 3,905 2,383 14

4Q15F 26,124 10.1 9,304 9,904 4,373 2,529 15

1Q16F 28,371 8.6 10,177 10,638 4,738 2,803 15

2Q16F 30,624 7.9 11,269 11,307 4,927 3,105 16

3Q16F 32,973 7.7 11,979 12,430 5,125 3,423 17

4Q16F 34,751 5.4 12,578 13,061 5,330 3,765 18

2014 63,629 40.0 21,290 25,458 11,047 5,789 45

2015F 90,385 42.1 32,450 34,040 14,944 8,897 54

2016F 126,718 40.2 46,002 47,435 20,119 13,095 66

2017F 161,199 27.2 59,973 58,302 26,075 16,762 87

수요 QoQ/YoY 성장률 모바일(스마트폰/테블릿) SSD(Solid State Drive) USB/Flash Cards 기타

18,218 1.1 4,710 7,456 3,633 2,419

20,315 11.5 5,058 8,294 4,331 2,632

22,854 12.5 5,911 9,778 4,060 3,105

25,760 12.7 6,986 10,785 4,499 3,490

25,952 0.7 6,890 11,177 4,277 3,609

27,799 7.1 7,559 11,848 4,500 3,892

32,159 15.7 8,883 13,857 4,828 4,591

34,725 8.0 10,114 14,541 4,949 5,121

61,846 35.1 15,971 23,017 14,344 8,515

87,147 40.9 22,665 36,314 16,523 11,645

120,636 38.4 33,446 51,422 18,554 17,214

166,231 37.8 45,265 78,418 20,170 22,378

7.6%

3.0%

3.9%

1.4%

9.3%

10.2%

2.5%

0.1%

2.9%

3.7%

5.0%

-3.0%

공급과잉률 자료: KDB대우증권 리서치센터

표 5. NAND 업체별 웨이퍼 투입 캐파 삼성전자 Fab12 Fab16 C1(Xian) Toshiba/Sandisk Fab3 Fab4 Fab5 Micron Manassas, US Lehi, US (IMFT) Singapore (IMFT) Singapore (TechSemi) SK하이닉스 SK하이닉스 M11 M12 기타 합계

1Q15 340 110 200 30 430 150 200 80 235 35 70 75 55 175 120 55 3 1,183

(12" 기준, 천장/월) 2Q15 350 110 200 40 430 150 200 80 235 35 70 75 55 175 120 55 3 1,193

3Q15 380 110 200 70 430 150 200 80 240 35 70 80 55 180 120 60 3 1,233

4Q15F 390 110 200 80 440 150 200 90 240 35 70 80 55 190 120 70 3 1,263

1Q16F 395 110 200 85 454 150 200 100 250 35 70 90 55 195 120 75 3 1,297

2Q16F 405 110 200 95 464 150 200 110 250 35 70 90 55 200 120 80 3 1,322

3Q16F 410 110 200 100 482 160 200 115 250 35 70 90 55 210 120 90 3 1,355

4Q16F 410 110 200 100 487 160 200 120 250 35 70 90 55 220 120 100 3 1,370

2014 3,981 1,440 2,400 141 5,010 1,740 2,430 840 2,655 420 840 900 495 2,115 1,560 555 36

2015F 4,380 1,320 2,400 660 5,190 1,800 2,400 990 2,850 420 840 930 660 2,160 1,440 720 36

2016F 4,860 1,320 2,400 1,140 5,662 1,860 2,400 1,335 3,000 420 840 1,080 660 2,475 1,440 1,035 36

13,797

14,616

16,033

3Q15 554 138 362 55 32 166 82 10.7 0.8 14.2 12.0 302.3 15.9 17.3

4Q15F 611 138 397 76 35 159 84 11.4 0.9 15.1 11.3 308.3 19.3 17.1

1Q16F 558 125 376 56 34 135 67 12.4 0.9 16.2 11.8 331.8 22.5 18.7

2Q16F 559 122 381 56 34 129 68 13.5 0.9 17.7 12.4 346.3 24.5 19.5

3Q16F 591 119 415 57 36 150 79 15.0 1.0 19.3 13.0 385.6 22.0 19.4

4Q16F 615 119 434 62 38 144 80 16.4 1.0 21.1 13.7 383.1 23.3 19.9

2014 2,144 656 1,265 223 94 660 312 7.5 0.5 10.4 11.0 246.0 14.6 15.1

2015F 2,220 561 1,430 230 124 613 305 10.2 0.7 13.7 11.8 292.5 18.5 17.1

2016F 2,323 485 1,607 231 142 558 295 14.4 1.0 18.7 12.8 362.7 23.0 19.4

2017F 5,280 1,320 2,400 1,560 5,799 1,860 2,400 1,450 3,240 420 840 1,320 660 2,640 1,440 1,200 40 16,998

자료: KDB대우증권 리서치센터

표 6. 세트 출하량 및 대당 NAND 사용량 모바일 피쳐폰 스마트폰 테블릿 SSD( SSD(Solid State Drive) Drive) Flash Cards USB Flash 모바일 피쳐폰 스마트폰 테블릿 SSD( SSD(Solid State Drive) Drive) Flash Cards 가전

1Q15 528 145 334 49 27 148 69 8.9 0.6 12.1 11.9 274.4 17.5 15.3

2Q15 527 141 337 49 30 141 71 9.6 0.7 12.9 12.4 279.9 21.5 18.4

(백만대, GB/대) 2017F 2,361 414 1,701 246 173 499 294 19.2 1.1 24.3 14.0 453.3 27.6 21.7

자료: KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

13

2016 Outlook Report [반도체]

비메모리: AP(Application Processor) 진검 승부 삼성전자는 올해 출시한 갤럭시 S6와 Note 5에 대부분 Exynos 7420 AP를 채택했다. 과거 삼성전 자의 전략 스마트폰 중에서 일부 내수 모델에 자체 Exynos AP를 채택한적은 있었지만 이번처럼 전 면적으로 Exynos AP가 채택된 것은 처음이다. 여러 벤치마크 결과에 의하면 현존하는 AP 중에서 가장 뛰어난 성능을 기록했으며 14nm FinFET으로 설계되어 die size도 30% 축소되었고 전력소모 도 크게 개선되었다. 유일한 약점이라면 통신칩인 Baseband Modem이 원칩으로 구현되지 않아 별 도의 칩이 필요하다는 점이었다. 물론 이 칩도 삼성이 자체적으로 설계한 Shannon 333이 탑재되었 다. 삼성전자의 AP 설계 능력과 공정 기술이 선발 업체들과 동등한 수준까지 올라섰다고 판단된다.

ARM 기반의 AP를 설계하는 방법은 두 가지이다. ARM에서 제공하는 ① 레퍼런스 디자인을 이용하 는 방법과 구미에 맞게 디자인을 변경한 ② 커스텀코어 디자인이 있다. 그 동안 Exynos는 ARM 레 퍼런스 디자인을 이용한 반면 Apple, Qualcomm은 각각 Cyclone, Krait라는 자체적인 커스텀코어를 사용했다. 삼성전자가 최근에 발표한 Exynos 8890에는 자체 설계한 커스텀코어 M1(프로젝트명 ‘몽 구스’)이 탑재된다. 몽구스는 미국 SARC(Samsung Austin R&D Center)에서 개발된 64-bit 커스텀 코어이다. Exynos 8890은 기존 Exynos 7420 대비 성능은 30% 개선되고 전력소모는 10% 개선되 었다. Big.LITTLE 멀티프로세싱 기술을 적용한 8개의 코어와 고성능 LTE 모뎀(Cat.12/13)을 결합 한 SoC(System on Chip)이다. 기존 28nm 공정에서 설계된 모뎀(Shannon 333)을 14nm FinFET 기반의 AP와 원칩으로 내장하는 기술은 매우 난이도가 높기 때문에 상당한 성과라고 평가된다. 글로벌 AP 1위 업체인 Qualcomm은 올해 출시한 Snapdragon 810이 지속적인 발열 문제를 일으켜 명성에 오점을 남겼다. Snapdragon 810은 커스텀코어를 사용하지 않고 ARM 레퍼런스 디자인을 사 용했다. 64-bit 커스텀코어 Kryo가 준비되지 않은 상황이었기 때문에 32-bit 커스텀코어 Krait 대신 ARM 64-bit Cortex를 사용했다. Qualcomm은 최근에 출시한 Snapdragon 820에 비로서 자체 64bit 커스텀코어인 Kryo를 채택했으며 삼성전자의 14nm FinFET 공정으로 설계되었다. 내년 프리미엄 스마트폰 시장에서 Exynos 8890은 Snapdragon 820과 진검 승부가 가능할 전망이 다. Exynos 8890과 Snapdragon 820이 모두 삼성전자의 14nm FinFET 공정으로 양산되기 때문에 삼성전자 System LSI 부문은 양수겸장의 상황이다. 내년 Apple 차기 AP인 A10에서 물량 감소 가 능성이 있지만 14nm FinFET 고객 기반 확대로 이를 충분히 상쇄할 수 있을 전망이다.

Huawei 100% 자회사인 HiSilicon도 자체 개발한 Kirin 950을 출시했다. TSMC 16nm FinFET 공정 으로 설계되었으며 Huawei의 프리미엄 스마트폰인 Mate 8에 탑재될 예정이다. MediaTek은 최초로 10개의 코어를 가진 Helio X20을 출시했지만 20nm 공정으로 설계되었으며 16nm 버전인 X30은 아 직 개발 중이다. 국내 기업 중에서는 아나패스가 중저가 AP를 LG전자와 함께 개발하고 있다. 그림 31.

31. Mobile AP 시장 전망

그림 32.

32. Mobile AP 시장 점유율 (2015F)

(십억달러)

기타 10%

45 40

MediaTek 18%

Qualcomm 45%

35 30 25 20

Apple 18%

15 2012

2013

2014

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

14

KDB Daewoo Securities Research

2015F

2016F

삼성전자 9%

2017F

자료: Gartner, KDB대우증권 리서치센터

2016 Outlook Report [반도체]

표 7. 모바일 AP 스펙 비교 Qualcomm Snapdragon 820 Custom Core Quad-core Kryo (2.2GHz) Adreno 530

Samsung Exynos 8890 Custom Core Octa-core M1+A53 (2.3GHz / 1.5GHz) Mali T880

HiSilicon Kirin 950 ARM reference design Octa-core A72+A53 (2.3GHz / 1.8GHz) Mali T880

MediaTek Helio X20 ARM reference design Deca-core A72+A53+A53 (2.5GHz / 2.0GHz / 1.4GHz) Mali T880

600Mbps (Category 12)

600Mbps (Category 12)

300Mbps (Category 6)

300Mbps (Category 6)

생산공정 출시일정

삼성전자 14nm FinFET 2015년 4분기

삼성전자 14nm FinFET 2016년 1분기

TSMC 16nm FinFET+ 2015년 4분기

20nm HPM 2015년 4분기

적용모델 (예상) 예상)

LG G5 삼성 Galaxy S7 HTC One M10 Sony Xperia Z6 Nexus 7 Xiaomi Mi5

삼성 Galaxy S7 삼성 Galaxy S7 Edge 삼성 Galaxy Note 6 Meizu, Blackberry

Huawei Mate 8 Huawei P9max

HTC One M10 Xiaomi Mi5 Acer Predator

구분 CPU GPU 모뎀

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 33.

33. 삼성전자 Exynos 8890 구조

자료: AnandTech, KDB대우증권 리서치센터

그림 34.

34. Qualcomm Snapdragon 820

그림 35.

35. MediaTek Helio X20 TriTri-Cluster 구조

자료: Qualcomm

자료: MediaTek

KDB Daewoo Securities Research

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2016 Outlook Report [반도체]

III. 중장기 전망 및 이슈분석 중국의 메모리 시장 진출 메모리 반도체 산업은 퇴출의 역사라고 해도 과언이 아니다. 2000년 11개에 이르던 DRAM 업체들 이 현재는 3개의 메이저 업체만 남았다. 기술 경쟁에서 밀린 업체들이 하나 둘 퇴출되면서 최근 3년 동안은 과점화된 시장의 수혜를 누리는 생존자들의 파티였다고 할 수 있다. 최근 이런 시장의 변화를 가져온 것은 중국이다. 올해 중국 업체들이 본격적으로 메모리 시장 진출의 출사표를 던지고 있다. 반도체 자급률(현재 9%)을 높이기 위한 중국 정부의 의지는 확고하다. 올해 중국 스마트폰 판매량은 4.2억대로 글로벌 스마트폰 판매량의 29%에 이를 전망이다. 자국 스마트폰 업체들의 시장 점유율이 가파르게 상승하고 있음에도 불구하고 스마트폰 업체 중에서 돈을 버는 업체는 Apple과 삼성전자뿐 이다. 대부분의 이익은 세트 업체가 아닌 부품 업체들이 향유하고 있다. AP 시장에서 Qualcomm, 메 모리 시장에서 삼성전자, SK하이닉스 등의 반도체 업체들이 많은 수익을 챙겨가고 있다. 중국 정부의 막대한 자금 지원, 풍부한 인재, 빠른 의사 결정을 통한 적극적인 M&A는 국내 반도체 업체들에게 향후 큰 위협 요인이 될 전망이다. 국내 업체들도 중국 업체들과의 경쟁보다는 JV (Joint Venture), M&A를 통한 현지화 전략을 통해 협력 관계 구축이 필요해 보인다. 그림 36.

36. ‘치킨 게임’ 게임’이 끝난 메모리 반도체 시장에 새로운 플레이어 등장

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 37.

37. 중국 반도체 매출액 추이 및 전망 (목표) 목표)

그림 38.

38. 중국 정부의 반도체 지원 펀드

(십억달러) 160 중국 반도체 매출액은 IDM, Fabless, Foundry, OSAT(후공정) 포함 140 120

143

연평균 성장률 (2014~2020): > 20%

100 80 60 40 20

58

연평균 성장률 (2001~2014): 26%

2

0 01

03

05

07

09

11

자료: SEMI, KDB대우증권 리서치센터

16

KDB Daewoo Securities Research

13

15F

17F

19F

자료: SEMI, KDB대우증권 리서치센터

2016 Outlook Report [반도체]

중국의 위협 요인 → ① 풍부한 엔지니어와 ② 빠른 의사 결정을 통한 적극적인 M&A 중국 칭화대는 올해 세계 공과대학 평가에서 처음으로 미국 MIT를 제치고 엔지니어링 분야에서 1위 를 차지했다. 그 외에 저장대(4위), 하얼빈공대(7위) 등이 상위권에 오르며 많은 엔지니어들을 배출하 고 있다. 2011년부터는 해외 유명 대학의 인재들을 본토에 유치하기 위한 ‘청년 천인계획’을 통해 매 년 400명의 인재들을 불러들이고 있으며 최근 이를 더욱 확대할 계획을 가지고 있다. 중국은 내부적으로 기술 확보가 어렵다고 판단되면 공격적인 M&A를 통해 IT 기술 확보에 나서고 있다. 올해 3분기까지 중국의 해외 M&A(Cross-Border Transaction) 건수는 221건이었으며 금액 은 707억달러에 이른다. 지난해 연간 149건에 448억달러와 비교하면 크게 늘어난 수치이다. 올해 해외 M&A 중에서 미국 내 투자가 46건, 금액으로는 136억달러로 가장 많았으며 업종별로는 IT 하 드웨어가 많았다. 단일 건수로 가장 큰 금액은 최근 Tsinghua Unisplendour가 Western Digital 지 분 15% 인수를 위해 투자한 38억달러이다. 중국은 국유기업이 많고 민간기업의 경영진들도 실질적 인 오너이자 창립자인 경우가 많아 의사 결정이 빠르다. 표 8. 세계 공과대학교 순위 (2015년 (2015년) 순위 1 2 3 4 5 6 7 8 9 41 52

국가 중국 미국 미국 중국 싱가폴 싱가폴 중국 미국 미국 한국 한국

대학교 Tsinghua University (칭화대학교 (칭화대학교) 칭화대학교) MIT (Massachusetts Institute of Technology) University of California – Berkeley Zhejiang University (저장대학교 (저장대학교) 저장대학교) Nanyang Technological University National University of Singapore Harbin Institute of Technology (하얼빈공대 (하얼빈공대) 하얼빈공대) Stanford University Georgia Institute of Technology KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) Seoul National University (서울대학교)

자료: US News & World Report

표 9. 반도체 기술 확보를 위한 Tsinghua 그룹의 공격적인 행보 날짜 2015년 07월 13일 2015년 10월 01일 2015년 10월 05일 2015년 10월 21일 2015년 10월 30일 2015년 11월 06일

내용 Tsinghua Unigroup이 $230억(시가대비 19% 프리미엄)에 Micron 인수했지만 성사되지 못함 Unisplendour는 글로벌 HDD 1위, SSD 7위 업체인 Western Digital 지분 15%를 $38억에 인수 Inotera 사장(Charles Kau)를 Tsinghua Unigroup 부사장으로 영입 Western Digital은 $190억에 SanDisk 인수. Tsinghua 그룹이 우회적으로 SanDisk를 인수한 효과 Tsinghua Unigroup은 대만 반도체 패키징 및 테스트 업체인 Powertech 지분 25%를 $6억에 인수 Tongfang Guoxin $126억 유상증자 결정 ($95억은 메모리 공장 건설, $31억은 M&A에 활용할 계획)

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 39.

39. Tsinghua 그룹의 지배 구조

자료: KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

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2016 Outlook Report [반도체]

중국은 스마트 제조업으로 변화 중 중국 경제의 성장 둔화와 인건비 상승으로 전통적 제조업의 원가 경쟁력이 감소하고 있다. 이에 중국 당국은 전통적인 자원집약형 구조에서 기술집약형 구조로 바꾼다는 내용과 함께 제조업 경쟁력 강화 를 목표로 올해 5월 ‘중국제조 2025’ 정책을 마련했다. 이번 정책은 단기 정책이 아니라 기존에 발표 했던 정책들과 함께 최대 10년간 중국의 산업 정책으로 추진될 예정이다. 중국은 제조업 기반이 견고하지 못하고 품질 수준이 낮아 새로운 혁신이 필요하다. 정부는 제조업 강 화를 위해 R&D 지출을 늘렸고 그 결과로 2008년 4,570억 위안에서 2014년 1조 3,312억 위안으로 R&D 지출 비용이 3배 증가하였다. 하지만 여전히 2013년 중국의 국내총생산(GDP)당 연구개발비가 차지하는 비중은 2.0% 수준으로 선진국 평균인 2.5%에 미치지 못한다. 이번 정책을 통해 중국은 2025년까지 R&D 지출을 확대하여 첨단 산업 기술 수준을 향상시키려 하고 있다. 특히 제조업과 인터넷의 융합을 통해 IT 기술력 향상을 꾀하고 있다. 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등 모바일 인터넷 기술 응용과 알고리즘 분석 방식을 통해 새로운 시스템 서비스를 구축하고, 4개 핵심 프로젝트(반도체, 정보통신 설비, 소프트웨어, 지능형 제조)를 통해 IT 산업을 육성할 예정이다. 그림 40.

40. 중국 스마트폰 판매량 추이 및 전망

그림 41.

41. 중국 수출 비중

(백만대) 150

(%) 중국 스마트폰 판매수량 추이 (L)

YoY (R)

250 200

120

(%)

중국의 수출에서 외자기업 비중 (L)

(%)

60

세계 수출에서 중국의 비중 (R)

15

50

150

40

100

30

50

20

0

10

90

10

60

30

0 1Q10

-50 1Q11

1Q12

1Q13

1Q14

1Q15

5

0

0 05

1Q16

06

07

08

09

10

자료: IDC, KDB대우증권 리서치센터

자료: 중국 통계국, KDB대우증권 리서치센터

그림 42.

42. 중국 제조업 경기 동향 지수

그림 43.

43. 중국 R&D 지출규모 및 비중

(P) 53

11

12

13

14

(십억위안) 1,400

중국 제조업 경기 동향(PMI)

R&D 지출 (L)

(%) 3

GDP 대비 비중 (R)

1,200 51

1,000

2

800 49 600 1

400

47

200 0

45 15.1

15.2

15.3

15.4

15.5

자료: 중국 공업원, KDB대우증권 리서치센터

18

KDB Daewoo Securities Research

15.6

15.7

15.8

15.9

0 08

09

10

11

자료: 중국 제조 2025, KDB대우증권 리서치센터

12

13

14

2016 Outlook Report [반도체]

표 10.

10. ‘중국제조 ‘중국제조 2025’ 2025’ 10대 10대 중점 산업 분야 산업대분류

산업소분류 반도체

차세대 정보기술

정보통신

주요 내용 -

반도체 설계 수준을 향상, 지식재산권(IP)을 보유한 핵심 설계설비 확대 국가정보 및 인터넷 보안 유지, 전자제품 산업 발전에 필요한 핵심 칩 국산화 사용 확대 고밀도 패키징 및 3D 마이크로 패키징 기술을 개발하여 패키징 산업 발전과 테스트 역량 강화를 도모 핵심 제조설비를 안정적으로 공급

- 신형 PC, 초고속 인터넷, 첨단메모리, 체계적인 보안시스템 등의 핵심 기술을 개선하여 5세대 모바일 통신기술, 첨단 라우팅 기술, 초고속 대용량 스마트 광전송 기술 등을 발전 - 첨단서버, 대용량 메모리, 신형 라우팅, 신형 스마트 단말기, 차세대 기지국, 인터넷 보안 장비 등을 개발

OS 및 산업용 S/W

-

보안관련 OS 등 산업용 S/W를 개발 스마트 디자인 및 시뮬레이션 설비, 사물인터넷, 산업용 빅데이터 처리 등 첨단 산업용 S/W 기술을 발전 첨단 산업 S/W 플랫폼과 응용 어플리케이션을 개발 산업용 S/W 통합표준과 보안 테스트 시스템을 구축

고정밀 수치제어

-

고정밀, 고속 고효율 수치제어, 기초 생산설비 및 통합 생산 시스템을 개발 고정밀 수치 제어, 적층 가공(Additive Manufacturing)등 첨단 기술 및 설비 R&D 강화 고정밀 수치제어 시스템, 서보모터, 베어링, 래스터 등 주요 기능성 부품과 응용 어플리케이션을 개발 및 상용화 사용자 프로세스 인증 역량을 강화

로봇

-

자동차, 기계, 전자, 위험물 제조, 국방, 화학공업, 경공업 등의 산업용 로봇 신제품 개발 헬스케어, 가사, 교육, 엔터테인먼트 등의 특수형 로봇의 신제품 개발을 확대 로봇의 표준화 및 모듈화 발전을 추진 및 로봇의 응용범위 확대 로봇 본체 감속기, 서브모터, 제어기, 센서, 구동기 등 핵심 부품 및 시스템 통합설계 제조 등을 발전

항공장비

-

대형 항공기 및 기체 확장형 기종을 연구, 생산, 중형 헬리콥터 생산을 위해 국제협력을 강화 간선 및 지선 항공기, 헬리콥터, 무인기 등의 상용화를 도모 고추 진력 중량비, 첨단 터보 프롤 엔진, 고바이 패스비 터보팬 기술을 개발 항공기 탑재 장비 및 시스템을 개발과 자체 생산이 가능 항공산업 사슬을 구축

우주장비

-

차세대 탑재 로켓, 중형 우주 발사체를 개발하는 등 우주비행산업 경쟁력을 제고 인공위성, 페이로드, 초고속 인터넷망 등 인프라를 구축하고 원격탐사 위성, 통신, 네비게이션등 항공정보역량을 강화 유인 우주비행 및 달탐사 프로젝트를 추진하고 심우주 탐사를 실시 우주비행기술의 상용화 및 우주기술 응용을 확대

-

심해탐사, 재원개발 및 이용, 해양 안전장비 및 시스템 발전 추진과 해저 정거장, 대형 부유식 구조믈을 구축 해양 플렌트 설비 테스트, 모니터링, 검증 역량을 강화하고 해양자원의 개발, 이용 수준을 제고 크루즈선 설계, 건조 기술 수준 향상과 LNG 선박 등 최첨단 선박의 글로벌 경쟁력을 강화 보조 장비 통합, 지능화, 모듈화 관련 기술을 확보

고정밀 수치제어 및 로봇

항공우주 장비

해양장비 및 첨단기술 선박

선진 궤도교통설비

- 신소재, 신기술, 신공법을 응용. 보안시스템, 에너지 절감 및 환경보호, 디지털 및 스마트 네트워크 기술을 발전 - 친환경, 스마트, 고속 대용량 궤도교통설비 시스템을 구축 - 궤도 교통산업을 세계적인 수준으로 발전

에너지 절약 및 신에너지 자동차

-

전기 자동차, 연료전지 자동차를 지속적으로 발전 자동차의 저탄소·정보화·스마트화 기술을 보유 동력전지, 모터드라이브, 고효율 내연기관, 첨단 변속기, 경량소재, 스마트 제어 등 핵심 기술 상용화를 추진 핵심 부품 등을 포함한 완성차 생산시스템을 완비. 중 국산 에너지절약 및 신에너지 자동차 수준을 글로벌 수준으로 제고

전력설비

-

대규모 고효율·청정 화력발전의 상용화 및 시범응용을 추진 대용량 수력발전, 원자력 발전, 중형 가스터빈 제조 수준을 제고 신재생 에너지설비, 첨단 에너지저장장치(ESS), 스마트 그리드 송전·변전 등을 발전 고성능 전력전자부품, 고온 초전도소재 등 핵심 소자 및 부품의 응용기술을 향상시키고 상용화를 추진

농업기계장비

- 곡물·목화·기름·설탕 등의 식량, 경제작물의 파종·재배·수확·운반·저장 등 주요 생산 과정에서 쓰이는 농업기계장비를 발전 - 대형 트랙터, 복합 작업기, 대형 수확기 등 첨단 농업기계장비 및 핵심 부품의 발전을 추진 - 농업기계장비에 대한 정보수집, 의사결정, 정 밀작업 역량을 강화하고 농업 생산성 증대를 위한 정책을 마련

신소재

-

특수금속 기능성소재, 고성능 구조재료, 기능성 고분자소재, 특수무기질 비금속재료, 첨단 복합소재를 중점적으로 발전 최첨단 정련·응고·성형기술, 기상 증착, 소재가공, 고효율 합성 등 신소재 생산에 필요한 기술 및 설비를 개발 기초연구 기반 강화 및 상용화 확대, 군·민용 특수신소재를 개발, 상호 기술이전을 촉진하여 신소재산업의 군·민 융합 발전 추진 초전도소재, 나노소재, 그래핀, 바이오 기초소재 등 전략적 최첨단소재를 개 발하여 기초소재 경쟁력을 강화

바이오의약 및 고성능 의료기기

-

중증질환을 대상으로 한 화학 의약품, 중의약품, 바이오 의약품을 개발 의료기기 혁신성 및 상용화 수준을 제고 영상장비·의료용 로봇 등 고성능 진료장비 및 혈관 내 완전분해 스텐트 등 고부가가치 의료용 소모품을 개발 웨어러블, 원격 진료 등 모바일 의료서비스 에 필요한 제품을 개발 바이오 3D 프린터 등 첨단기술을 개발 및 응용 확대

자료: 중국제조 2025, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

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2016 Outlook Report [반도체]

차세대 반도체 기술의 부상 올해 들어 차세대 메모리 기술에 대한 관심이 급격하게 높아지고 있다. 차세대 메모리 기술 개발은 꾸준히 진행되어 왔고 올해 갑자기 부상한 이슈는 아니다. 다만 최근 차세대 메모리에 대한 중요성이 부각되는 이유가 ① 중국의 메모리 산업 진입과 ② 공정 미세화가 점차 어려워지고 있기 때문이다. 중국의 메모리 산업 진입으로 선발 업체들은 원가 경쟁력(Cost Leadership)을 넘어 제품 차별화 (Product Differentiation)에 대한 필요성이 증대되고 있다. 디스플레이 산업에서 중국 업체들이 LCD 패널 시장에 진입하면서 국내 업체들이 OLED를 통한 차별화 제품을 적극적으로 추진하는 것과 같은 맥락이다. 원가 경쟁만으로는 중국 업체들 대비 우위를 점하기 어렵기 때문이다. 반도체의 미세 공정 전환도 날이 갈수록 어려워지고 있다. 기존 ArF 광원을 이용하여 DPT(Double Patterning) 공정을 사용할 경우 16nm까지 선폭을 축소할 수 있다. 하지만 노광을 두 번하면서 추가 되는 프로세스들이 있기 때문에 기존 공정에 비해 생산성이 떨어질 수 밖에 없다. 선폭이 감소하면서 발생하는 또 하나의 큰 문제점은 캐패시터의 aspect ratio 증가이다. Aspect ratio가 너무 높아지면 캐패시터 구조가 쓰러져 인접한 캐패시터와 붙어버리는 문제가 발생한다.

30nm 이하의 공정 전환에서 DPT 스텝 증가에 따른 캐파 자연 감소분으로 동일한 bit growth를 위 한 capex가 급격히 증가하는 것을 확인할 수 있다. 20nm대 공정이 본격적으로 적용되기 시작한 2013년부터 동일한 투자금액으로 달성할 수 있는 bit growth가 현저히 감소한다. Capex의 효율성이 감소하면서 메모리 업체들이 공격적으로 증설하기 어려워졌다. 그림 44.

44. DRAM 공정 미세화에 따른 캐패시터의 Aspect Ratio (종횡비율 (종횡비율) 종횡비율)

자료: SK하이닉스

그림 45.

45. 미세 공정 전환에 따른 DPT 스텝 증가

그림 46.

46. DRAM capex 및 capex 효율성 추이

(회) 10

(십억달러) 25

DPT 스텝수

(십억달러/%) Capex(L)

20nm대 20nm대 진입

600

Capex 효율성(R)

8

20

6

15

동일한 bit growth를 위한 투자금액 급증

500 400 300

4

10 200

2

5

0 30nm

2Xnm

2Ynm

자료: KDB대우증권 리서치센터

20

KDB Daewoo Securities Research

2Znm

1Xnm

100 0

0 00

02

04

자료: KDB대우증권 리서치센터

06

08

10

12

14

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PRAM(위상변화메모리 PRAM(위상변화메모리) 위상변화메모리) PRAM은 비휘발성 상변화 소재를 이용한 메모리 소자이다. PRAM 셀 구조는 트랜지스터 1개와 상변 화 재료인 칼코지나이드(Chalcogenide)계 저항이 연결된 1T1R로 구성되어있다. 칼코지나이드계 소 재는 Ge(게르마늄)-Sb(안티몬)-Te(텔레늄) 금속 합금을 주로 사용하고 줄여서 GST라고 부른다.

GST 물질은 자체 저항 가열에 의해 비정질화(Amorphous, Reset, 고저항), 결정화(Crystalline, Set, 저저항)의 상변화를 일으키며 상변화에 따른 저항차를 메모리 소자에 응용하는 원리이다.

GST 상변화를 일으키는 방법이 두 가지가 있다. 첫 번째는 광학식(Optical)으로 레이저를 이용해 상 변화를 일으키는 방식이며 기존 CD-RW 또는 DVD-RW에서 널리 사용되고 있다. 다만 CD와 DVD 에서는 상변화에 따른 저항차를 이용하는게 아니라 상변화에 따른 굴절률 차이를 이용하는 원리이다. 두 번째는 전기적(Electrical)으로 상변화를 일으키는 방식이며 메모리 반도체에서 사용된다.

PRAM의 장점은 속도가 기존 비휘발성 메모리인 NAND에 비해 1,000배 빠르며 1억번의 읽기/쓰기 가 가능해 내구성도 우수한 편이다. 상변화의 단계를 세분화할 수 있어 MLC(Multi-Level Cell) 구현 도 가능하다. 단점은 열에 의해서 상변화를 일으키는 소재를 사용하기 때문에 열에 민감하며 데이터 오류 가능성이 있다는 점이다. NAND는 PCB에 실장되기 전에 미리 프로그래밍이 가능하지만 PRAM은 고온 리플로우(Reflow) 실장 공정에서 데이터가 소멸될 수 있다. 그림 47.

47. PRAM 셀 구조 및 동작원리

자료: 대한전자공학회지, California State University

그림 48.

48. 비정질화, 비정질화, 결정화를 위한 전류와 시간

그림 49.

49. 전류 제어를 통한 MLC(2MLC(2-bit) 구현

자료: California State University

자료: California State University

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MRAM(자기장메모리 RAM(자기장메모리) 자기장메모리) MRAM은 소재가 지닌 자기적 성질인 자성을 이용한다. 모든 물체 내부에는 미세한 자석이 있어 모 든 물체가 자성을 가지고 있다. MRAM은 이런 자성의 정도를 제어해 데이터를 저장할 수 있다. 자기 저항효과를 활용한 자성소자 기술은 스핀트로닉스(Spintronics)의 한 분야이다. 이 기술의 단초가 된 거대자기저항(Giant Magnetoresistance) 현상은 1988년 프랑스의 A. Fert와 독일의 P. Grunberg에 의해 발견되었으며 2007년 노벨 물리학상이 수여되었다.

MRAM의 동작원리는 전극 사이에 위치한 자기터널접합(MTJ, Magnetic Tunnel Junction)을 구성하 는 2개의 강자성층의 자화(Magnetization)가 서로 평행인가 반평행인가에 따라 달라지는 저항값을 이용해 데이터를 저장한다. 자기터널접합은 강자성체로 구성된 고정층(Pinned Layer)과 자유층(Free Layer)을 가지며 중간에 터널배리어(Tunnel Barrier)로 사용되는 절연층에 의해 분리되어 있다. 자 화의 방향은 외력이 없이는 변하지 않으므로 전원이 차단되더라도 데이터가 보전되는 비휘발성 메모 리 기술이다. 평행, 반평행 상태에 따른 저항값의 변화를 터널자기저항비(TMR, Tunneling Magnetoresistance)라고 부른다. MRAM의 상용화를 위해서는 TMR이 높은 자성 소재와 터널배리 어 소재를 개발하는 것이 핵심이다.

MRAM의 장점은 SRAM 수준의 고속 읽기/쓰기가 가능하면서 셀 사이즈가 작아 집적화를 높일 수 있다. 저전력, 높은 내구성, 비휘발성 메모리이기 때문에 SRAM, DRAM, NAND의 장점을 모두 보유 한 궁극의 메모리 기술이다. MRAM의 문제점은 자기장을 이용하여 하나의 셀을 동작하기 때문에 집 적도가 증가할수록 인접 셀 간의 간섭이 심해지는 문제를 안고 있다는 것이다. 문제를 해결할 수는 있으나 공정이 복잡해지고 생산성이 떨어져 원가 경쟁력을 확보하지 못하고 있다. 표 11.

11. MRAM과 MRAM과 기존 메모리 기술 비교 읽기 속도 쓰기 속도 비휘발성 내구성 리프레쉬 셀 사이즈 저전력

SRAM 매우 빠름 매우 빠름 X 높음 X 큼 O

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 50. MRAM 셀 구조 및 동작 원리

자료: 한국물리학회지

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DRAM 보통 보통 X 높음 O 작음 O

NAND 보통 느림 O 낮음 X 작음 X

MRAM 빠름 빠름 O 높음 X 작음 O

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ReRAM(저항메모리 ReRAM(저항메모리) 저항메모리) ReRAM은 소자의 전기적인 저항 특성이 외부 인가전압에 의해 변화하는 원리를 이용한 메모리 기술 이다. 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM(Metal Insulator Metal) 구조로 전기적 신호를 가하면 저항이 큰 전도가 되지 않는 상태(OFF state)에서 저항이 작은 전도가 가능한 상태(ON state)로 바 뀌는 특성을 갖는다. 전기적 신호를 가했을 때 저항이 낮아지는 이유는 절연층에 특정 임계 전압의 크기를 넘게 되면 발생하는 절연파괴(dielectric breakdown) 현상이 발생해 국소적으로 전도성 필라 멘트(conducting filament)가 생성되기 때문이다. 다시 임계 전류가 흐르게 되면 전도성 필라멘트가 끊어지게 되어 OFF state로 돌아가게 된다. 최근에는 전도성 필라멘트의 생성과 소멸과 관련하여 전 자현미경으로 관찰한 결과 메모리 스위칭시 필라멘트가 같은 자리에서 반복하여 생기는 것이 아니라 매번 필라멘트의 위치가 틀려진다는 결과가 국내 연구진에 의해 발표되기도 했다.

ReRAM의 동작 속도는 DRAM과 유사한 수준으로 빠르며 저전력에서 작동 가능하다는 장점이 있다. 다른 반도체 기술보다 3D 적층이 용이해 집적도를 높일 수 있어 차세대 스토리지 기술로 각광받고 있다. 기존 NAND를 이용한 스토리지에 비해 속도는 20배 이상 빠르고, 내구성은 10배 이상 길다. 전력소모는 NAND의 5%만 소모하고도 동일한 동작을 수행할 수 있어 모바일 기기에 유용하게 활용 될 수 있다. ReRAM의 단점은 아직까지 절연층의 전도성 필라멘트 생성 원리가 정확히 밝혀지지 않 아 안정적인 작동이 보장되지 않는다는 점이다. 메모리 스위칭이 복잡해질수록 데이터가 손상될 가능 성이 높으며 특성 변화에 맞게 오류 정정 회로가 필요하다. 그림 51.

51. ReRAM 셀 구조 및 동작 원리

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 52.

52. Planar NAND, 3D NAND와 NAND와 3D ReRAM 비교

자료: Crossbar

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업체별 차세대 메모리 기술 개발 현황

Micron:: 3D XPoint 공개 1) IntelIntel-Micron 올해 7월 28일 Intel과 Micron은 차세대 메모리 기술인 3D XPoint를 공개했다. 3D XPoint는 기존 NAND와 같은 비휘발성 메모리 소자이면서 속도는 기존 NAND에 비해서 1,000배 빠르고 내구성도 1,000배 높은 것으로 발표했다. 장점만 보자면 NAND에 비해서 성능과 내구성이 좋고 DRAM에 비 해서는 비휘발성이고 단위 용량당 가격이 싸다. 다만 DRAM의 용도는 CPU와 스토리지를 연결하는 메인 메모리이기 때문에 속도가 중요하고 NAND의 용도는 스토리지이기 때문에 단위 용량당 가격이 중요하다. 그런 측면에서 3D XPoint의 제품 포지셔닝이 애매하다. DRAM을 대체하기에는 속도가 느 리고 NAND를 대체하기에는 가격이 비싸다. 기존 기술을 대체하기보다는 새로운 어플리케이션으로 사용될 가능성이 높다고 판단되며 기존 메모리 시장에 비해서 규모는 미미할 전망이다.

3D XPoint 기술이 가지는 의미는 있다. 다른 차세대 반도체 기술들이 대용량으로 양산된 적이 없는 데 비해 3D XPoint는 1세대 128Gb 제품을 20nm 공정에서 2-layer로 양산 준비를 하고 있다. 현재 Lehi(미국, Utah)팹 캐파 20K/월 중에서 일부를 3D XPoint 생산에 이용하고 있다. 향후 3D XPoint 는 공정 미세화와 layer 증가를 통해 확장성을 높일 수 있다고 밝히고 있다.

3D XPoint의 기술은 플로팅게이트에 전하를 저장하는 NAND와 근본적으로 다르다. 데이터를 저장 하는 원리는 재료의 속성 변화(bulk material property change)를 이용한다. 여기서 속성이 상변화 (PRAM)인지 저항(ReRAM)인지는 알려지지 않았지만 재료와 장비가 많이 달라질 것이라는 전망이 우세하다. 기존 설비들을 활용하기 어렵기 때문에 신규투자가 필요하다는 재무적인 부담이 있다. 표 12.

12. 3D XPoint 성능 및 가격 비교 성능 읽기 속도 (초) 가격 (USD/GB) 자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 53.

53. 3D XPoint 구조

자료: Micron

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DRAM ns (10-9) $4~5

NAND 수십 μs (10-5) $0.3~0.4

3D XPoint 수십 ns (10-8) 미정 ($4 수준 예상)

HDD 수십 ms (10-2) $0.1

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Intel은 3D XPoint 기술을 이용해 새로운 어플리케이션에 활용할 가능성이 크다. In-memory database, Big Data 등의 서버 어플리케이션에 먼저 사용될 전망이다. Intel은 올해 개발자 포럼(Intel Developer Forum 2015)에서 3D XPoint를 이용한 제품의 브랜드인 Optane Technology 공개했다. 그림 54.

54. Intel Optane Optane 기술은 3D XPoint를 XPoint를 이용한 솔루션 브랜딩

자료: Intel Developer Forum 2015

Intel과 Micron은 3D XPoint 기술을 공동으로 개발하지만 최종 제품은 각자 상품화할 계획이다. 기 술 개발은 같이 하지만 최종 제품은 경쟁자인 셈이다. Intel은 데이터베이스, 스토리지 중심의 제품에 집중하고 Micron은 스토리지와 메인 메모리 제품에 집중할 것으로 예상된다. JEDEC은 비휘발성 메 모리를 메인 메모리로 이용하는 DDR4 NVDIMM 인터페이스를 발표했고 이를 이용한 제품(SanDisk ULLtraDIMM, AgigA NVDIMM)들이 출시되기도 했다. 향후 3D XPoint를 이용한 메인 메모리 제품 의 출시 가능성도 있다고 본다. 기존 PC보다는 임베디드 제품이나 IoT 솔루션에 활용될 수 있다. 그림 55.

55. 비휘발성 DDR4 NVDIMM

자료: Agiga

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삼성전자:: 차세대 반도체 기술을 모두 독자적으로 개발하고 있는 유일한 업체 2) 삼성전자 삼성전자는 양산성을 확보하지 못한 다른 차세대 반도체 기술보다 양산성 검증이 완료된 3D NAND 에 집중 투자할 전망이다. 3D NAND 기술이 경쟁사 대비 1년 이상 앞서 있다고 판단된다. 삼성전자 는 올해 중국 시안 공장에서 32단 3D NAND(TLC) 양산을 시작했다. 올해 하반기에는 48단 3D NAND(TLC) 양산이 본격화되면서 Planar NAND와 경쟁이 가능한 원가 구조를 확보할 전망이다. 그림 56.

56. 글로벌 NAND 업체들의 공정 전환 로드맵

자료: KDB대우증권 리서치센터

그렇다고 삼성전자가 다른 차세대 반도체 기술을 준비하지 않는 것은 아니다. 오히려 차세대 반도체 기술로 꼽히는 MRAM, PRAM, ReRAM 기술을 모두 독자적으로 개발하고 있는 유일한 업체다. 삼성전자는 2006년 512Mb PRAM 프로토타입을 공개했으며 2010년 65nm 공정에서 생산된 PRAM MCP(Multi Chip Package)를 상용화하기도 했다. NAND Flash를 대체하기보다는 운영체제나 펌웨어를 저장하는 NOR Flash를 대체하기 위한 용도로 사용되었다. 2011년에는 58nm 공정에서 생 산한 1Gb PRAM에 이어 2012년에는 20nm 공정에서 생산한 8Gb PRAM을 발표했다. 삼성전자는 2011년 MRAM의 원천 특허를 보유한 미국의 Grandis를 인수했다. Grandis는 DRAM 시장에서 한국에 밀린 미국이 메모리 반도체 시장의 판도를 뒤집고자 히든카드로 준비한 기술 개발 업체다. 2002년 미국 국방부 산하 방위산업기술청(DARPA)과 현지 벤처캐피털들이 각각 1,500만달 러를 투자해 Grandis를 설립했다. 그러나 Grandis는 MRAM을 상용화할 자금이 부족했다. 삼성전자 는 이런 Grandis를 인수해 자사의 MRAM 연구 기지로 바꾼 것이다. 그림 57.

57. 삼성전자 삼성전자 차세대 메모리 개발 현황

자료: ISSCC 2013

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삼성전자는 2011년 7월에는 기존 메모리보다 내구성을 높이고 전력 소모를 줄인 ReRAM을 공개했 다. 흥미로운 사실은 삼성전자가 이미 2011년에 Intel-Micron이 공개한 3D XPoint array와 유사한 메모리 구조를 검토했지만 critical mask 수의 증가와 공정 미세화의 한계로 일시적인 해결책이라고 결론을 내렸다. 대신 단일 공정에서 메모리 셀들을 쌓아 올리는 방식인 Vertical ReRAM(VRRAM)이 3D NAND 이후 차세대 스토리지 기술로 유망할 것으로 발표했다. 그림 58.

58. 3D XPoint ReRAM과 ReRAM과 Vertical ReRAM 기술 비교

자료: 삼성전자

그림 59.

59. 3D XPoint ReRAM의 ReRAM의 원가 한계

자료: 삼성전자

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SK하이닉스 하이닉스: 3) SK 하이닉스: 공동 개발로 차세대 메모리 경쟁력 강화 SK하이닉스도 차세대 메모리 기술인 PRAM, MRAM(STT-RAM), ReRAM을 모두 연구하고 있다. 특이한 점은 각 기술마다 공동 개발하고 있는 파트너가 다르다는 점이다. 지난 2012년 SK하이닉스는 IBM과 PRAM 공동개발 및 라이센싱에 대한 계약을 체결했다. IBM은 MLC 기반의 PRAM을 이용해 PC와 서버의 부팅 속도를 대폭 줄이고 IT시스템의 전체적인 성능을 높이는데 성공했다. 또한 엔터프라이즈 서버의 성능 향상 및 전력소비 완화를 위한 SCM(Storage Class Memory)을 적용했다. SCM은 DRAM과 SSD의 중간역할을 하는 신개념 버퍼 메모리이다.

SK하이닉스는 2006년부터 2011년 삼성전자가 Grandis를 합병하기 전까지 Grandis와 MRAM 기술 을 공동 연구했다. Grandis를 삼성전자에 빼앗긴 SK하이닉스는 일본 Toshiba와 MRAM(STTRAM)을 공동 개발하고 있다. Toshiba도 MRAM 원천 기술이 많은 업체 가운데 하나다.

ReRAM에서는 SK하이닉스와 HP가 협력하고 있다. HP는 자체 개발한 맴리스터(Memristor) 기술을 SK하이닉스에 이전하고 SK하이닉스는 상용화된 ReRAM을 HP에 우선적으로 공급하게 된다. 그림 60.

60. SK하이닉스 SK하이닉스 차세대 메모리 전략

자료: SK하이닉스

그림 61.

61. SK하이닉스 SK하이닉스 차세대 메모리 협력 현황

자료: SK하이닉스

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IV. Valuation 및 투자전략 투자 전략 및 Top Picks 2016년 DRAM 시장은 올해 대비 3% 감소한 458억달러(52조원)를 예상한다. 4년만의 역성장이다.

DRAM 시장은 본격적인 하락 국면에 진입했다. 과거 하락 사이클이 평균적으로 8분기 정도 지속되 었다고 가정하면 이제 절반 정도 지난 셈이다. 이번 하락 사이클이 과거와 다른 점은 과점화된 경쟁 구도와 미세공정 전환의 어려움으로 공급 증가가 제한적이라는 것이다. 글로벌 IT 수요 부진으로 상 승 동력 회복을 기대하기는 어렵지만 제한적인 공급 증가로 과거의 하락 사이클처럼 적자 국면까지 가지 않고 안정적인 수익성을 유지한 연착륙의 가능성이 높다고 판단된다.

2016년 NAND 시장은 올해 대비 7% 성장한 319억달러(38조원)를 예상한다. 공정 미세화가 어려워 지면서 3D NAND, TLC을 활용한 원가절감 기술력이 메모리 업체들의 핵심 경쟁력이 될 전망이다. 전체 NAND 출하량에서 3D NAND 비중은 올해 6%에서 내년 20%로 급증할 전망이다. 3D NAND 는 주로 서버 및 클라이언트 SSD 시장에 공급되며 NAND의 킬러 어플리케이션이 될 전망이다. 중국 업체들의 메모리 시장 진출이 가시화되고 있다. DRAM 시장보다는 NAND 시장에 먼저 진입할 가능성이 크다고 판단된다. 기존 업체들이 기술 주도권을 유지하면서 후발 업체들의 추격을 따돌리기 위해서는 선도 기술 투자를 확대해야 한다. 내년 DRAM 투자는 축소되겠지만 NAND 및 차세대 메 모리 투자는 확대될 전망이다. 내년 상반기에 반도체 장비 업체에 관심이 필요한 이유이다. 내년 반도체/장비 산업의 Top Picks으로는 공정 기술을 선도하고 있고 지속 가능한 주주환원 정책을 제시한 삼성전자를 최선호주로 제시한다. 중소형주 중에서는 Driver-IC와 자동차용 IC의 성장이 예 상되는 실리콘웍스, 반도체 장비 업체 원익IPS, OLED 장비 업체 에스에프에이를 추천한다. 표 13.

13. 반도체/ 반도체/장비 업종 유니버스 투자의견 및 목표주가 종목 삼성전자 원익IPS 원익IPS 실리콘웍스 에스에프에이 SK하이닉스 케이씨텍 유진테크 한미반도체

코드번호 005930 030530 108320 056190 000660 029460 084370 042700

투자의견 매수 매수 매수 매수 매수 매수 매수 중립

현재가 1,284,000 8,570 33,550 49,600 31,600 10,300 12,950 10,400

(원, %) 목표가 1,700,000 16,000 48,000 60,000 45,000 17,500 18,000 -

상승여력 32.4 86.7 43.1 21.0 42.4 69.9 39.0 -

변동사항 유지 유지 유지 유지 유지 유지 목표가 하향 투자의견 하향

자료: KDB대우증권 리서치센터

그림 62.

62. 글로벌 메모리 반도체 시장 추이 및 전망

자료: WSTS, KDB대우증권 리서치센터

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Global Peer Analysis (1) 메모리 반도체 표 14.

14. 글로벌 메모리 반도체 업체 Valuation 테이블 시가총액 삼성전자 SK하이닉스 Micron SanDisk Toshiba Inotera 난야 메모리 평균

189,132 23,005 19,580 17,347 12,005 5,142 3,682

매출액 15F 16F 200,937 211,987 18,943 18,323 17,871 16,878 6,978 6,325 60,269 60,573 2,231 2,313 1,552 1,418

(십억원, %, 배)

영업이익 순이익 15F 16F 15F 16F 27,188 27,785 20,764 21,872 5,498 4,295 4,335 3,344 3,309 1,802 3,200 1,620 1,640 1,000 1,061 430 1,128 2,537 629 998 750 661 696 564 506 361 653 440

ROE 15F 12.2 21.5 25.0 7.2 3.9 15.7 33.7 17.0

PER 15F 10.5 5.3 6.3 42.1 15.7 7.3 5.7 13.3

16F 11.7 14.1 10.1 8.6 8.3 10.9 18.4 11.7

PBR 15F 1.2 1.0 1.4 2.7 1.2 1.1 1.9 1.5

16F 10.0 6.9 11.4 23.0 11.8 9.5 8.2 11.5

16F 1.1 0.9 1.3 2.7 1.1 1.0 1.6 1.4

EV/EBITDA 15F 16F 3.3 3.0 2.2 2.4 3.6 3.9 6.3 9.5 13.5 6.5 3.1 3.0 6.0 7.3 5.4 5.1

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터 / 주: 커버리지 종목은 당사 추정치, 그 외는 Bloomberg 컨센서스

그림 63.

63. SK하이닉스 SK하이닉스 영업이익 컨센서스 및 주가추이 (15F) (십억원) 7,000

그림 64.

64. 글로벌 메모리 업체 상대주가 (원) 55,000

2015F OP 컨센서스 (L)

(-1Y=100) 160

주가 (R)

삼성전자

SK하이닉스

Micron

SanDisk

Toshiba

난야

6,500 50,000

120

6,000 45,000

5,500

80 5,000

40,000

4,500 35,000

40

4,000 3,500 14.11

15.2

15.5

30,000 15.11

15.8

0 13.11

14.05

14.11

15.05

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

그림 65.

65. 글로벌 메모리 업체 P/BP/B-ROE 비교 (16F)

그림 66.

66. 글로벌 메모리 업체 P/EP/E-EPSG 비교 (16F)

(P/B, x) 3.0

15.11

(P/E, x) 25

SanDisk

2.5

SanDisk

20

2.0 15

1.5

Micron

Inotera

10

Toshiba

1.0

Toshiba

Micron

삼성전자

삼성전자 SK하이닉스

Inotera

5

0.5

SK하이닉스

(EPSG, %)

(ROE, %) 0.0

0

5

10

15

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

30

KDB Daewoo Securities Research

20

25

-100

-50

0

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

50

100

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(2) (2) 비메모리 반도체 표 15.

15. 글로벌 비메모리 반도체 업체 Valuation 테이블 시가총액 실리콘웍스 인텔 퀄컴 TI 브로드컴 미디어텍 ARM 엔비디아 ST마이크로 AMD 비메모리 평균

546 188,370 84,515 67,625 38,532 14,514 27,328 19,562 7,608 2,133

매출액 15F 16F 535 616 63,865 66,689 28,140 26,880 15,041 15,428 9,796 10,133 7,471 8,174 1,713 1,961 5,686 6,026 7,952 8,117 4,596 4,553

(십억원, %, 배)

영업이익 순이익 15F 16F 15F 16F 58 60 50 54 15,876 17,705 12,495 13,171 6,429 8,538 5,867 6,452 4,896 5,166 3,262 3,440 2,090 2,241 1,643 1,968 991 1,001 982 986 842 951 619 731 1,203 1,230 711 880 162 400 127 296 -393 -100 -703 -290

ROE 15F 15.8 19.5 14.9 28.9 17.8 11.4 23 16.6 3.2 395 54.6

16F 15.2 18.4 19 30.6 16 11.9 22.6 18 1.8 83.3 23.7

PER 15F 10.9 15.2 12.7 20.4 19.3 14.9 36.8 20.1 23.6 19.3

PBR 15F 1.6 2.8 2.4 6.1 3.2 1.7 8.9 4 1.8 3.6

16F 10.1 14.6 11.7 18.7 18.1 14.8 32.2 18.9 14.7 17.1

16F 1.4 2.6 2.4 5.8 2.8 1.7 7.7 3.7 1.8 3.3

EV/EBITDA 15F 16F 4 3.2 7 6.5 8.7 6 11.4 11.1 14.8 14.1 9.1 9.2 30.8 27.3 13.4 11.2 67 12.4 17.3

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터 / 주: 커버리지 종목은 당사 추정치, 그 외는 Bloomberg 컨센서스

그림 67.

67. 퀄컴 영업이익 컨센서스 및 주가추이 (15F)

그림 68.

68. 글로벌 비메모리 업체 상대주가

2015F OP 컨센서스 (L) 주가 (R)

(조원) 12.0

(달러) 80

11.5

70

11.0

60

10.5

50

10.0

40

9.5

30

9.0

20

8.5

10

(-1Y=100) 200

인텔 TI ARM

180

퀄컴 미디어텍 실리콘웍스

160 140 120

8.0 14.11

15.2

15.5

0 15.11

15.8

100 80 60 13.11

14.05

14.11

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

그림 69.

69. 글로벌 비메모리 업체 P/BP/B-ROE 비교 (16F)

그림 70.

70. 글로벌 비메모리 업체 P/EP/E-EPSG 비교 (16F)

(P/B, x) 10

15.11

15.05

(P/E, x) 35 30

ARM

8

ARM

25 TI

6

TI

20

ST마이크로

엔비디아

4

퀄컴

브로드컴

인텔 ST마이크로

2

브로드컴 미디어텍

엔비디아

미디어텍

15

인텔

10

실리콘웍스

퀄컴

5 실리콘웍스

(ROE, %)

(EPSG, %)

0

0

0

5

10

15

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

20

25

30

35

-100

-50

0

50

100

150

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

31

2016 Outlook Report [반도체]

(3) 반도체/ 반도체/디스플레이 장비 표 16.

16. 글로벌 반도체/ 반도체/디스플레이 장비 업체 Valuation 테이블 시가총액 원익IPS 에스에프에이 한미반도체 유진테크 케이씨텍 ASML AMAT TEL Lam research KLA-Tencor Hitachi Kokusai Screen holdings Daifuku Ulvac 장비 업체 평균

690 891 265 290 344 46,279 25,818 13,923 14,200 11,984 1,799 2,207 2,139 1,446

매출액 15F 16F 666 649 509 568 120 131 98 104 420 457 7,712 8,237 10,952 11,760 6,151 6,120 6,780 7,013 3,285 3,514 1,760 1,741 2,365 2,403 3,101 3,288 1,808 1,933

(십억원, %, 배)

영업이익 15F 16F 111 97 54 65 21 26 21 25 42 49 1,924 2,141 2,140 2,512 975 1,007 1,482 1,538 925 1,035 199 192 193 218 189 219 150 182

순이익 15F 16F 82 77 31 58 19 21 20 22 35 40 1,672 1,876 1,542 1,493 681 706 1,055 1,126 610 686 157 131 141 153 126 146 104 131

ROE 15F 16F 20.5 16.1 6.3 11.1 9.3 10.1 11.4 11.6 13.4 13.7 17.5 17.6 18.5 24.5 11.8 12.1 18.0 18.4 158.9 236.6 16.9 12.4 13.0 12.5 11.6 11.9 13.9 16.4 34.9 45.8

PER 15F 8.5 29.0 14.1 14.3 9.9 27.6 15.4 19.0 12.8 18.9 11.2 14.7 17.2 13.9 15.4

16F 9.0 15.4 12.8 13.0 8.5 24.0 12.3 17.8 11.8 16.5 13.3 13.5 15.1 11.0 14.2

PBR 15F 1.5 1.7 1.2 1.5 1.2 4.6 2.9 2.3 2.3 35.6 1.7 1.8 1.9 1.8 6.8

16F 1.3 1.6 1.1 1.4 1.1 4.2 2.6 2.1 2.2 21.1 1.6 1.6 1.7 1.6 4.6

EV/EBITDA 15F 16F 5.3 5.3 7.8 5.9 8.5 5.9 6.3 4.7 4.9 4.0 19.8 18.5 9.3 9.3 6.9 6.3 13.0 11.5 5.6 5.8 9.7 8.6 9.9 8.7 7.8 6.8 8.9 8.2

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터 / 주: 커버리지 종목은 당사 추정치, 그 외는 Bloomberg 컨센서스

그림 71.

71. 원익IPS 원익IPS 영업이익 컨센서스 및 주가추이 (15F) (십억원) 160

그림 72.

72. 글로벌 장비 업체 상대주가 (원) 18,000

2015F OP 컨센서스 (L) 주가 (R)

150

16,000

(-1Y=100)

원익IPS 한미반도체 AMAT

130 120

에스에프에이 ASML Lam research

110

140

14,000

130 12,000

100 90 80

120 10,000

110

8,000

100

70 60 50

90 14.11

15.2

15.5

6,000 15.11

15.8

40 13.11

14.05

14.11

15.05

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

그림 73.

73. 글로벌 장비 업체 P/BP/B-ROE 비교 (16F)

그림 74.

74. 글로벌 장비 업체 P/EP/E-EPSG 비교 (16F)

(P/B, x)

(P/E, x)

5.0

30

15.11

ASML

25

4.0

ASML

20

TEL

3.0

한미반도체

TEL

2.0

AMAT

10

한미반도체

케이씨텍

5

케이씨텍

(ROE,%)

유진테크

0.0

(EPSG,%)

0

5

10

15

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

32

Lam research 원익IPS 원익IPS

원익IPS 원익IPS

1.0

에스에프에이 AMAT

Lam research

에스에프에이

유진테크

15

KDB Daewoo Securities Research

20

25

30

-20

0

20

40

60

자료: Bloomberg, KDB대우증권 리서치센터

80

100

120

140

2016 Outlook Report [반도체]

V. 종목분석 삼성전자 (005930/매수) 부품의 시대가 기다려진다 독보적인 반도체(3D NAND, 고성능 원칩 AP)와 OLED 기술력에 대한 재평가 필요 삼성전자에 대한 그룹 내 확고한 지배를 위해서 동사를 지주회사와 사업회사로 분할 가능성이 있다고 판단 단발성이 아닌 지속 가능한 주주환원 정책 실행 → 주주가치 제고에 따른 Re-rating 예상 SK하이닉스 (000660/매수) 과거 하락 사이클과는 다르다 내년 DRAM 시장은 역성장하겠지만 제한적인 공급 증가로 과거의 하락 사이클처럼 적자 국면까지 가지 않고 연착륙 예상 공정 미세화가 어려워지면서 3D NAND, TLC를 활용한 원가절감 기술력이 메모리 업체들의 핵심 경쟁력으로 부상 재무구조가 개선되면서 지난해부터 배당을 재개했고 올해는 2,200만주(7,705억원)의 자사주 취득으로 주주가치 제고 실리콘웍스 (108320/매수) 패널 구동 IC 부족할 전망 중국 디스플레이 패널 업체들의 공격적인 증설과 신규 라인 가동으로 패널 구동에 필요한 Driver-IC 부족할 전망 사업 통합 효과로 LG그룹 내 스마트폰, TV 등 기존 제품의 Driver-IC, T-Con, PMIC 내재화 진행 LG그룹이 자동차 전장 사업을 신성장 동력으로 추진하고 있어 동사의 자동차용 IC 사업도 더욱 탄력 받을 전망 원익IPS (030530/매수) 기업분할 전에 사두자 DRAM 투자는 축소되겠지만 NAND와 System LSI 투자 회복 전망 메모리/비메모리 반도체 증착 장비 외에도 디스플레이(LCD/OLED) 식각 장비, 특수 가스 등의 전방위적 수혜 가능 인적분할은 지주회사 전환을 위한 과정 → 인적분할 이후 기업가치 상승이 예상되므로 분할 전에 매수 전략 유효 에스에프에이 (056190/매수) 새로운 전환기를 맞은 OLED OLED 원가 경쟁력 증대로 중저가 스마트폰으로 확대 적용 → 중국향 외판 비중 30%까지 증가할 전망 2017년부터 대면적 OLED TV와 foldable OLED 상용화 예상되며 내년부터 관련 투자 진행 예상 STS반도체 인수를 통한 장비와 패키징의 시너지 본격화 케이씨텍 (029460/매수) 반도체 공정 미세화의 수혜 다변화된 장비 라인업과 안정적인 소재 사업이 핵심 경쟁력 선폭 미세화가 어려워지면서 DPT, 3D NAND, FinFET 등의 기술들이 도입되고 있으며 CMP 공정 증가 안정적이고 수익성 높은 소재 사업의 성장 → 텅스텐 CMP 공정으로 확대 기대 유진테크 (084370/매수) 해외 거래선 확보로 새롭게 도약 SK하이닉스의 M14 투자 지속으로 안정적인 수주가 가능할 전망이며 내년부터 해외 신규 거래선 공급 기대 내년 3D NAND 투자 확대로 동사의 Plasma Treatment, ALD, SEG 장비 수혜 전망 다양한 장비를 갖추기 보다는 선택과 집중을 통해 글로벌 경쟁력을 갖춘 장비 라인업 확보 전략 한미반도체 (042700/중립) 주가 회복을 위한 모멘텀 부족 지난해 대만과 중국 반도체 후공정(패키징 및 테스트) 업체들의 대규모 설비투자 완료로 투자 하향 조정 장기 성장 동력 확보를 위한 신규 장비인 FC-Bonder 매출 지연 올해 중국의 연간 스마트폰 판매량은 4.2억대로 1% 성장하는데 그칠 전망 → LTE 전환 완료로 길어진 교체 주기

KDB Daewoo Securities Research

33

2016 Outlook Report [반도체]

삼성전자 (005930) 부품의 시대가 기다려진다

투자포인트: 부품 사업의 재평가 기대

반도체

1) 독보적인 반도체와 OLED 기술력에 대한 재평가 필요: 내년 DRAM 부문의 수익성 악화와

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M) 현재주가(15/11/30,원)

1,700,000

1,284,000

상승여력 영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원) EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSPI 시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원) 주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 130

1개월 -6.4 -4.7

유일하게 3D NAND를 양산하고 있으며 내년에도 48단 비중 증가로 SSD 시장 지배력 확 대가 예상된다. System LSI는 커스텀코어 탑재와 고성능 LTE 모뎀을 원칩으로 구현한 Exynos 8890 출시로 하이엔드 AP 시장에서 Qualcomm을 위협할 전망이다. 동시에 14nm FinFET 고객 기반 확대로 높은 가동률을 유지할 것으로 예상한다. OLED 패널은 원가개선

32%

으로 향후 중저가 스마트폰으로 확대 및 해외 고객사 확보를 통해 실적 성장이 기대된다.

27,188 27,038

2) 기업 분할으로 분할으로 기업가치 증대 가능: 삼성전자에 대한 그룹 내 확고한 지배를 위해서 동사

-10.0 22.7 10.5 11.6 1,991.97

전의 시가총액보다 인적분할 이후 지주회사와 자회사의 시가총액 합이 더 크게 형성된 사례

189,132 170 69.5 50.2 0.81 1,067,000 1,503,000 6개월 12개월 12개월 -1.8 -0.2 4.3 -0.8

삼성전자

감익은 불가피할 전망이다. 하지만 DRAM 비중이 높은 경쟁 메모리 업체들과 달리 동사는

를 지주회사와 사업회사로 분할 가능성이 있다고 판단된다. 이런 경우 통상적으로 인적분할 가 많았다. 이론적으로 기업가치의 변화는 없지만 기업 분할 이후 지주회사와 자회사의 역 할이 구분되면서 각각 독립경영과 전문성 강화로 기업가치 증대를 기대할 수 있다.

3) 지속 가능한 주주환원 정책 실행: 동사는 올해 단발성이 아닌 지속 가능한 주주환원 정책

을 발표해 실행하고 있다. 향후 3년간 연간 Free Cash Flow의 30~50%를 배당과 자기주 식 매입으로 활용하며 매입한 자사주는 전량 소각할 계획이다. 이와 별도로 11.3조원 규모 의 특별 자사주도 3~4회에 나누어 매입하여 소각할 예정이다. 1회차는 4.2조원으로 보통주 223만주(전체 주식의 1.5%), 우선주 125만 주(전체 주식의 5.4%)를 현재 매입하고 있다. 내년부터 분기배당도 지급할 것으로 예상되어 주주가치 제고에 따른 Re-rating이 기대된다.

16년 실적 전망: 매출액 212조원(+6% YoY), 영업이익 28조원(+2% YoY) 내년 반도체 부문 매출액은 55조원(+15% YoY), 영업이익 15조원(+9% YoY)으로 올해에 이어 사상 최대 규모의 실적이 예상된다. 3D NAND와 System LSI의 실적 개선이 동사의 성장을 견인할 전망이다. 내년 스마트폰 판매량은 3.1억대(-4% YoY)로 감소할 전망이다.

KOSPI

120 110 100

투자의견 매수, 목표주가 170만원 유지

90

삼성전자에 대한 투자의견 매수, 목표주가 170만원, 업종 내 최선호주로 유지한다. 내년

80 70 14.11

15.3

15.7

15.11

FCF는 18.3조원으로 주주환원 가능 금액은 5.5~9.2조원 수준으로 예상된다. 특별 자사주 까지 감안하면 10조원에 육박한다. 목표주가는 영업가치와 자산가치를 합산한 SOTP(Sum of the Parts)로 산정했으며 12M-fwd 기준 P/B 1.6배, P/E 기준 13배에 해당한다. 결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 201,104 29,049 14.4 23,185 136,278 21.6 11.2 2.1

12/13 228,693 36,785 16.1 29,821 175,282 22.8 7.8 1.5

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 삼성전자, KDB대우증권 리서치센터

34

KDB Daewoo Securities Research

12/14 206,206 25,025 12.1 23,082 135,673 15.1 9.8 1.3

12/15F 200,937 27,188 13.5 20,764 122,044 12.2 10.5 1.2

12/16F 211,987 27,785 13.1 21,872 128,558 11.7 10.0 1.1

12/17F 219,420 29,206 13.3 23,543 138,378 11.4 9.3 1.0

2016 Outlook Report [반도체]

삼성전자 (005930) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 206,206 128,279 77,927 52,902 25,025 25,025 2,850 1,240 343 27,875 4,481 23,394 0 23,394 23,082 312 21,401 20,991 410 43,078 14,932 20.9 12.1 11.2

12/15F 200,937 122,484 78,453 51,266 27,188 27,188 1,365 1,105 216 28,553 7,154 21,399 0 21,399 20,764 635 21,143 20,737 405 47,877 15,862 23.8 13.5 10.3

12/16F 211,987 130,682 81,305 53,521 27,785 27,785 1,937 1,423 226 29,722 7,133 22,589 0 22,589 21,872 717 22,589 22,218 371 48,383 18,252 22.8 13.1 10.3

12/17F 219,420 137,204 82,216 53,010 29,206 29,206 2,802 1,886 238 32,008 7,682 24,326 0 24,326 23,543 784 24,326 23,927 399 50,601 19,540 23.1 13.3 10.7

12/14 36,975 23,394 22,324 16,910 1,143 4,271 -3,837 -879 267 787 -7,493 -32,806 -21,657 -1,293 -13,194 3,338 -3,057 105 0 -2,234 -928 556 16,285 16,841

12/15F 42,634 21,399 26,799 19,505 1,184 6,110 -503 997 -442 -980 -6,644 -28,342 -26,622 -813 -953 46 -4,446 48 0 -3,074 -1,420 9,481 16,841 26,322

12/16F 43,090 22,589 26,308 19,629 969 5,710 -96 -1,053 -738 337 -7,133 -27,296 -24,838 0 -2,458 0 -3,873 0 0 -3,873 0 11,699 26,322 38,020

12/17F 45,620 24,326 27,191 20,615 780 5,796 -101 -1,099 -771 352 -7,682 -28,645 -26,080 0 -2,565 0 -3,724 0 0 -3,724 0 13,018 38,020 51,038

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 115,146 16,841 28,234 17,318 52,753 115,277 5,232 80,873 4,785 230,423 52,014 18,233 9,808 23,973 10,321 1,458 8,863 62,335 162,182 898 4,404 169,530 5,906 168,088

12/15F 126,252 26,322 28,701 17,604 53,625 121,783 5,319 87,388 4,961 248,035 52,728 18,535 9,824 24,369 10,499 1,489 9,010 63,227 178,277 898 4,404 187,201 6,531 184,808

12/16F 142,142 38,020 29,905 18,342 55,875 126,786 5,542 92,597 3,992 268,929 54,528 19,312 9,824 25,392 10,877 1,489 9,388 65,405 196,276 898 4,404 205,200 7,248 203,524

12/17F 159,535 51,038 31,162 19,113 58,222 132,268 5,775 98,062 3,213 291,804 56,406 20,123 9,824 26,459 11,272 1,489 9,783 67,678 216,095 898 4,404 225,019 8,031 224,126

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

12/14 12/15F 12/16F 12/17F 9.8 10.5 10.0 9.3 4.9 4.5 4.5 4.2 1.3 1.2 1.1 1.0 4.1 3.3 3.0 2.6 135,673 122,044 128,558 138,378 268,720 283,296 287,404 302,805 1,002,811 1,105,193 1,210,988 1,327,477 20,000 25,000 27,335 32,284 11.4 15.1 15.6 17.2 1.5 1.9 2.1 2.5 -9.8 -2.6 5.5 3.5 -19.1 11.1 1.1 4.6 -32.0 8.6 2.2 5.1 -22.6 -10.0 5.3 7.6 8.3 8.1 8.3 8.2 11.3 11.5 11.8 11.7 15.7 15.3 15.9 16.0 10.5 8.9 8.7 8.7 15.1 12.2 11.7 11.4 19.4 18.0 17.8 17.9 37.1 34.2 32.1 30.2 221.4 239.4 260.7 282.8 -30.1 -32.9 -36.5 -39.9 42.2 35.7 34.3 36.1

자료: 삼성전자, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

35

2016 Outlook Report [반도체]

SK하이닉스 (000660) 과거 하락 사이클과는 다르다

투자포인트: 리스크만 반영된 주가로 과도한 저평가

반도체

1) DRAM 수급은 자연스럽게 균형을 찾아갈 전망: 내년 DRAM 시장은 올해 대비 3% 감소한

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M)

45,000

현재주가(15/11/30,원)

31,600 42%

상승여력

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원) 주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 130

1개월 2.9 4.9

익은 불가피할 전망이다. 다만 과점화된 경쟁 구도와 미세공정 전환의 어려움에 따른 제한 적인 공급 증가로 과거의 하락 사이클처럼 적자 국면까지 가지 않고 안정적인 수익성을 유 지한 연착륙이 예상된다. 64-bit AP 확대, Big Data, Cloud, 가상화(Virtualization) 등의 용 량 증가로 DRAM 수급은 2016년부터 자연스럽게 균형을 찾아갈 전망이다.

2) NAND의 NAND의 경쟁력 강화를 위한 협력 관계 구축 필요: 공정 미세화가 어려워지면서 3D

1.9 22.7 5.3 11.6 1,991.97

다. 전체 NAND 출하량에서 3D NAND 비중은 올해 6%에서 내년 20%로 급증할 전망이

23,005 728 76.2 46.8 1.27 30,200 51,200 6개월 12개월 12개월 -38.2 -34.2 -34.3 -34.6

SK하이닉스

진입했고 이런 추세는 내년까지 지속될 전망이다. DRAM 비중이 높은 메모리 업체들의 감

5,498 5,474

영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원) EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSPI

458억달러(52조원)를 예상한다. 4년만의 역성장이다. DRAM 산업은 완연한 하락 사이클에

NAND, TLC를 활용한 원가절감 기술력이 메모리 업체들의 핵심 경쟁력으로 부상하고 있 다. 3D NAND는 주로 서버 및 클라이언트 SSD 시장에 공급되며 NAND의 킬러 어플리케 이션이 될 전망이다. 동사 NAND 부문의 경쟁력이 여전히 선발업체들에 비해 열위에 있다.

NAND는 단품이 아닌 솔루션 제품이기 때문에 공정 기술 외에 컨트롤러 및 시스템 설계 기 술이 중요하다. NAND 경쟁력 강화를 위해서는 협력 관계 구축이 필요하다고 판단된다.

3) 재무구조 개선으로 개선으로 주주환원 정책 강화: 2012년 5조원에 이르던 순차입금이 지난 3년간

메모리 시황 호조로 올해부터 순현금으로 전환되었다. 재무구조가 개선되면서 지난해부터 배당을 재개했고 올해는 2,200만주(7,705억원)의 자사주를 취득했다.

16년 실적 전망: 매출액 18조원(-3% YoY), 영업이익 4.3조원(-22% YoY) 내년 DRAM 매출액은 13조원(-6% YoY), 영업이익 3.8조원(-27% YoY)으로 감익이 예상 된다. NAND 매출액은 5조원(+5% YoY), 영업이익 0.4조원(+105% YoY)으로 개선되겠지 만 DRAM 부문의 실적 악화를 상쇄하기는 역부족이다. 내년 동사의 DRAM bit growth는 24%, NAND bit growth는 43%로 예상한다.

KOSPI

110 90

투자의견 매수, 목표주가 45,000원 유지

70

SK하이닉스에 대한 투자의견 매수, 목표주가 45,000원을 유지한다. DRAM 시장의 부진으

50 14.11

15.3

15.7

15.11

로 내년 ROE는 14%로 올해 대비 7.4%p 하락할 전망이다. 현 주가는 P/B 0.9배 수준으로 내년 실적 악화를 감안하더라도 과도한 저평가 수준이다. 목표주가는 12M-fwd BPS 34,380원에 적정 P/B 1.3배를 적용했다. 결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 10,162 -227 -2.2 -159 -233 -1.8 1.8

12/13 14,165 3,380 23.9 2,872 4,099 25.2 9.0 2.0

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: SK하이닉스, KDB대우증권 리서치센터

36

KDB Daewoo Securities Research

12/14 17,126 5,109 29.8 4,195 5,842 27.0 8.2 1.9

12/15F 18,943 5,498 29.0 4,335 5,955 21.5 5.3 1.0

12/16F 18,323 4,295 23.4 3,344 4,594 14.1 6.9 0.9

12/17F 19,904 4,756 23.9 3,722 5,113 13.8 6.2 0.8

2016 Outlook Report [반도체]

SK하이닉스 (000660) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 17,126 9,462 7,664 2,554 5,109 5,109 -61 -118 23 5,048 853 4,195 0 4,195 4,195 0 4,143 4,143 0 8,553 1,066 49.9 29.8 24.5

12/15F 18,943 10,591 8,352 2,854 5,498 5,498 -102 -71 20 5,396 1,061 4,335 0 4,335 4,335 0 4,409 4,409 0 9,488 2,452 50.1 29.0 22.9

12/16F 18,323 11,294 7,029 2,733 4,295 4,295 -124 -63 21 4,171 827 3,344 0 3,344 3,344 0 3,344 3,344 0 8,631 525 47.1 23.4 18.3

12/17F 19,904 12,176 7,728 2,972 4,756 4,756 -112 -62 22 4,644 922 3,722 0 3,722 3,722 0 3,722 3,722 0 9,486 21 47.7 23.9 18.7

12/14 5,867 4,195 4,768 3,270 174 1,324 -2,657 -1,629 -315 -37 -340 -6,088 -4,602 -336 -1,186 36 28 -484 827 0 -315 -195 632 437

12/15F 8,307 4,335 5,150 3,797 194 1,159 -29 551 180 -184 -1,097 -5,624 -5,793 -287 428 28 -682 -416 0 -218 -48 2,019 437 2,456

12/16F 7,552 3,344 5,226 4,177 159 890 -127 -291 -117 61 -827 -7,320 -7,027 0 -293 0 -382 -100 0 -282 0 -157 2,456 2,298

12/17F 8,453 3,722 5,714 4,589 141 984 1 2 1 0 -922 -8,430 -8,432 0 2 0 -282 0 0 -282 0 -259 2,298 2,039

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 10,364 437 4,578 1,498 3,851 16,520 97 14,090 1,337 26,883 5,765 2,147 1,755 1,863 3,082 2,420 662 8,847 18,036 3,658 4,144 10,277 0 18,036

12/15F 11,251 2,456 4,057 1,327 3,411 18,874 86 16,266 1,433 30,125 5,132 1,902 1,579 1,651 2,766 2,181 585 7,898 22,227 3,658 4,144 14,391 0 22,227

12/16F 11,868 2,298 4,414 1,444 3,712 21,584 94 19,116 1,274 33,451 5,445 2,069 1,579 1,797 2,718 2,081 637 8,163 25,289 3,658 4,144 17,452 0 25,289

12/17F 11,603 2,039 4,411 1,443 3,710 25,285 94 22,959 1,132 36,888 5,442 2,068 1,579 1,795 2,718 2,081 637 8,160 28,729 3,658 4,144 20,892 0 28,729

12/14 8.2 3.8 1.9 4.1 5,842 12,481 24,775 300 5.2 0.6 20.9 32.4 51.2 42.5 6.0 12.8 13.2 17.6 27.0 25.4 49.1 179.8 0.6 30.0

12/15F 5.3 2.4 1.0 2.2 5,955 13,029 30,532 400 6.5 1.3 10.6 10.9 7.6 1.9 5.4 13.4 14.3 15.2 21.5 22.8 35.5 219.2 -8.6 50.8

12/16F 6.9 2.7 0.9 2.4 4,594 11,771 34,738 400 8.4 1.3 -3.3 -9.0 -21.9 -22.9 5.3 13.2 15.5 10.5 14.1 15.8 32.3 218.0 -8.4 39.8

12/17F 6.2 2.4 0.8 2.2 5,113 12,962 39,463 500 9.5 1.6 8.6 9.9 10.7 11.3 5.5 13.8 16.0 10.6 13.8 15.2 28.4 213.2 -6.5 44.2

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: SK하이닉스, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

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2016 Outlook Report [반도체]

실리콘웍스 (108320) 패널 구동 IC 부족할 전망

투자포인트: 패널 Driver-IC와 자동차용 IC 성장성에 주목

반도체

1) 내년 타이트한 DriverDriver-IC 수급 예상: 중국 디스플레이 패널 업체(BOE, CSOT 등)들의 공격

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M)

48,000

현재주가(15/11/30,원)

33,550 43%

상승여력

적인 증설이 지속되고 있다. 중국 업체들이 신규 라인을 가동하면서 패널 구동에 필요한 Driver-IC supply chain의 타이트한 수급이 예상된다. 패널 Driver-IC는 주로 8인치 웨이 퍼에서 양산된다. 최근 8인치 웨이퍼와 파운드리를 중심으로 타이트한 수급이 감지되고 있 으며 내년 캐파 할당을 위한 패널 업체들의 움직임이 빨라지고 있다. Driver-IC의 공급이 부족할 경우 물량이 많은 업체들을 중심으로 수혜가 집중될 가능성이 높다.

2) LG 비메모리 반도체 사업의 중심: 동사는 올해 LG디스플레이 내에서 TV용 Driver-IC 비

58 59

중이 크게 증가했다. 올해 상반기 28%에 불과했던 TV용 Driver-IC 점유율이 3분기에는

EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSDAQ

55.8 22.7 10.9 11.6 688.38

폰, TV 등 기존 제품의 Driver-IC, T-Con, PMIC 내재화가 진행되고 있으며 중장기적으로

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원)

546 16 62.7 39.0 0.42 22,450 41,400

영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원)

주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 200

1개월 -1.3 -2.0

6개월 12개월 12개월 -13.1 47.8 -10.2 17.0

실리콘웍스

40%까지 증가했으며 연말에는 45%까지 늘어날 전망이다. LG그룹에 인수된 이후 스마트 는 LED 조명, 자동차용 IC, 사물인터넷과 같은 미래 성장형 산업의 경쟁력 확보를 위한 제 품 개발이 확대될 것으로 예상한다.

3) 자동차용 IC는 IC는 중장기 성장 동력: 동사는 전방 산업이 디스플레이에 집중되어 있다는 약점

을 극복하기 위해 사업 다각화를 추진해왔다. 지난 3년간 LED 구동 IC, 터치스크린 구동 IC, 모바일원칩, 자동차용 IC 등의 연구 개발을 진행했고 최근 LG그룹이 자동차 전장 사업 을 신성장 동력으로 추진하고 있어 동사의 자동차용 IC 사업도 더욱 탄력 받을 전망이다.

16년 전망: 매출액 6,164억원(+15% YoY), 영업이익 598억원(+2% YoY) LG그룹 내에 Driver-IC, T-Con, PMIC 내재화로 내년 매출액은 성장하겠지만 고객사 실적 악화에 따른 단가 인하 압력으로 수익성은 다소 하락할 전망이다. TV용 Driver-IC 비중 확 대로 COF D-IC 매출액은 2,469억원(+16% YoY)이 예상된다. 반면 Apple iPad 판매 부진 지속으로 COG D-IC 매출은 1,823억원(+0% YoY)으로 정체될 전망이다. 고부가가치 제품 인 T-Con과 PMIC 실적 성장도 지속될 전망이며 긍정적인 요인으로 판단된다.

KOSDAQ

180 160 140

투자의견 매수, 목표주가 48,000원 유지

120

실리콘웍스에 대한 투자의견 매수, 목표주가 48,000원을 유지한다. 현 주가는 동사가 보유

100 80 14.11

15.3

15.7

15.11

한 현금(1,995억원)과 이자수익(연간 40억원)을 제외한 ex-cash P/E 6.3배에 불과하다. IT 수요 부진에도 불구하고 동사는 사업 통합에 따른 구조적인 성장이 가능할 전망이다.

결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 473 44 9.3 41 2,529 17.3 8.8 1.4

12/13 410 34 8.3 32 1,970 12.1 12.2 1.4

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 실리콘웍스, KDB대우증권 리서치센터

38

KDB Daewoo Securities Research

12/14 391 36 9.2 32 1,979 11.2 12.6 1.3

12/15F 535 58 10.8 50 3,083 15.8 10.9 1.6

12/16F 616 60 9.7 54 3,336 15.2 10.1 1.4

12/17F 652 73 11.2 65 3,968 16.1 8.5 1.3

2016 Outlook Report [반도체]

실리콘웍스 (108320) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 391 312 79 43 36 36 4 5 0 40 8 32 0 32 32 0 33 33 0 41 46 10.5 9.2 8.2

12/15F 535 421 114 55 58 58 6 5 0 64 14 50 0 50 50 0 51 51 0 75 52 14.0 10.8 9.3

12/16F 616 490 126 67 60 60 8 6 0 68 14 54 0 54 54 0 54 54 0 78 68 12.7 9.7 8.8

12/17F 652 507 145 72 73 73 8 7 0 81 16 65 0 65 65 0 65 65 0 88 76 13.5 11.2 10.0

12/14 48 32 12 2 3 7 1 1 8 -5 -3 44 -2 -3 45 4 -8 0 1 -9 0 83 106 190

12/15F 52 50 27 8 9 10 -14 -29 -9 20 -16 -23 0 -5 -12 -6 -10 0 0 -10 0 20 190 209

12/16F 68 54 26 14 4 8 -5 -9 -2 6 -14 -4 0 0 -4 0 -15 0 0 -15 0 49 209 259

12/17F 76 65 25 14 1 10 -4 -7 -2 5 -16 -3 0 0 -3 0 -15 0 0 -15 0 59 259 317

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 337 190 92 24 31 40 0 15 7 376 75 60 0 15 2 0 2 78 299 8 72 225 0 299

12/15F 407 209 125 32 41 34 0 7 7 442 101 81 0 20 3 0 3 105 337 8 72 266 0 337

12/16F 472 259 134 34 45 17 0 -7 4 490 109 87 0 22 4 0 4 113 377 8 72 306 0 377

12/17F 543 317 142 36 48 3 0 -22 2 546 116 93 0 23 4 0 4 119 427 8 72 355 0 427

12/14 12.6 9.1 1.3 4.7 1,979 2,746 18,773 600 29.7 2.4 -4.6 7.9 5.9 0.5 4.6 14.2 5.3 8.9 11.2 35.6 26.0 447.9 -71.9 0.0

12/15F 10.9 7.1 1.6 4.0 3,083 4,733 21,141 900 29.2 2.7 36.8 82.9 61.1 55.8 5.4 19.3 6.3 12.3 15.8 57.7 31.0 402.1 -72.1 0.0

12/16F 10.1 6.8 1.4 3.2 3,336 4,946 23,577 1,000 30.0 3.0 15.1 4.0 3.4 8.2 5.2 18.6 6.1 11.6 15.2 61.9 29.9 432.5 -78.3 0.0

12/17F 8.5 6.1 1.3 2.1 3,968 5,496 26,645 1,200 30.2 3.6 5.8 12.8 21.7 18.9 5.2 18.4 5.9 12.5 16.1 89.3 28.0 470.1 -83.4 0.0

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 실리콘웍스, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

39

2016 Outlook Report [반도체]

원익IPS (030530) 기업분할 전에 사두자

투자포인트: 내년 하반기 반도체 투자 재개 예상

반도체 장비

1) DRAM 투자는 축소되겠지만 NAND, System LSI 투자 회복 전망: 중국 업체들의 메모리 시

매수

(Maintain)

16,000

목표주가(원,12M)

8,570

현재주가(15/11/30,원)

87%

상승여력

장 진출이 가시화되고 있다. DRAM 시장보다는 NAND 시장에 먼저 진입할 가능성이 크다 고 판단된다. 기존 업체들이 기술 주도권을 유지하면서 후발 업체들의 추격을 따돌리기 위 해서는 선도 기술 투자를 확대해야 한다. 내년 DRAM capex는 15% 감소하겠지만 NAND capex는 33% 증가할 전망이다. DRAM 투자는 신규 증설보다는 공정 전환, NAND 투자는 3D NAND에 집중될 전망이다. 동사의 PE-CVD 장비 수혜가 예상된다.

2) 종합 장비 업체로 전방위적 전방위적 수혜: 수혜: 동사는 메모리/비메모리 반도체 증착 장비 외에도 디스

111 105

플레이(LCD/OLED) 식각 장비, 특수 가스 등을 모두 영위하는 종합 장비 업체이다. 최근

EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSDAQ

74.2 22.7 8.5 11.6 688.38

가 재개되고 있어 OLED 장비 업체들의 실적 개선이 예상되고 있다. 동사의 경쟁력은 다양

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원)

690 81 66.5 17.6 1.08 8,340 16,150

영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원)

주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 150

1개월 -9.2 -9.8 원익IPS

6개월 12개월 12개월 -41.1 -39.0 -39.1 -51.7

반도체 투자 공백으로 반도체 장비 업체들의 실적 부진이 예상되고 있는 반면 OLED 투자 한 분야의 투자에 모두 대응하고 있어 전방위적 수혜를 받을 수 있다는 점이다.

3) 인적분할은 지주회사 전환을 위한 과정: 동사는 지난달 이사회 결의를 통해 인적분할을 결

정했다. 당사는 이번 인적분할이 지주회사 전환을 위한 과정이라고 판단된다. 원익TGS가 투자 사업 부문(원익머트리얼즈, 테라세미콘, 원익엘앤디, 원익투자파트너스) 외에 원익IPS 의 자사주를 귀속함으로써 실질적인 지주사 역할을 할 가능성이 높다. 과거 지주사 전환을 위한 인적분할 전후의 시가총액을 비교해보면 분할 후 지주회사와 자회사의 재상장을 위해 매매거래 정지기간이 발생하는 불확실성에도 불구하고 대체로 분할 전의 시가총액보다 분 할 후 지주회사와 자회사의 시가총액 합이 더 크게 형성됨을 확인할 수 있다.

16년 전망: 매출액 6,493억원(-3% YoY), 영업이익 975억원(-13% YoY) 내년 동사의 반도체 장비 매출은 25% 감소하겠지만 OLED 투자 확대로 디스플레이 장비 매출은 올해 대비 57% 증가할 전망이다. 내년 상반기는 디스플레이(OLED) 투자, 하반기는 평택 반도체 단지의 설비 투자가 일부 진행될 것으로 예상한다.

KOSDAQ

130 110

투자의견 매수, 목표주가 48,000원 유지

90 70 50 14.11

원익IPS에 대한 투자의견 매수, 목표주가 48,000원을 유지한다. 내년 반도체 투자 감소에 15.3

15.7

15.11

대한 우려로 동사의 주가는 최근 고점대비 45% 하락했다. 후발 반도체 업체들의 공세가 거 칠어지는 국면에서 선발 업체들은 주도권을 유지하기 위해 선도 기술 투자를 확대할 전망이 다. 인적분할 이후 기업가치 상승이 예상되므로 분할 전에 매수 전략이 유효하다. 결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 349 26 7.4 8 108 3.0 43.3 1.2

12/13 423 55 13.0 27 373 9.3 23.0 2.0

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 원익IPS, KDB대우증권 리서치센터

40

KDB Daewoo Securities Research

12/14 557 92 16.5 47 581 13.8 24.0 3.0

12/15F 666 111 16.7 82 1,012 20.5 8.5 1.5

12/16F 649 97 14.9 77 956 16.1 9.0 1.3

12/17F 790 137 17.3 106 1,313 18.6 6.5 1.1

2016 Outlook Report [반도체]

원익IPS (030530) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 557 360 197 105 92 92 -15 2 0 77 20 57 0 57 47 10 54 44 10 113 58 20.3 16.5 8.4

12/15F 666 430 236 124 111 111 12 -1 11 123 27 97 0 97 82 15 96 71 25 137 23 20.6 16.7 12.3

12/16F 649 412 237 140 97 97 20 -4 24 117 26 92 0 92 77 15 92 64 28 126 72 19.4 14.9 11.9

12/17F 790 497 293 156 137 137 24 -6 30 161 35 126 0 126 106 20 126 88 38 169 100 21.4 17.3 13.4

12/14 89 57 63 19 2 42 -19 -32 15 7 -12 -72 -30 -2 -3 -37 -10 -3 0 0 -7 8 94 102

12/15F 85 97 56 23 3 30 -32 -7 -9 -13 -35 -74 -62 -1 3 -14 2 2 4 0 -4 25 102 127

12/16F 124 92 59 27 2 30 -1 -1 -1 1 -26 -58 -52 0 -1 -5 2 0 0 0 2 66 127 193

12/17F 152 126 74 30 2 42 -12 -18 -17 14 -35 -70 -52 0 -11 -7 2 0 0 0 2 70 193 263

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 293 102 85 77 29 366 73 176 32 659 162 97 36 29 42 18 24 203 357 40 170 164 99 456

12/15F 338 127 93 85 33 392 63 216 33 748 149 84 39 26 37 16 21 185 440 40 174 245 123 563

12/16F 407 193 95 87 32 416 64 241 31 842 150 85 39 26 37 16 21 187 516 40 174 321 138 654

12/17F 519 263 114 104 38 455 77 263 29 993 172 102 39 31 41 16 25 213 622 40 174 427 158 780

12/14 24.0 9.3 3.0 10.2 581 1,492 4,706 0 0.0 0.0 31.7 56.9 67.3 55.8 8.5 6.5 4.6 9.1 13.8 27.0 44.6 181.4 -14.7 53.7

12/15F 8.5 4.5 1.5 5.3 1,012 1,894 5,727 0 0.0 0.0 19.6 21.2 20.7 74.2 7.8 8.2 5.6 13.7 20.5 29.3 32.9 227.2 -16.4 -148.4

12/16F 9.0 4.6 1.3 5.3 956 1,870 6,682 0 0.0 0.0 -2.6 -8.0 -12.6 -5.5 7.2 7.6 5.7 11.5 16.1 21.8 28.6 270.5 -24.2 -64.9

12/17F 6.5 3.5 1.1 3.6 1,313 2,475 7,996 0 0.0 0.0 21.7 34.1 41.2 37.3 7.9 8.3 6.2 13.7 18.6 28.2 27.4 301.2 -29.8 -91.2

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 원익IPS, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

41

2016 Outlook Report [반도체]

에스에프에이 (056190) 새로운 전환기를 맞은 OLED

투자포인트: 2017년부터 대면적 OLED TV와 foldable OLED 상용화 전망

반도체 장비

1) OLED 원가 경쟁력 증대로 중저가 스마트폰으로 확대 적용: 올해 하반기 삼성전자의 가동률

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M)

60,000

현재주가(15/11/30,원)

49,600 21%

상승여력 영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원)

54 55

EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSDAQ

-25.7 22.7 29.0 11.6 688.38

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원)

891 18 50.6 15.1 0.31 40,200 56,800

주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 150

1개월 13.2 12.5

6개월 12개월 12개월 5.2 -0.3 8.7 -21.1

에스에프에이

KOSDAQ

130 110

이 크게 상승한 것으로 파악된다. 지난 3분기 OLED 패널 출하량은 전기대비 38% 증가했 다. OLED 가동률이 상승한 이유는 ① 수율 개선에 따른 원가 경쟁력 확보, ② 중저가 스마 트폰 라인업에도 OLED 디스플레이 적용, ③ 중국향 스마트폰의 OLED 패널 적용 확대 때 문이다. 지난해까지 중국향 OLED 패널 비중이 20% 미만이었지만 올해는 30%를 상회할 전망이다. 리지드(rigid) 패널뿐 아니라 플렉시블(flexible) 패널도 중국에 공급할 계획이다.

2) 대면적 OLED TV 및 foldable OLED 투자 기대: OLED 원가 경쟁력이 확보되면서 대면적

OLED TV와 foldable OLED 투자 검토가 본격화되고 있다. 2017년 상용화를 위해서는 내 년부터 설비 투자가 진행되어야 하기 때문에 OLED 장비 업체들의 수혜가 예상된다.

3) STS반도체를 STS반도체를 통한 장비와 패키징의 시너지 본격화: 동사는 올해 반도체 패키징 전문 업체

인 STS반도체를 인수했다. 사업 다각화를 통한 안정성과 반도체 후공정 사업의 성장성을 동시에 확보했다. 향후 반도체 후공정 장비 사업을 통한 양사의 경쟁력 강화가 예상된다. 반 도체 후공정 시장은 2012년까지 성장이 정체되어 있었지만 2013년부터 연평균 5%의 성장 세를 기록하고 있다. STS반도체는 국내 OSAT(Outsourcing Semiconductor Assembly & Test) 업체 중에서 가장 큰 생산 설비와 고부가 패키징(Bumping, Flip Chip, 16단 Stacking 기술 등) 기술을 보유하고 있기 때문에 향후 시장 성장의 수혜가 예상된다.

16년 전망: 매출액 5,681억원(+12% YoY), 영업이익 652억원(+22% YoY) 내년 연결 기준 매출액은 5,681억원(+12% YoY), 영업이익 652억원(+22%)으로 성장을 지속할 전망이다. 부문별로는 OLED 장비 1,440억원, LCD 장비 1,000억원, 글라스 장비 840억원, 일반물류 1,500억원으로 추산된다. 산업 자동화의 바람을 타고 일반물류 부문의 실적도 꾸준히 개선될 전망이다. 기존 물류센터에 적용된 B2B 물류 시스템과 달리 고객에 게 바로 배송되는 온라인 물류에 최적화된 B2C 물류 시스템 확대가 예상된다.

투자의견 매수, 목표주가 60,000원 유지

90

에스에프에이에 대한 투자의견 매수, 목표주가 60,000원을 유지한다. 올해 STS반도체 인수

70 14.11

15.3

15.7

15.11

관련 출자로 보유 순현금이 3,213억원에서 1,334억원으로 감소하고 유동비율이 399%에서 320%로 감소했지만 무차입 경영에 여전히 우량한 재무구조를 유지하고 있다.

결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 507 70 13.8 71 3,972 19.6 11.9 2.0

12/13 479 65 13.6 63 3,514 15.1 11.7 1.6

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 에스에프에이, KDB대우증권 리서치센터

42

KDB Daewoo Securities Research

12/14 415 46 11.1 41 2,301 8.8 21.6 1.8

12/15F 509 54 10.6 31 1,708 6.3 29.0 1.7

12/16F 568 65 11.4 58 3,219 11.1 15.4 1.6

12/17F 725 89 12.3 77 4,279 13.2 11.6 1.4

2016 Outlook Report [반도체]

에스에프에이 (056190) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 415 333 82 37 46 46 6 8 0 52 11 41 0 41 41 0 43 43 0 56 17 13.5 11.1 9.9

12/15F 509 408 101 47 54 54 -5 7 0 49 18 31 0 31 31 0 31 31 0 65 36 12.8 10.6 6.1

12/16F 568 451 117 52 65 65 8 7 0 73 15 58 0 58 58 0 58 58 0 78 62 13.7 11.4 10.2

12/17F 725 581 144 55 89 89 8 9 0 97 20 77 0 77 77 0 77 77 0 103 84 14.2 12.3 10.6

12/14 20 41 15 10 0 5 -35 -32 0 8 -10 238 -3 -3 243 1 -19 11 0 -18 -12 240 103 342

12/15F 42 31 29 11 0 18 -4 -31 1 -8 -21 -272 -6 0 -263 -3 -20 -9 0 -11 0 -250 342 93

12/16F 72 58 21 13 0 8 1 -7 -1 6 -15 -25 -10 0 -15 0 -8 0 0 -9 1 39 93 132

12/17F 94 77 26 14 0 12 3 -16 -1 14 -20 -26 -10 0 -16 0 -8 1 0 -9 0 60 132 192

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 482 342 60 6 74 131 0 104 22 613 121 55 12 54 15 0 15 136 477 9 27 464 0 477

12/15F 477 93 50 5 329 126 0 100 21 603 94 46 3 45 12 0 12 106 497 9 27 483 0 497

12/16F 544 132 57 5 350 123 0 97 21 667 107 52 3 52 14 0 14 121 546 9 27 532 0 546

12/17F 650 192 74 7 377 120 0 93 21 770 138 67 4 67 18 0 18 156 614 9 27 600 0 614

12/14 21.6 15.9 1.8 9.6 2,301 3,123 27,847 652 27.5 1.3 -13.4 -23.3 -29.2 -34.5 8.7 72.2 7.9 6.9 8.8 30.3 28.4 398.7 -74.8 534.6

12/15F 29.0 15.0 1.7 7.8 1,708 3,312 28,923 500 28.4 1.0 22.7 16.1 17.4 -25.8 9.3 101.1 8.6 5.0 6.3 26.2 21.3 509.9 -76.5 175.3

12/16F 15.4 11.3 1.6 5.9 3,219 4,376 31,656 900 27.2 1.8 11.6 20.0 20.4 88.5 10.6 115.8 9.8 9.1 11.1 41.2 22.2 507.2 -79.4 390.6

12/17F 11.6 8.7 1.4 3.7 4,279 5,709 35,448 1,200 27.3 2.4 27.6 32.1 36.9 32.9 11.1 121.1 10.3 10.7 13.2 57.7 25.4 471.7 -82.7 428.0

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 에스에프에이, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

43

2016 Outlook Report [반도체]

케이씨텍 (029460) 반도체 공정 미세화의 수혜

투자포인트: 안정적인 사업 구조가 빛을 발할 시기

반도체 장비

1) 다변화된 장비 라인업과 안정적인 소재 사업이 핵심 경쟁력: 동사는 과거 디스플레이 장비

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M)

17,500

현재주가(15/11/30,원)

10,300 70%

상승여력

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원) 주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 200

1개월 7.0 9.0

도체, 디스플레이 장비뿐 아니라 안정적인 소재 사업을 영위하고 있어 최근 어려운 영업 환 경에도 양호한 실적을 기록했다. 특정 고객사에 편중된 다른 업체들과 달리 삼성전자, LG디 스플레이, SK하이닉스, 해외 업체(BOE, CSOT 등)들로 다변화되어 있다.

2) 미세화될수록 CMP 공정 증가: CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정은 웨이퍼의

막질을 슬러리를 이용해 화학적, 기계적으로 연마하는 과정이다. 반도체 공정이 미세화되고

34.7 22.7 9.9 11.6 1,991.97

가능하다. 최근 선폭 미세화가 어려워지면서 DPT, 3D NAND, FinFET 등의 기술들이 도입

344 33 57.2 15.2 1.89 7,290 14,450 6개월 12개월 12개월 -28.7 28.8 -24.3 28.0

케이씨텍

반도체 장비의 비중 증가와 슬러리 소재의 안정적인 매출로 회사의 체질이 개선되었다. 반

42 43

영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원) EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSPI

매출 비중이 80%에 육박했지만 최근에는 반도체 장비 비중이 지속적으로 증가하고 있다.

배선의 층수가 많아지면 단차가 발생한다. 이런 단차를 평탄화 시켜줘야 이후 노광 공정이 되고 있으며 CMP 공정 증가로 이어지고 있다. 동사는 지난해 처음으로 삼성전자에 CMP 장비를 공급했으며 올해 후속 투자가 이어지고 있다. 내년 CMP 장비 매출은 600억원으로 올해 대비 60% 성장할 전망이다. CMP 경쟁사로는 Applied Materials와 Ebara가 있다.

3) 안정적이고 수익성 높은 소재 사업: CMP 공정을 수행하기 위해서는 슬러리를 사용해야 한

다. 동사는 CMP 장비와 더불어 세리아 슬러리를 국내 반도체 업체 공급하고 있다. 장비 사 업이 고객사의 투자에 따라 변동성이 심한 반면 슬러리는 안정적인 매출이 가능하며 수익성 도 높은 사업이다. 향후 텅스텐 CMP 공정으로 확대되면서 추가 성장이 가능할 전망이다.

16년 전망: 매출액 4,570억원(+9% YoY), 영업이익 491억원(+17% YoY) 내년 별도 기준 매출액 3,050억원(+11% YoY), 영업이익 394억원(+4% YoY), 종속 회사 를 포함한 연결 기준 매출액 4,570억원(+9% YoY), 영업이익 491억원(+17% YoY)을 예상 한다. 부문 별로는 디스플레이 장비 1,067억원(35%), 반도체 장비 1,450억원(48%), 소재 532억원(18%)으로 추산된다. 자회사의 실적 턴어라운드로 연결 손익 개선이 예상된다.

KOSPI

180 160 140

투자의견 매수, 목표주가 17,500원 유지

120 100 80 14.11

케이씨텍에 대한 투자의견 매수, 목표주가 17,500원을 유지한다. 적정가치는 영업가치 15.3

15.7

15.11

3,915억원(장비 부문 2,683억원, 소재 부문 1,232억원), 자회사(투자자산) 가치 850억원의 합산으로 산정했다. 현 주가는 12M-fwd 실적 기준으로 P/E 8.6배, P/B 1.1배 수준이다.

결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 172 9 5.2 11 338 5.8 11.0 0.6

12/13 284 31 10.9 26 778 12.4 6.6 0.8

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 케이씨텍, KDB대우증권 리서치센터

44

KDB Daewoo Securities Research

12/14 357 31 8.7 26 771 11.1 10.4 1.1

12/15F 420 42 10.0 35 1,039 13.4 9.9 1.2

12/16F 457 49 10.7 40 1,207 13.7 8.5 1.1

12/17F 493 56 11.4 46 1,371 13.8 7.5 1.0

2016 Outlook Report [반도체]

케이씨텍 (029460) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 357 286 71 39 31 31 3 2 2 34 9 26 0 26 26 0 26 26 0 39 26 10.9 8.7 7.3

12/15F 420 322 98 55 42 42 7 2 4 49 12 37 0 37 35 2 36 34 2 51 17 12.1 10.0 8.3

12/16F 457 351 106 57 49 49 5 2 4 54 11 43 0 43 40 2 43 40 2 58 29 12.7 10.7 8.8

12/17F 493 378 115 59 56 56 5 2 4 61 13 48 0 48 46 3 48 46 3 66 36 13.4 11.4 9.3

12/14 36 26 18 6 2 10 2 -11 -7 16 -12 -50 -8 0 -40 -2 -1 4 0 -2 -3 -16 57 42

12/15F 38 37 19 7 1 11 -6 4 1 -1 -13 -22 -21 -2 2 -1 -4 0 0 -3 -1 17 42 58

12/16F 41 43 15 8 2 5 -7 -15 -4 6 -11 -27 -12 -3 -12 0 -4 0 0 -4 0 10 58 68

12/17F 50 48 17 8 2 7 -4 -9 -2 4 -13 -25 -15 -4 -7 1 -4 0 0 -4 0 22 68 90

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 231 42 99 25 65 121 30 65 9 352 80 48 1 31 10 2 8 90 244 17 48 186 19 263

12/15F 243 58 96 24 65 139 29 80 9 382 78 47 1 30 10 2 8 87 276 17 48 217 19 295

12/16F 282 68 112 28 74 152 34 84 11 434 90 55 2 33 11 2 9 101 311 17 48 253 22 333

12/17F 322 90 121 30 81 164 37 91 12 487 98 59 2 37 12 2 10 109 353 17 48 295 24 377

12/14 10.4 6.1 1.1 4.7 771 1,321 7,486 100 12.5 1.2 25.7 2.6 0.0 -0.9 3.8 17.0 9.2 7.8 11.1 18.1 34.1 290.2 -38.0 1,087.9

12/15F 9.9 6.2 1.2 4.9 1,039 1,661 8,422 130 11.3 1.3 17.6 30.8 35.5 34.8 4.3 17.4 8.4 10.0 13.4 23.1 29.7 313.0 -39.0 602.6

12/16F 8.5 6.0 1.1 4.0 1,207 1,723 9,504 150 11.3 1.5 8.8 13.7 16.7 16.2 4.4 17.7 8.6 10.4 13.7 25.6 30.4 313.7 -40.3 797.4

12/17F 7.5 5.3 1.0 3.1 1,371 1,946 10,750 170 11.3 1.7 7.9 13.8 14.3 13.6 4.3 17.1 8.3 10.5 13.8 26.9 29.0 330.3 -43.0 890.7

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 케이씨텍, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

45

2016 Outlook Report [반도체]

유진테크 (084370) 해외 거래선 확보로 새롭게 도약

투자포인트: 해외 신규고객 확보와 3D NAND 수혜 예상

반도체 장비

1) 해외 신규 거래선에 장비 공급 개시할 전망: 전망: 올해 동사의 매출 중에서 61%가 SK하이닉스,

매수

(Maintain) 목표주가(원,12M)

18,000

현재주가(15/11/30,원)

12,950 39%

상승여력

39%가 삼성전자에서 발생했다. 현재까지 대부분의 매출이 국내 양대 메모리 업체에서 발생 하고 있다. SK하이닉스의 M14 투자 지속으로 안정적인 수주가 가능할 전망이며 내년부터 해외 신규 거래선 공급이 가능할 전망이다. 그 동안 지연되었던 장비 승인이 거의 완료된 것으로 파악되며 내년에는 해외 고객 비중이 전체 매출에서 10% 수준에 이를 전망이다.

2) 3D NAND 투자 확대에 따른 수혜: 수혜: 내년 DRAM capex는 15% 감소하겠지만 NAND

capex는 33% 증가할 전망이다. DRAM 투자는 신규 증설보다는 공정 전환, NAND 투자는

21 23

3D NAND에 집중될 전망이다. 3D NAND는 32단에서 48단으로 진화하면서 2D 대비 원가

EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSDAQ

30.4 22.7 14.3 11.6 688.38

NAND에 사용되는 Plasma Treatment 장비, ALD(Atomic Layer Depostion) 장비,

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원)

290 22 59.2 16.7 1.03 11,200 18,350

영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원)

주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 160

1개월 11.6 10.9

6개월 12개월 12개월 -27.5 -16.6 -25.0 -33.9

유진테크

경쟁력을 확보할 수 있어 향후 SSD(Solid State Drive) 시장을 견인할 전망이다. 동사는 3D SEG(Selective Epitaxial Growth) 장비를 보유하고 있어 수혜가 예상된다.

3) 기술 경쟁력에 주목: 주목: 동사는 선택과 집중이라는 사업전략을 추구하고 있다. 다양한 장비를

갖추기 보다는 기술 경쟁력과 높은 이익률에 집중해왔다. 경쟁사들이 부진했던 2011~ 2012년에 높은 기술 경쟁력 갖춘 Single Type CVD 등을 기반으로 큰 폭의 성장을 이뤘다. 향후 기존 ALD보다 생산성을 개선한 트윈 챔버(Twin Chamber) ALD, SEG 등 기술 진입 장벽이 높은 장비의 매출이 확대될 경우 가파른 이익 회복이 예상된다.

16년 전망: 매출액 1,045억원(+6% YoY), 영업이익 247억원(+20% YoY) 올해 매출액은 983억원(+26% YoY), 영업이익 206억원(+67% YoY)를 기록할 전망이다. 지난해 2분기부터 급격하게 악화되었던 실적이 올해 턴어라운드에는 성공했지만 당초 예상 치에는 미치지 못할 것으로 보인다. 내년 실적은 매출 1,045억원(+6% YoY), 영업이익 247 억원(+20% YoY)으로 추가 개선될 전망이다. 내년 LP-CVD는 안정적인 수주가 예상되며 Plasma Treatment와 ALD 장비의 매출 성장이 기대된다.

KOSDAQ

140 120

투자의견 매수, 목표주가 18,000원으로 하향 조정

100 80 60 14.11

유진테크에 대한 투자의견 매수를 유지하지만 부진한 반도체 업황을 반영해 목표주가는 15.3

15.7

15.11

20,000원에서 18,000원으로 10% 하향 조정한다. 3분기말 현재 현금 1,360억원(자산의 67%, 시가총액의 47%)을 보유하고 있으며 무차입 경영으로 안정적인 재무구조를 가지고 있다. 현 주가는 12M-fwd 실적 기준으로 P/E 13.1배, P/B 1.4배 수준이다. 결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 168 53 31.5 50 2,257 50.7 5.9 2.3

12/13 106 30 28.3 38 1,713 27.0 9.5 2.2

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 유진테크, KDB대우증권 리서치센터

46

KDB Daewoo Securities Research

12/14 78 12 15.4 16 694 9.4 23.3 2.1

12/15F 98 21 21.4 20 906 11.4 14.3 1.5

12/16F 104 25 24.0 22 993 11.6 13.0 1.4

12/17F 117 28 23.9 25 1,105 11.7 11.7 1.3

2016 Outlook Report [반도체]

유진테크 (084370) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 78 41 37 25 12 12 4 3 0 16 1 15 0 15 16 -1 14 15 -1 14 6 17.9 15.4 20.5

12/15F 98 52 46 26 21 21 4 2 0 25 5 20 0 20 20 0 20 20 0 25 21 25.5 21.4 20.4

12/16F 104 53 51 27 25 25 3 2 0 28 6 22 0 22 22 -1 22 22 0 31 20 29.8 24.0 21.2

12/17F 117 61 56 29 28 28 3 2 0 31 7 24 0 24 25 -1 24 24 0 33 23 28.2 23.9 21.4

12/14 10 15 4 2 0 2 -8 8 2 -14 -4 -20 -4 -5 -10 -1 -3 0 0 -3 0 -12 44 32

12/15F 24 20 12 2 3 7 -8 -2 0 1 -1 -10 -3 -2 -5 0 -10 0 0 -3 -7 4 32 36

12/16F 26 22 10 3 3 4 -2 -7 -4 4 -6 -11 -5 0 -6 0 -3 0 0 -3 0 11 36 48

12/17F 29 24 10 3 2 5 -1 -2 -1 1 -7 -16 -5 0 -10 -1 -3 0 0 -3 0 10 48 58

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 142 32 12 7 91 49 0 36 9 191 16 8 0 8 1 0 1 18 172 11 5 159 1 173

12/15F 153 36 13 8 96 50 0 37 9 203 18 10 0 8 2 0 2 20 182 11 4 176 1 183

12/16F 181 48 20 11 102 50 0 39 6 231 27 14 0 13 2 0 2 29 201 11 4 195 0 201

12/17F 204 57 22 13 112 51 0 41 4 255 30 16 0 14 3 0 3 32 223 11 4 216 -1 222

12/14 23.3 18.8 2.1 16.2 694 859 7,802 150 21.6 0.9 -26.4 -56.3 -60.0 -59.5 5.3 10.5 3.2 7.7 9.4 23.2 10.3 867.9 -69.9 6,631.3

12/15F 14.3 9.2 1.5 6.3 906 1,412 8,554 150 16.4 1.2 25.6 78.6 75.0 30.5 7.8 13.6 6.6 10.1 11.4 29.6 10.8 847.9 -71.1 36,330.6

12/16F 13.0 9.3 1.4 4.7 993 1,398 9,401 150 15.1 1.2 6.1 24.0 19.0 9.6 6.3 10.9 5.1 9.9 11.6 32.4 14.6 668.8 -72.6 0.0

12/17F 11.7 8.6 1.3 3.7 1,105 1,501 10,360 150 13.6 1.2 12.5 6.5 12.0 11.3 5.6 9.7 4.6 9.9 11.7 34.5 14.6 685.2 -74.7 0.0

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 유진테크, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

47

2016 Outlook Report [반도체]

한미반도체 (042700) 주가 회복을 위한 모멘텀 부족

투자포인트: 글로벌 반도체 투자 하향 조정에 따른 실적 부진

반도체 장비

1) 성장통을 회복하기 위한 시간 필요: 지난해 대만과 중국의 반도체 후공정(패키징 및 테스

중립

(Downgrade)

-

목표주가(원,12M)

10,400

현재주가(15/11/30,원)

-

상승여력 영업이익(15F,십억원) Consensus 영업이익(15F,십억원) EPS 성장률(15F,%) MKT EPS 성장률(15F,%) P/E(15F,x) MKT P/E(15F,x) KOSPI

-36.9 22.7 14.1 11.6 1,991.97

시가총액(십억원) 발행주식수(백만주) 유동주식비율(%) 외국인 보유비중(%) 베타(12M) 일간수익률 52주 최저가(원) 52주 최고가(원) 주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가 130

1개월 -3.7 -1.9

21 19

265 25 40.3 6.1 0.56 9,660 18,400 6개월 12개월 12개월 -24.4 -34.8 -19.7 -35.2

한미반도체

트) 업체들이 대규모 설비투자를 진행하면서 동사의 수혜가 컸다. 특히 동사의 주력 장비인 V&P(Vision & Placement)는 글로벌 점유율이 70%에 이르고 매출의 60%를 차지하기 때 문에 후공정 투자의 직접적인 수혜가 가능했다. 하지만 올해부터 TSMC 등 파운드리와 후 공정 전문 업체(ASE/SPIL 등)들이 투자를 계속 낮추고 있어 동사의 실적 하향 조정이 지속 되고 있다. 글로벌 반도체 업체들의 투자 회복에는 시간이 필요할 전망이다.

2) 신규 전략 장비의 지연: 동사는 장기 성장 동력 확보를 위한 신규 장비인 FC-Bonder 매

출이 지연되고 있다. FC-Bonder는 반도체 소형 패키징에 쓰이는 장비로 비메모리에 주로 사용되어왔다. 당초 DDR4 DRAM부터 메모리에도 적용되기 시작하면서 향후 수요가 증가 할 것으로 예상되었으나 기대에 미치지 못하고 있다.

3) 중국 스마트폰 시장의 성장성 둔화: 중국 스마트폰 급성장에 따른 반도체 칩 출하량 증가

로 패키징 수요가 함께 증가하였다. 이로 인해 ASE, SPIL 등의 대만 업체들과 장인전자, 난 통 후지쯔 등의 중국 후공정 업체가 투자를 확대했다. 최근 중국 스마트폰 시장의 성장 동 력이 빠르게 소진되고 있다. 올해 상반기에는 중국 스마트폰 판매량이 역성장을 기록하기도 했다. 올해 중국의 연간 스마트폰 판매량은 4.2억대로 1% 성장하는데 그칠 전망이다. 중국 의 LTE 전환이 어느 정도 마무리되면서 교체 주기가 길어지고 있기 때문이다.

16년 전망: 매출액 1,308억원(+9% YoY), 영업이익 260억원(+24% YoY) 올해 매출액은 1,200억원(-38% YoY), 영업이익 210억원(-57% YoY)으로 전년대비 크게 감소할 전망이다. 내년 실적은 매출액 1,308억원(+9% YoY), 영업이익 260억원(+24% YoY)으로 올해 대비 개선되겠지만 시장 기대치에는 미치지 못할 전망이다. 안정적인 수익 성, 다양한 고객과 제품 라인업 보유로 중장기 성장성은 유효하지만 주가 상승을 위한 모멘 텀이 부족한 상황으로 판단된다

KOSPI

110 90

투자의견 중립으로 하향 조정

70 50 14.11

한미반도체에 대한 투자의견을 매수에서 중립으로 하향 조정한다. 중국의 스마트폰 성장률 15.3

15.7

15.11

둔화와 반도체 후공정 업체들의 투자 축소를 반영해 16~17F EPS를 각각 46%, 50% 하향 조정했기 때문이다. 향후 사물인터넷, 자동차 전장 등의 비메모리 반도체 시장 성장은 유효 하지만 이를 주가에 반영하기에는 이르다고 판단된다. 결산기 (12월) 매출액 (십억원) 영업이익 (십억원) 영업이익률 (%) 순이익 (십억원) EPS (원) ROE (%) P/E (배) P/B (배)

12/12 143 24 16.8 26 1,042 15.1 6.5 0.9

12/13 113 14 12.4 11 438 6.1 25.5 1.5

주: K-IFRS 연결 기준, 순이익은 지배주주 귀속 순이익 자료: 한미반도체, KDB대우증권 리서치센터

48

KDB Daewoo Securities Research

12/14 192 49 25.5 30 1,173 15.4 13.8 1.9

12/15F 120 21 17.5 19 740 9.3 14.1 1.2

12/16F 131 26 19.8 21 812 10.1 12.8 1.1

12/17F 154 33 21.4 26 1,040 12.5 10.0 1.1

2016 Outlook Report [반도체]

한미반도체 (042700) 예상 포괄손익계산서 (요약) 요약) (십억원) 매출액 매출원가 매출총이익 판매비와관리비 조정영업이익 영업이익 비영업손익 금융손익 관계기업등 투자손익 세전계속사업손익 계속사업법인세비용 계속사업이익 중단사업이익 당기순이익 지배주주 비지배주주 총포괄이익 지배주주 비지배주주 EBITDA FCF EBITDA 마진율 (%) 영업이익률 (%) 지배주주귀속 순이익률 (%)

예상 재무상태표 (요약) 요약) 12/14 192 106 86 37 49 49 -5 0 1 44 10 34 -4 30 30 0 29 29 0 55 25 28.6 25.5 15.6

12/15F 120 65 55 34 21 21 3 1 -1 24 5 19 0 19 19 0 19 19 0 26 30 21.7 17.5 15.8

12/16F 131 70 61 34 26 26 0 0 0 26 6 21 0 21 21 0 21 21 0 31 42 23.7 19.8 16.0

12/17F 154 86 68 35 33 33 1 1 0 34 7 26 0 26 26 0 26 26 0 39 24 25.3 21.4 16.9

12/14 28 30 35 5 0 30 -34 -30 -4 0 -2 -8 -3 -1 2 -6 -30 -24 9 -12 -3 -10 46 36

12/15F 33 19 12 4 0 8 16 11 6 -2 -14 -2 -3 0 1 0 -22 0 0 -12 -10 11 36 47

12/16F 47 21 11 5 0 6 21 21 14 -3 -6 -3 -5 0 2 0 -16 0 0 -16 0 32 47 80

12/17F 29 26 13 6 0 7 -3 -3 -2 0 -7 -5 -5 0 0 0 -16 0 0 -16 0 7 80 87

예상 현금흐름표 (요약) 요약) (십억원) 영업활동으로 인한 현금흐름 당기순이익 비현금수익비용가감 유형자산감가상각비 무형자산상각비 기타 영업활동으로인한자산및부채의변동 매출채권 및 기타채권의 감소(증가) 재고자산 감소(증가) 매입채무 및 기타채무의 증가(감소) 법인세납부 투자활동으로 인한 현금흐름 유형자산처분(취득) 무형자산감소(증가) 장단기금융자산의 감소(증가) 기타투자활동 재무활동으로 인한 현금흐름 장단기금융부채의 증가(감소) 자본의 증가(감소) 배당금의 지급 기타재무활동 현금의 증가 기초현금 기말현금

(십억원) 유동자산 현금 및 현금성자산 매출채권 및 기타채권 재고자산 기타유동자산 비유동자산 관계기업투자등 유형자산 무형자산 자산총계 유동부채 매입채무 및 기타채무 단기금융부채 기타유동부채 비유동부채 장기금융부채 기타비유동부채 부채총계 지배주주지분 자본금 자본잉여금 이익잉여금 비지배주주지분 자본총계

12/14 137 36 61 39 1 111 13 51 3 248 38 10 0 28 6 0 6 43 205 13 31 176 0 205

12/15F 131 47 51 32 1 107 11 50 3 238 31 8 0 23 5 0 5 36 202 13 31 183 0 202

12/16F 127 80 29 18 0 100 6 50 3 227 18 5 0 13 3 0 3 20 206 13 31 187 0 206

12/17F 140 87 32 20 1 100 7 49 3 240 20 5 0 15 3 0 3 23 217 13 31 198 0 217

12/14 13.8 6.4 1.9 6.9 1,173 2,539 8,616 500 40.1 3.1 69.9 189.5 250.0 167.8 4.4 4.7 11.5 12.2 15.4 29.6 21.1 362.8 -17.7 50.4

12/15F 14.1 8.5 1.2 8.5 740 1,217 8,883 700 84.6 6.7 -37.5 -52.7 -57.1 -36.9 2.2 3.4 8.2 7.7 9.3 14.5 17.9 417.1 -23.4 435.1

12/16F 12.8 8.4 1.1 5.9 812 1,235 9,069 700 77.1 6.7 9.2 19.2 23.8 9.7 3.4 5.2 12.6 8.9 10.1 21.3 9.9 714.5 -38.6 0.0

12/17F 10.0 6.7 1.1 4.5 1,040 1,546 9,483 700 60.2 6.7 17.6 25.8 26.9 28.1 5.3 8.0 19.9 11.3 12.5 30.8 10.5 703.1 -40.0 0.0

예상 주당가치 및 valuation (요약 (요약) 요약) P/E (x) P/CF (x) P/B (x) EV/EBITDA (x) EPS (원) CFPS (원) BPS (원) DPS (원) 배당성향 (%) 배당수익률 (%) 매출액증가율 (%) EBITDA증가율 (%) 조정영업이익증가율 (%) EPS증가율 (%) 매출채권 회전율 (회) 재고자산 회전율 (회) 매입채무 회전율 (회) ROA (%) ROE (%) ROIC (%) 부채비율 (%) 유동비율 (%) 순차입금/자기자본 (%) 조정영업이익/금융비용 (x)

자료: 한미반도체, KDB대우증권 리서치센터

KDB Daewoo Securities Research

49

반도체 Soft Landing

투자의견 및 목표주가 변동추이 종목명( 종목명(코드번호) 코드번호) 삼성전자(005930)

제시일자 2015.07.30 2015.06.26 2015.03.27 2015.01.22 2014.09.28 2014.08.27 2014.07.08 2014.05.14 2014.01.26 2014.01.02 2013.11.25 2015.10.22 2015.09.01 2015.06.29 2015.01.22

SK하이닉스(000660)

2014.06.15 2014.05.14 2014.01.29 2013.11.25 2015.06.03 2015.02.08 2015.01.22 2014.09.01 2014.05.25

실리콘웍스(108320)

(원)

(원)

삼성전자

2,000,000

80,000

1,500,000

60,000

투자의견 매수 매수 매수 매수 분석 대상 제외 매수 매수 매수 매수 분석 대상 제외 매수 매수 매수 매수 매수 매수 매수 분석 대상 제외 매수 매수 분석 대상 제외 매수 매수 매수 매수 매수 매수 매수

목표주가( 목표주가(원) 1,700,000원 1,800,000원 1,850,000원 1,800,000원 1,400,000원 1,500,000원 1,600,000원 1,700,000원 1,650,000원 1,750,000원 1,900,000원 45,000원 50,000원 60,000원 64,000원

종목명( 종목명(코드번호) 코드번호)

제시일자 2013.11.28 2015.08.10 2015.08.03 2015.01.22

원익IPS(030530)

2013.11.25 2015.08.03 2015.05.11 2015.04.22 2014.02.14 2013.11.28 2015.06.03 2015.05.17 2015.01.22 2013.11.28 2015.11.30 2015.08.03 2015.05.14 2015.01.22

에스에프에이(056190)

케이씨텍(029460)

유진테크(084370)

57,000원 52,000원 46,000원 43,000원 48,000원 42,000원 38,000원 34,000원 40,000원

2013.12.11 2013.07.22 (원)

SK하이닉스

2013.11.25 2015.11.30 2015.08.03 2015.06.03 2015.01.22

한미반도체(042700)

(원)

실리콘웍스

60,000

투자의견 목표주가((원) 목표주가 매수 31,000원 매수 16,000원 매수 17,000원 매수 18,000원 분석 대상 제외 매수 13,000원 매수 60,000원 매수 62,000원 매수 70,000원 매수 60,000원 매수 65,000원 매수 17,500원 매수 15,000원 매수 10,000원 매수 6,500원 매수 18,000원 매수 20,000원 매수 22,000원 매수 19,000원 분석 대상 제외 매수 24,000원 중립 매수 14,500원 매수 18,000원 매수 22,000원 분석 대상 제외 매수 14,000원 매수 15,000원 원익IPS

20,000

50,000 15,000 40,000 1,000,000

30,000

40,000

10,000

20,000 500,000

20,000

5,000 10,000

0 13.11

14.11

(원)

0 13.11

15.11

(원)

에스에프에이

80,000

14.11

15.11

(원)

케이씨텍

20,000

60,000

0 13.11

14.11

15.11

(원)

유진테크

30,000

25,000

25,000

20,000

15,000 20,000

40,000

10,000

20,000

5,000

14.11

15.11

10,000

14.11

15.11

0 13.11

5,000

14.11

15.11

0 13.11

14.11

투자의견 분류 및 적용기준 기업 산업 매수 : 향후 12 개월 기준 절대수익률 20% 이상의 초과수익 예상 비중확대: 향후 12 개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 대비 높거나 상승 Trading Buy : 향후 12 개월 기준 절대수익률 10% 이상의 초과수익 예상 중립 : 향후 12 개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 수준 중립 : 향후 12 개월 기준 절대수익률 -10~10% 이내의 등락이 예상 비중축소: 향후 12 개월 기준 업종지수상승률이 시장수익률 대비 낮거나 악화 비중축소 : 향후 12 개월 절대수익률 -10% 이상의 주가하락이 예상 매수(▲), Trading Buy(■), 중립(●), 비중축소(◆), 주가(─), 목표주가(▬), Not covered(■) 투자의견 비율 매수( 매수(매수) 매수) 72.77%

Trading Buy(매수 Buy(매수) 매수) 13.86%

* 2015 년 9 월 30 일 기준으로 최근 1 년간 금융투자상품에 대하여 공표한 최근일 투자등급의 비율

50

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15.11

한미반도체

15,000

5,000 0 13.11

14.11

15,000 10,000

0 13.11

0 13.11

중립( 중립(중립) 중립) 13.37%

비중축소( 비중축소(매도) 매도) 0.00%

15.11

반도체 Soft Landing

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