Micron (MU US) 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
기업개요: 글로벌 DRAM 3위, NAND 4위의 메모리 반도체 업체 Micron은 1978년에 미국 북서부 Idaho주에 있는 Boise에서 설립되었다. 1981년 첫 번째
Global Company Analysis 2016.8.30
메모리 라인을 건설하고 64K DRAM을 생산하기 시작했다. 현재는 글로벌 DRAM 점유율 19%로 14%로 19% 로 3위, NAND 점유율 14% 로 4위 업체이다. DRAM은 1966년도 IBM Watson 연구소에 서 발명되어 1970년대에는 Intel, Texas Instrument, National 등 미국 반도체 업체들이 시
현재 주가(US$) 국가
16.5
장을 주도했다. 1980년대에 들어오면서 일본 반도체 업체들이 공격적인 투자와 제품 경쟁
미국
력을 앞세워 주도권을 가져왔으며 1990년대 이후에는 한국 반도체 업체들이 점차 시장 지
NASDAQ
거래소
배력을 높여 현재 시장을 주도하고 있다. 현재 대부분의 미국 반도체 업체들은 메모리 시장 에서 철수했고 Micron이 유일하게 메모리 사업을 영위하고 있다. Micron은 Micron은 광범위한 협력 관계 구축과 공격적인 인수합병을 통해 경쟁력을 유지하고 있다. 2005
EPS 성장률 (16F,%) P/E(16F,x) MKT P/E(16F,x) 배당수익률(%)
-102.3 22.5 5,219
시가총액(십억US$) 유통주식수(백만주) 52주 최저가(US$)
17.1 1,038 9.3
52주 최고가(US$)
19.3
주가상승률(%) 주가상승률(%) 절대주가 상대주가
1개월 20.2 20.4
6개월 55.3 38.4
12개월 12개월 3.4 -5.1
년에는 Micron과 Intel이 IMFT(Intel-Micron Flash Technologies) 합작회사를 설립하고 Lehi에 첫 번째 NAND 공장을 건설했다. 2008년에는 Qimonda가 보유한 대만의 Inotera 지분 33%를 4억달러에 매입했으며 지난해 12월 잔여지분을 모두 인수해 합병을 앞두고 있다. 2010년에는 플래시 메모리 업체인 Numonyx를 13억달러에 인수했고 2012년에는 Hitachi, NEC, Mitsubishi DRAM 사업의 합작회사인 Elpida를 25억달러에 인수했다.
최근 실적 및 이슈: 실적 턴어라운드 임박 Micron은 8월 결산법인이라 연간실적 발표를 앞두고 있다. 지난 3Q16FY(3~5월) 매출액 은 29억달러(-1% QoQ, -25% YoY), 영업적자 -2,700만달러, 순손실 -2.2억달러로 6분기 연속 실적이 악화되었다. 재고자산은 29억달러(+12% QoQ, +23% YoY)로 크게 증가했다.
130
NASDAQ (US)
Micron
DRAM 매출액은 전기대비 9% 증가했으며 전체 매출액의 60%를 차지했다. 출하량은 전기
대비 22% 증가해 예상치를 상회했지만 평균판가는 11% 하락했다. 원가절감은 9% 수준에
100
그쳐 매출총이익률이 18%로 전기대비 2%p 하락해 수익성은 악화되었다. 70
40 15.09
NAND 매출액은 전기대비 16% 감소했으며 전체 매출액의 31%를 차지했다. 출하량은 전기
대비 10% 감소해 부진했으며 평균판가도 6% 하락했다. 매출총이익률은 17%로 하락했다. 15.12
16.03
[반도체/장비] 황준호 02-768-4140 j.hwang@miraeasset.com
16.06
16.09
4Q16FY(6~8월) 매출액은 29~32억달러, 영업적자는 -0.6~1.4억달러로 시장 기대치를 하 회하는 가이던스를 제시했다. 1Q17FY(9~11월)부터 본격적인 실적 개선이 예상된다.
Valuation: 메모리 사이클의 고베타(High-Beta) 종목 현재 주가는 12M-fwd P/B 1.3배 수준이다. Micron은 경쟁사에 비해 실적과 주가 변동성 이 높다. 메모리 상승 사이클에서 주가가 가장 많이 오르고 하락 사이클에서 가장 많이 내 리는 고베타 종목이다. 최근 메모리 가격 상승으로 주가는 가파른 상승 국면에 진입했다. 결산기 (8월) 매출액 (십억US$) 영업이익 (십억US$) 영업이익률 (%) 순이익 (십억US$) EPS (US$) ROE (%) P/E (배) P/B (배)
12/12 8.2 -0.6 -7.4 -1.0 -1.0 -12.8 0.8
주: 추정치는 Bloomberg Consensus 기준 자료: Micron, 미래에셋대우 리서치센터
12/13 9.1 0.2 2.6 1.2 1.2 14.1 249.5 1.5
12/14 16.4 3.1 18.9 3.0 2.9 30.5 11.9 3.3
12/15 16.2 3.0 18.5 2.9 2.7 25.0 6.6 1.5
12/16F 12.4 0.1 1.0 -0.3 -0.1 -1.6 1.4
12/17F 13.6 0.8 6.0 0.5 0.6 4.7 29.4 1.3
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
국내 유사기업과의 비교 국내 유사 기업은 삼성전자(005930) 삼성전자(005930)와 SK하이닉스 SK하이닉스(000660) 하이닉스(000660)가 있다. 삼성전자는 글로벌 DRAM 점유율 47%, NAND 점유율 35%로 1위 업체이다. SK하이닉스는 글로벌 DRAM 점유율 27%로 2위, NAND 점유율 10%로 5위 업체이다. 순수하게 메모리 사업만 하다는 측면에서는 SK하이닉스와 유사하다. 삼성전자의 반도체 부문은 올해 매출액 47.4조원(-0.3% YoY), 영업이익 11.1조원(-13% YoY)를 기
록할 전망이다. 지난해부터 가파르게 하락한 메모리 가격에도 불구하고 여전히 경쟁사를 압도하는 실 적을 유지하고 있다. DRAM에서는 올해 20nm 공정이 주력 공정으로 안정적인 전환이 이루어졌으며 올해 연말부터는 18nm 공정에 진입할 것으로 예상된다. 20nm 공정에서 어려움을 겪고 있는 SK하 이닉스와 Micron에 비해 6개월 이상 기술이 앞서있다. NAND에서도 유일하게 3D NAND를 양산하 고 있다. 특히 올해부터 3세대(48단) 제품의 원가경쟁력을 크게 개선하면서 설비투자를 확대하고 있 다. 경쟁사들도 3D NAND 투자 확대를 발표하며 추격하고 있지만 1년 이상 기술이 뒤쳐져 있다. SK하이닉스 SK하이닉스는 올해 매출액 16.3조원(-14% YoY), 영업이익 2.1조원(-60% YoY)를 기록할 전망이다.
DRAM 21nm 공정전환 지연과 글로벌 IT 수요 부진으로 올해 큰 폭의 실적 하락이 예상된다. 다만 올해 하반기부터 메모리 가격이 18개월만에 상승 전환해 SK하이닉스의 분기 실적도 7분기만에 개선 될 전망이다. NAND 부문의 경쟁력은 여전히 선발업체들에 비해 열위에 있다. NAND는 단품이 아닌 솔루션 제품이기 때문에 공정 기술 외에 컨트롤러 및 시스템 설계 기술이 중요하다. SK하이닉스는 NAND 경쟁력 강화를 위해서 협력 관계 구축이 필요하다고 판단된다. Micron은 Micron은 국내 메모리 업체들에 비해 기술적으로 열위에 있어 상대적으로 실적 변동성이 더 크다. 지난해
부터 DRAM 가격이 크게 하락하면서 원가구조가 취약한 Micron은 DRAM 영업이익이 올해 적자 전 환했다. 국내 업체들의 DRAM 수익성도 하락했지만 흑자 기조를 유지하고 있는 것과는 대조적이다. Micron의 높은 실적 변동성은 높은 주가 변동성을 의미한다. 메모리 상승 사이클에서 주가가 가장 많이 오르고 하락 사이클에서 가장 많이 내린다. 즉 Micron은 Micron은 메모리 사이클의 고베타(High 고베타(High(High-Beta) 종목 으로 인식되고 있다. 지난 사이클의 상승 국면(1Q12~4Q14)에서 Micron, SK하이닉스, 삼성전자의 주가는 각각 +294%, +70%, +5% 상승했다. 반면 하락 사이클(4Q14~2Q16)에서는 Micron과 SK 하이닉스의 주가가 각각 -71%, -47% 하락한 반면 삼성전자의 주가는 +5% 상승했다. 최근 메모리 가격이 반등하면서 메모리 사이클이 바닥을 쳤다는 기대감들이 확산되고 있다. 메모리 산업이 본격적으로 상승 국면으로 전환된다면 Micron의 주가가 가장 탄력적으로 움직일 가능성이 높다. 실제로 최근 Micron의 주가는 2분기 저점 대비 +69% 상승했다. 같은 기간 동안 삼성전자와 SK하이닉스의 주가는 각각 +29%, +40% 상승했다. 그림 1. 메모리 업체들의 합산 영업이익과 주가 추이 (십억달러) 8
(2010.1.1=100) 메모리 영업이익 (L)
Micron (R)
삼성전자 (R)
상승사이클(1Q12~4Q14) 상승사이클(1Q12~4Q14) Micron +294% SK하이닉스 +70% 삼성전자 +5%
6
SK하이닉스 (R) 하락사이클(4Q14~2Q16) 하락사이클(4Q14~2Q16) Micron -71% SK하이닉스 -47% 삼성전자 +5%
200
2
100
0 1Q10
1Q11
자료: 미래에셋대우 리서치센터
Mirae Asset Daewoo Research
300
4
0
2
400
1Q12
1Q13
1Q14
1Q15
1Q16
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
차세대 메모리 기술 개발 현황 지난해 Micron은 Intel과 함께 차세대 메모리 기술인 3D XPoint를 공개했다. 3D XPoint는 기존 NAND와 같은 비휘발성 메모리 소자이면서 속도는 기존 NAND에 비해서 1,000배 빠르고 내구성도 1,000배 높은 것으로 발표했다. 아직까지 가격이 높아 기존 기술을 대체하기보다는 새로운 어플리케 이션으로 사용될 가능성이 높다고 판단되며 기존 메모리 시장에 비해서 규모는 크지 않을 전망이다. 시장은 아직 작지만 3D XPoint 기술이 가지는 의미는 크다. 다른 차세대 반도체 기술들이 대용량으 로 양산된 적이 없는데 비해 3D XPoint는 1세대 128Gb 제품을 20nm 공정에서 2-layer로 양산 준 비를 하고 있다. 현재 Lehi(미국, Utah)팹 캐파 20K/월 중에서 일부를 3D XPoint 생산에 이용하고 있다. 향후 3D XPoint는 공정 미세화와 layer 증가를 통해 확장성을 높일 수 있다고 밝히고 있다. Intel은 중국 다롄 공장을 메모리 라인으로 전환해 3D XPoint를 양산할 계획이다. In-memory database, Big Data 등의 서버 어플리케이션에 먼저 사용될 전망이다. Intel은 지난해 개발자 포럼 (Intel Developer Forum)에서 3D XPoint를 이용한 제품의 브랜드인 Optane Technology 공개했다. 올해 개발자 포럼에서는 Optane SSD를 이용한 클라우드 기반의 테스트베드를 공개했다. 가상화 및 클라우드 서비스를 제공하는 ScaleMP와 협업으로 Optane SSD의 성능을 검증할 수 있도록 했다. 3D XPoint의 기술은 플로팅게이트에 전하를 저장하는 NAND와 근본적으로 다르다. 데이터를 저장 하는 원리는 재료의 속성 변화(bulk material property change)를 이용한다. 여기서 속성이 상변화 (PRAM)인지 저항(ReRAM)인지는 알려지지 않았지만 재료와 장비가 많이 달라질 것이라는 전망이 우세하다. 기존 설비들을 활용하기 어렵기 때문에 신규투자가 필요하다는 재무적인 부담이 있다. 표 1. 3D XPoint 성능 및 가격 비교 성능 읽기 속도 (초) 가격 (USD/GB)
DRAM ns (10-9) $4~5
NAND 수십 μs (10-5) $0.3~0.4
3D XPoint 수십 ns (10-8) 미정 ($4 수준 예상)
HDD 수십 ms (10-2) $0.1
자료: 미래에셋대우 리서치센터
그림 2. 3D XPoint 구조
자료: Micron
Mirae Asset Daewoo Research
3
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
표 2. Micron 실적 추이 및 전망 매출액 DRAM NAND 영업이익 영업이익률 순이익 순이익률 출하 증가율 DRAM NAND
(백만달러, %)
1Q15 4,573 3,108 1,288 1,085 23.7 1,003 21.9
2Q15 4,166 2,651 1,309 855 20.5 934 22.4
3Q15 3,853 2,332 1,323 631 16.4 491 12.7
4Q15 3,600 2,150 1,231 427 11.9 471 13.1
1Q16 3,350 1,905 1,203 232 6.9 206 6.1
2Q16 2,934 1,572 1,139 -5 -0.2 -97 -3.3
3Q16F 2,898 1,547 1,275 -27 -0.9 -215 -7.4
4Q16F 3,068 1,716 1,227 -101 -3.3 -236 -7.7
2014 16,358 11,162 4,475 3,087 18.9 3,045 18.6
2015 16,192 10,241 5,151 2,998 18.5 2,899 17.9
2016F 12,250 6,740 4,844 99 0.8 -342 -2.8
2017F 13,549 804 5.9 483 3.6
8 16
-9 11
-2 -2
-1 -6
2 5
-9 11
22 -10
10 5
78 57
-5 22
24 10
-
3Q15 308 25 105 78 100 365 50 115 175 0 25 242 120 120 2 140 1,055
4Q15 310 25 105 80 100 370 50 105 175 0 40 245 120 120 5 142 1,067
1Q16 313 25 100 88 100 370 50 105 175 0 40 247 115 117 15 141 1,071
2Q16 317 25 100 92 100 360 50 100 170 0 40 250 105 115 30 137 1,064
3Q16F 320 25 102 93 100 370 50 100 170 0 50 250 95 110 45 132 1,072
4Q16F 323 25 105 93 100 370 50 100 170 0 50 250 85 110 55 130 1,073
2014 328 28 119 76 105 376 50 126 176 24 0 261 134 128 0 131 1,096
2015 311 25 108 77 101 363 50 118 175 2 19 243 119 123 2 140 1,057
자료: Micron, Bloomberg 컨센서스
표 3. DRAM 업체별 생산능력 (웨이퍼 투입 기준) 기준) Micron Manassas (US) Inotera (Taiwan) Rexchip (Taiwan) Elpida (Japan) 삼성전자 Fab 11 Fab 13 Fab 15 Fab 16 Fab 17 SK하이닉스 SK 하이닉스 M10 Wuxi (China) M14 기타 합계
1Q15 315 25 110 75 105 355 50 125 175 5 0 240 115 125 0 138 1,048
2Q15 310 25 110 75 100 362 50 125 175 2 10 245 120 125 0 141 1,058
(12" 기준, 천장/월) 2016F 318 25 102 92 100 368 50 101 171 0 45 249 100 113 36 135 1,070
2017F 319 25 105 89 100 379 50 100 170 0 59 258 85 110 63 134 1,090
자료: 미래에셋대우 리서치센터
표 4. NAND 업체별 생산능력 (웨이퍼 투입 기준) 기준) Micron Manassas (US) IMFT (US) IMFT (Singapore) Tech Semi (Singapore) 삼성전자 Fab 12 Fab 16 Xian (China) Fab 17 평택 SK하이닉스 SK 하이닉스 M11 M12 M14 Toshiba/Sandisk Fab 2 Fab 3 Fab 4 Fab 5 기타 합계
1Q15 237 40 70 72 55 340 120 190 30 0 0 160 130 30 0 430 0 160 210 60 5 1,172
자료: 미래에셋대우 리서치센터
4
Mirae Asset Daewoo Research
2Q15 240 40 70 75 55 350 120 190 40 0 0 170 130 40 0 435 0 160 210 65 7 1,202
3Q15 245 40 70 80 55 380 120 190 70 0 0 190 130 60 0 450 0 160 210 80 8 1,273
(12" 기준, 천장/월) 4Q15 255 40 70 90 55 390 120 190 80 0 0 200 130 70 0 470 0 160 210 100 5 1,320
1Q16 245 40 70 80 55 395 120 190 85 0 0 205 130 75 0 470 0 160 210 100 4 1,319
2Q16 240 40 70 75 55 410 120 190 100 0 0 205 130 75 0 480 5 160 210 105 5 1,340
3Q16F 235 40 70 70 55 420 120 190 110 0 0 210 130 80 0 505 30 160 210 105 5 1,375
4Q16F 235 40 70 70 55 425 120 190 115 0 0 230 130 100 0 515 40 160 210 105 15 1,420
2014 234 40 70 70 54 327 125 190 12 0 0 143 125 18 0 411 0 158 208 46 4 1,119
2015 244 40 70 79 55 365 120 190 55 0 0 180 130 50 0 446 0 160 210 76 6 1,242
2016F 239 40 70 74 55 413 120 190 103 0 0 213 130 83 0 493 19 160 210 104 7 1,364
2017F 239 40 70 74 55 438 120 165 115 26 11 241 130 100 11 543 68 160 210 105 23 1,483
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
그림 3. PC DRAM 현물, 현물, 고정가격 (DDR3 4Gb 1,600MHz) 추이 (달러)
스프레드 (R)
5
현물가격 (L)
고정가격 (L)
4
그림 4. NAND 현물, 현물, 고정가격 (64Gb MLC) 추이 (%)
(달러)
스프레드 (R)
40
4.0
고정가격 (L)
30
3.5
30
20
3.0
20
10
2.5
10
0
2.0
0
-10
1.5
-10
-20
1.0 14.01
(%)
현물가격 (L)
40
3
2
1
0 14.01
14.07
15.01
15.07
16.01
16.07
-20 14.07
15.01
15.07
16.01
자료: DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터
자료: DRAMeXchange, 미래에셋대우 리서치센터
그림 5. 반도체 재고순환지표 추이
그림 6. Micron 재고자산 및 재고/ 재고/매출액 비중 추이
(%p)
(백만달러)
150
3,500
반도체 재고순환지표 (출하 증가율 - 재고 증가율, YoY)
100
4달 연속 개선
16.07
(%) 재고자산 (L)
재고/매출액 (R) Bear Cycle (2011~2012)
3,000
120
사상 최대 재고 수준
100
2,500
80
50 2,000
60
0 1,500 -50
Bull Cycle (2013~2014)
1,000
-100
40 20
500
-150 00
02
04
06
08
10
12
14
0
0
16
1Q11
1Q12
1Q13
1Q14
1Q15
자료: 통계청, 미래에셋대우 리서치센터
자료: Micron, 미래에셋대우 리서치센터
그림 7. 글로벌 DRAM 설비투자 추이 및 전망
그림 8. 글로벌 NAND 설비투자 추이 및 전망
(십억달러)
삼성전자 (L)
SK하이닉스 (L)
(%)
25
Micron (L)
기타 (L)
200
(십억달러) 20
YoY 성장률 (R) 150
20
1Q16
삼성전자(L)
SK하이닉스(L)
(%)
Toshiba/Sandisk(L)
Micron/Intel(L)
150
기타(L)
YoY 성장률(R) 100
15
17~18년 대규모 3D NAND 투자
100 15
50 50
10 0
10 0 5
5
-50
-50 -100
0 00
02
04
06
자료: 미래에셋대우 리서치센터
08
10
12
14
16F 18F
0
-100 00
02
04
06
08
10
12
14
16F 18F
자료: 미래에셋대우 리서치센터
Mirae Asset Daewoo Research
5
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
글로벌 메모리 반도체 업체 Valuation 비교 표 5. 글로벌 팹리스 반도체 업체 Valuation 테이블 시가총액 Micron 삼성전자 SK하이닉스 Toshiba Intel Western Digital Inotera Nanya Winbond Transcend 평균
16,822 205,428 23,695 12,846 166,011 13,070 5,663 3,278 1,152 1,250
(백만달러,배,%)
매출액 영업이익 순이익 16F 17F 16F 17F 16F 17F 12,374 13,549 115 804 -346 483 184,623 190,443 27,284 28,915 20,560 22,071 14,172 15,008 1,947 2,390 1,490 1,871 52,575 53,486 1,540 1,779 1,193 1,001 57,664 59,859 15,218 16,912 9,666 12,139 17,370 17,675 2,407 2,920 955 1,412 1,482 1,530 -25 156 -94 125 1,213 1,228 252 178 824 169 1,308 1,426 120 162 92 124 802 785 102 96 105
ROE 16F 17F -1.7 4.4 12.8 12.8 7.5 8.6 28.0 19.9 17.8 18.3 10.8 13.2 3.3 3.0 16.5 7.5 7.1 7.8 14.6 18.5 11.7 11.4
PER 16F 17F 29.5 10.4 9.6 15.6 12.4 10.3 12.8 14.0 12.9 11.1 7.6 32.8 14.5 16.2 19.9 14.6 9.2 12.3 12.0 15.3 14.0
PBR 16F 17F 1.4 1.3 1.3 1.2 1.2 1.1 3.0 2.5 2.6 2.4 1.1 1.0 1.3 1.3 1.4 1.5 0.8 1.9 2.2 1.6 1.6
EV/EBITDA 16F 17F 6.5 3.1 4.0 6.5 8.2 5.5 8.7 5.7 3.9 7.3 5.9
5.3 2.9 3.5 6.0 7.3 4.7 8.1 7.9 3.6 7.4 5.7
자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터
그림 9. Micron 분기 영업이익 및 주가 추이 (달러) 40
영업이익 (R)
그림 10. 10. Micron 연간 영업이익 컨센서스 및 주가 추이 (십억달러) 1.5
주가 (L)
(십억달러) 6
(달러) 16F 영업이익 추정치(L)
40
주가(R)
5 30
1.0
30 4
20
0.5
10
0.0
3
20
2 10 1 0 2011
-0.5 2012
2013
2014
2015
2016
0 14.01
0 14.07
15.01
15.07
16.01
16.07
자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터
자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터
그림 11. 11. Micron 12M12M-fwd P/B 밴드 차트
그림 12. 12. 글로벌 메모리 반도체 업체 P/B P/B-ROE 비교 (16F)
(달러)
(P/B, 배)
40
4 2.6x
30 2.2x
Toshiba 3 Intel
1.8x 20
1.4x
Transcend 2 Inotera SK하이닉스
Micron
1.0x 1
10 0.6x
삼성전자 Western Digital (ROE, %)
0
0 05
07
09
11
자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터
6
Winbond
Nanya
Mirae Asset Daewoo Research
13
15
17
-10
0
자료: Bloomberg, 미래에셋대우 리서치센터
10
20
30
Micron 메모리 시장에 남은 미국의 마지막 자존심
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